3DA14B硅NPN外延平面型高頻功率晶體管的設(shè)計(jì)_衣秀東畢業(yè)設(shè)計(jì)
2015-03-16 |
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資料介紹
本文對(duì)3DA14B晶體管主要性能參數(shù)進(jìn)行分析和設(shè)計(jì),并對(duì)晶體管的直流參數(shù)、交流參數(shù)、極限參數(shù)以及特征參數(shù)進(jìn)行了一一討論分析,以找到這些電參數(shù)與器件結(jié)構(gòu)、硅材料之間的關(guān)系,并在現(xiàn)有具體型號(hào)晶體管的設(shè)計(jì)規(guī)范的基礎(chǔ)上,套用超高頻功率晶體管的一般設(shè)計(jì)方法和一系列經(jīng)驗(yàn)公式,計(jì)算出縱向結(jié)構(gòu)參數(shù)、橫向結(jié)構(gòu)參數(shù)、工藝參數(shù),再對(duì)這些參數(shù)進(jìn)行參數(shù)驗(yàn)證和分析,并進(jìn)行多次參數(shù)調(diào)整,最終達(dá)到符合設(shè)計(jì)規(guī)范的要求,完成對(duì)3DA14B 硅NPN外延平面型高頻功率晶體管的設(shè)計(jì)。本文的主要內(nèi)容分為晶體管的設(shè)計(jì)思想及要求、晶體管各參數(shù)的設(shè)計(jì)、晶體管電參數(shù)的驗(yàn)證、工藝流程和總結(jié)建議五個(gè)部分。晶體管參數(shù)設(shè)計(jì)部分根據(jù)具體的設(shè)計(jì)指標(biāo)要求,進(jìn)行產(chǎn)品的各參數(shù)的設(shè)計(jì),設(shè)計(jì)中注重應(yīng)用相關(guān)公式從理論上對(duì)各個(gè)環(huán)節(jié)的具體參數(shù)進(jìn)行估算,做出最優(yōu)選擇。工藝流程部分詳細(xì)說(shuō)明了每一個(gè)工藝步驟并對(duì)每一個(gè)步驟的具體過(guò)程進(jìn)行了分析和驗(yàn)證??偨Y(jié)建議部分對(duì)設(shè)計(jì)過(guò)程中出現(xiàn)的問(wèn)題做了完整的分析總結(jié)和記錄,并對(duì)以后其它晶體管的設(shè)計(jì)做出了經(jīng)驗(yàn)型的建議和美好的展望。
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