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onsemi NCx57080y/NCx57081y:高性能IGBT/MOSFET柵極驅動器的卓越之選

h1654155282.3538 ? 來源:未知 ? 作者:陳翠 ? 2025-12-01 14:29 ? 次閱讀
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onsemi NCx57080y/NCx57081y:高性能IGBT/MOSFET柵極驅動器的卓越之選

電力電子設計領域,IGBT和MOSFET作為關鍵的功率開關器件,其驅動電路的性能直接影響著整個系統(tǒng)的效率和可靠性。今天,我們就來深入探討一下安森美(onsemi)推出的NCx57080y和NCx57081y系列高電流單通道IGBT/MOSFET柵極驅動器。

文件下載:onsemi NCD57081 柵極驅動器.pdf

產品概述

NCx57080y和NCx57081y具備3.75 kVrms的內部電流隔離,專為高功率應用中的高系統(tǒng)效率和可靠性而設計。該系列驅動器接受互補輸入,并根據(jù)引腳配置提供多種選項,如有源米勒鉗位(版本A)、負電源(版本B)以及獨立的高低(OUTH和OUTL)驅動器輸出(版本C),為系統(tǒng)設計提供了極大的便利。它能適應3.3 V至20 V的寬輸入偏置電壓和信號電平范圍,并且采用窄體SOIC - 8封裝。

方框圖

顯著特性

高輸出電流能力

該驅動器具有高達±6.5 A的高峰值輸出電流,能夠快速地對IGBT或MOSFET的柵極電容進行充放電,從而實現(xiàn)快速的開關動作,有效降低開關損耗。

米勒鉗位功能

版本A的低鉗位電壓降消除了對負電源的需求,可防止虛假的柵極導通。在IGBT或MOSFET關斷期間,CLAMP引腳能夠提供鉗位功能,將米勒電流通過低阻抗的CLAMP晶體管吸收,避免因米勒效應導致的器件誤開啟。

精準的傳播延遲匹配

短傳播延遲且匹配精確,確保了驅動器在不同工作條件下都能穩(wěn)定、同步地驅動IGBT或MOSFET,減少了開關過程中的時間差異,提高了系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

寬偏置電壓范圍

支持寬范圍的偏置電壓,包括負VEE2(版本B),能夠適應不同的電源配置,增強了驅動器的通用性和適應性。

高抗干擾能力

具備高瞬態(tài)抗擾度和高電磁抗擾度,能夠在復雜的電磁環(huán)境中穩(wěn)定工作,減少外界干擾對驅動器性能的影響。

安全認證

通過了UL1577認證,可承受3750 VACRMS 1分鐘的耐壓測試,同時DIN VDE V 0884 - 11認證也在申請中,滿足了嚴格的安全和法規(guī)要求。

引腳連接與功能

輸入側引腳

  • VDD1:輸入側電源,需連接高質量的旁路電容到GND1,且應靠近引腳放置,以確保電源的穩(wěn)定性。欠壓鎖定(UVLO)電路確保當電源電壓高于VuvLo1 - OUT - ON時,器件才能正常工作。
  • IN+和IN -:非反相和反相柵極驅動器輸入,內部有鉗位和等效的上拉/下拉電阻,確保在無輸入信號時輸出為低電平。同時,輸入信號需要滿足最小正或負脈沖寬度要求,驅動器輸出才會響應。
  • GND1:輸入側接地參考。

輸出側引腳

  • VDD2:輸出側正電源,工作范圍從UVLO2到其最大允許值,同樣需要連接高質量的旁路電容到GND2。
  • GND2:輸出側柵極驅動參考,連接到IGBT發(fā)射極或MOSFET源極。
  • OUT(版本A和B):驅動器輸出,為IGBT/MOSFET柵極提供合適的驅動電壓和源/灌電流,啟動時OUT會主動拉低。
  • OUTH和OUTL(版本C):分別為高和低驅動器輸出,為IGBT/MOSFET柵極提供相應的驅動電壓和源/灌電流,啟動時OUTL會主動拉低。
  • CLAMP(版本A):在關斷期間為IGBT/MOSFET柵極提供鉗位保護,當該引腳電壓低于VCLAMP - THR時,內部N FET導通。
  • VEE2(版本B):輸出側負電源,需連接高質量的旁路電容到GND2。

