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為適應(yīng)電力電子裝置高頻化的要求，電壓驅(qū)動(dòng)型開關(guān)器件IGBT、MOSFET被廣泛應(yīng)用。這兩種器件都是多子器件，無電荷存儲(chǔ)效應(yīng)，開關(guān)速度快，工作頻率高，輸入阻抗高，驅(qū)動(dòng)功率小。MOSFET較IGBT的開關(guān)速度更快，更適合高頻工作場合。諧振型開關(guān)電源一般都采用MOSFET。本節(jié)分析對(duì)比了IGBT和MOSFET的開關(guān)損耗產(chǎn)生機(jī)理，為LLC諧振變換器工作區(qū)域的確定提供了依據(jù)。
MOSFET和IGBT的等效電路如圖2.4所示，兩者結(jié)構(gòu)上的主要差異是IGBT比MOSFET增加了一個(gè)漏注入?yún)^(qū)P層，它直接通向集電極］］。這種結(jié)構(gòu)差異決定了MOSFET和IGBT的特性有所不同。MOSFET和IGBT等效電容可以表示為式（2-2）。在開關(guān)過程中，等效電容大小隨時(shí)間變化。器件的輸出電容主要是由密勒效應(yīng)引起的密勒電容，而密勒效應(yīng)的強(qiáng)弱與反饋電容Cs的大小和器件的放大倍數(shù)有關(guān)，在放大倍數(shù)一定的條件下，Crss越大，密勒效應(yīng)越強(qiáng)烈，輸出電容也越大。
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