資料介紹
當(dāng)前,LSI 的發(fā)展越來越趨向于高集成度和高復(fù)雜度。LSI 工藝向微觀發(fā)展的同時(shí),LSI
本身也向多功能性發(fā)展。中國(guó)面向生產(chǎn)的半導(dǎo)體測(cè)試?yán)砟畈贿^3-4 年的歷史,面對(duì)越來越復(fù)雜的測(cè)試需求,測(cè)試程序開發(fā)人員顯得力不從心。更加困擾開發(fā)人員的是,他們必須面對(duì)縮短測(cè)試程序調(diào)試時(shí)間以降低測(cè)試成本的壓力。
很顯然,在LSI 器件制造出來后必須對(duì)其進(jìn)行全部功能的測(cè)試,對(duì)此別無選擇。在這種
模式下,如果測(cè)試程序調(diào)試過程出現(xiàn)問題,很難很快判別出究竟是哪個(gè)環(huán)節(jié)的問題:試程序本身問題?芯片本身工藝問題?芯片設(shè)計(jì)缺陷?接口電路板故障?測(cè)試系統(tǒng)本身的功能限制?等等。解決以上問題需要大量的時(shí)間。并且,這種花費(fèi)的時(shí)間往往和芯片設(shè)計(jì)本身并無直接關(guān)系,卻一并算在了測(cè)試程序的總開發(fā)時(shí)間并計(jì)入總成本。
本身也向多功能性發(fā)展。中國(guó)面向生產(chǎn)的半導(dǎo)體測(cè)試?yán)砟畈贿^3-4 年的歷史,面對(duì)越來越復(fù)雜的測(cè)試需求,測(cè)試程序開發(fā)人員顯得力不從心。更加困擾開發(fā)人員的是,他們必須面對(duì)縮短測(cè)試程序調(diào)試時(shí)間以降低測(cè)試成本的壓力。
很顯然,在LSI 器件制造出來后必須對(duì)其進(jìn)行全部功能的測(cè)試,對(duì)此別無選擇。在這種
模式下,如果測(cè)試程序調(diào)試過程出現(xiàn)問題,很難很快判別出究竟是哪個(gè)環(huán)節(jié)的問題:試程序本身問題?芯片本身工藝問題?芯片設(shè)計(jì)缺陷?接口電路板故障?測(cè)試系統(tǒng)本身的功能限制?等等。解決以上問題需要大量的時(shí)間。并且,這種花費(fèi)的時(shí)間往往和芯片設(shè)計(jì)本身并無直接關(guān)系,卻一并算在了測(cè)試程序的總開發(fā)時(shí)間并計(jì)入總成本。
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