電氣特性

電源電壓相關特性

驅動器的UVLO電路確保了在電源電壓低于或高于特定閾值時,輸出能夠正確地開啟或關閉。例如,VUVLO1 - OUT - ON和VUVLO1 - OUT - OFF分別定義了輸入側電源的輸出使能和禁用閾值,而VUVLO2 - OUT - ON和VUVLO2 - OUT - OFF則對應輸出側電源。

邏輯輸入和輸出特性

輸入信號的高低電平閾值(VIL和VIH)與VDD1相關,且具有一定的輸入滯后電壓(VIN - HYST),以提高抗干擾能力。同時,輸入信號需要滿足最小脈沖寬度要求,才能保證驅動器輸出的正確響應。

驅動器輸出特性

驅動器輸出的高低狀態(tài)電壓(VOUTH1和VOUTL1)以及峰值驅動電流(IPK - SNK1和IPK - SRC1)等參數(shù),決定了其對IGBT或MOSFET的驅動能力。在不同的負載電流和溫度條件下,這些參數(shù)會有一定的變化范圍。

動態(tài)特性

傳播延遲、上升時間和下降時間等動態(tài)特性對于驅動器的開關速度和同步性至關重要。NCx57080y和NCx57081y在不同的輸入電壓和負載電容條件下,都能保持相對穩(wěn)定的傳播延遲和快速的上升/下降時間。

典型應用

電機控制

電機驅動系統(tǒng)中,該驅動器能夠快速、準確地驅動IGBT或MOSFET,實現(xiàn)電機的高效調速和精確控制,提高電機的運行效率和穩(wěn)定性。

不間斷電源(UPS)

為UPS中的功率開關器件提供可靠的驅動,確保在市電中斷時能夠迅速切換到備用電源,保障負載設備的正常運行。

汽車應用

滿足汽車電子系統(tǒng)對可靠性和安全性的嚴格要求,可用于電動汽車的電機驅動、電池管理等系統(tǒng)中。

工業(yè)電源

在工業(yè)電源中,驅動器能夠提高電源的轉換效率和穩(wěn)定性,減少功率損耗,延長設備的使用壽命。

太陽能逆變器

為太陽能逆變器中的IGBT或MOSFET提供高效的驅動,將太陽能電池板產生的直流電轉換為交流電,并入電網或供負載使用。

設計注意事項

電源去耦

為了確保驅動器的穩(wěn)定工作,需要在電源引腳(VDD1、VDD2和VEE2)附近連接合適的去耦電容。對于大多數(shù)應用,建議使用100 nF + 4.7μF低ESR陶瓷電容的并聯(lián)組合;對于柵極電容超過10 nF的IGBT模塊,可能需要更高的去耦電容值(如100 nF + 10μF)。

輸入保護

當應用中使用獨立或分離的電源為控制單元和驅動器輸入側供電時,所有輸入引腳都應通過串聯(lián)電阻進行保護,以防止在驅動器電源故障時,輸入保護電路過載而損壞驅動器。

布局設計

合理的布局設計對于減少電磁干擾和提高驅動器性能至關重要。應盡量縮短引腳之間的連線長度,特別是CLAMP引腳與IGBT/MOSFET柵極之間的連線,以降低寄生電感和電阻的影響。同時,參考推薦的布局圖(如圖35)進行設計,能夠更好地保證驅動器的穩(wěn)定性和可靠性。

綜上所述,onsemi的NCx57080y和NCx57081y系列柵極驅動器憑借其出色的性能、豐富的功能和廣泛的應用場景,為電子工程師在設計高功率應用系統(tǒng)時提供了一個優(yōu)秀的選擇。在實際應用中,我們需要根據(jù)具體的需求和工作條件,合理選擇驅動器的版本和配置,并注意相關的設計注意事項,以充分發(fā)揮其優(yōu)勢,實現(xiàn)系統(tǒng)的高效、穩(wěn)定運行。你在使用類似的柵極驅動器時,遇到過哪些問題或有什么獨特的設計經驗呢?歡迎在評論區(qū)分享交流。

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