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引人注目的紅外焦平面陣列技術正在取得飛速進展，日益拓展其新的應用領域。本文著重于從未來應用和市場的角度，結合器件技術討論二十一世紀頭10～20 年間的紅外焦平面陣列技術的應用前景。
本世紀中超大規(guī)模集成電路和微電機械加工（MEMS）技術的發(fā)展，使紅外探測器技術取得了驚人的進展，紅外焦平面陣列技術是這種技術發(fā)展的一個里程碑。因紅外探測的隱蔽性和有效性，其應用領域主要是軍事方面，對該技術的迫切期望使之成為軍方的“寵兒”。特別是冷戰(zhàn)軍備競賽，軍方投入巨資使紅外探測技術發(fā)展突破了前進道路上一個又一個的障礙，使紅外探測器技術從30 年代單一的PbS 器件發(fā)展到現(xiàn)在的多個品種，包括InSb、HgCdTe、PtSi、InGaAs、GaAlAs、非本征硅等量子探測器、 Vox、PZT、多晶硅和非晶硅等熱探測器；從單元器件發(fā)展到目前焦平面信號處理的大型紅外焦平面陣列。其陣列集成規(guī)模已高達2048′2048 元[2]，從極低溫工作發(fā)展到了目前的77K 或室溫工作陣列，特別是近年的發(fā)展已接近于可見光CCD、APS 和CMOS 圖像傳感器的水平。同時紅外探測技術正在急速地拓展新的應用領域和市場，迅速地滲透到廣闊的商用領域，改變其長期以來主要用于軍用領域的狀況。
本世紀中超大規(guī)模集成電路和微電機械加工（MEMS）技術的發(fā)展，使紅外探測器技術取得了驚人的進展，紅外焦平面陣列技術是這種技術發(fā)展的一個里程碑。因紅外探測的隱蔽性和有效性，其應用領域主要是軍事方面，對該技術的迫切期望使之成為軍方的“寵兒”。特別是冷戰(zhàn)軍備競賽，軍方投入巨資使紅外探測技術發(fā)展突破了前進道路上一個又一個的障礙，使紅外探測器技術從30 年代單一的PbS 器件發(fā)展到現(xiàn)在的多個品種，包括InSb、HgCdTe、PtSi、InGaAs、GaAlAs、非本征硅等量子探測器、 Vox、PZT、多晶硅和非晶硅等熱探測器；從單元器件發(fā)展到目前焦平面信號處理的大型紅外焦平面陣列。其陣列集成規(guī)模已高達2048′2048 元[2]，從極低溫工作發(fā)展到了目前的77K 或室溫工作陣列，特別是近年的發(fā)展已接近于可見光CCD、APS 和CMOS 圖像傳感器的水平。同時紅外探測技術正在急速地拓展新的應用領域和市場，迅速地滲透到廣闊的商用領域，改變其長期以來主要用于軍用領域的狀況。
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