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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電子論文>半導(dǎo)體技術(shù)論文>MOS管的電路工作原理電路符號(hào)和實(shí)物等詳細(xì)資料講解

      MOS管的電路工作原理電路符號(hào)和實(shí)物等詳細(xì)資料講解

      2019-09-18 | pdf | 1.95 MB | 次下載 | 1積分

      資料介紹

      本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是MOS管的電路工作原理電路符號(hào)和實(shí)物等詳細(xì)資料講解免費(fèi)下載。

      　　金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)（MOS）晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類， P溝道硅MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區(qū)，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導(dǎo)，源極上加有足夠的正電壓（柵極接地）時(shí)，柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層，成為連接源極和漏極的溝道。改變柵壓可以改變溝道中的空穴密度，從而改變溝道的電阻。這種MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管稱為P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。如果N型硅襯底表面不加?xùn)艍壕鸵汛嬖赑型反型層溝道，加上適當(dāng)?shù)钠珘?，可使溝道的電阻增大或減小。這樣的MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管稱為P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。統(tǒng)稱為PMOS晶體管。


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      半導(dǎo)體 晶體管 MOS
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