01 什么是第三代半導(dǎo)體

　　什么是第三代半導(dǎo)體？

　　? SiC 相比 GaN，擁有更高的熱導(dǎo)率，這使得在高功率應(yīng)用中，SiC 占據(jù)統(tǒng)治地位；

　　? GaN相比SiC擁有更高的電子遷移率，所以GaN具有高的開關(guān)速度，在高頻應(yīng)用中占有優(yōu)勢。

　　SiC商業(yè)化進(jìn)程

　　對(duì)一些名詞概念的說明

　　? SiC 襯底是由 SiC 單晶材料制造 而成的晶圓片。襯底可以直接進(jìn)入 晶圓制造環(huán)節(jié)生產(chǎn)半導(dǎo)體器件，也 可以經(jīng)過外延加工，即在襯底上生 長一層新的單晶，形成外延片。

　　? 這里新的單晶層被稱為外延層，可 以是 SiC，也可以是其他材料（如 GaN）。

　　? 而晶圓可以指襯底、外延片、或是 已加工完成芯片后但尚未切割的圓 形薄片。

02 SiC市場規(guī)模