EDA技術(shù)的核心 常見(jiàn)EDA軟件工具有哪些？

EDA技術(shù)的核心是將電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化，實(shí)現(xiàn)快速、準(zhǔn)確、方便的電路設(shè)計(jì)和仿真，以提高電路設(shè)計(jì)的效率和可靠性。通過(guò)提高EDA技術(shù)的運(yùn)用水平，可以縮短電路設(shè)計(jì)周...

2023-04-19 標(biāo)簽：eda光刻機(jī)電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化 1.3萬(wàn) 0

被卡脖子的半導(dǎo)體設(shè)備（萬(wàn)字深度報(bào)告）

光刻是將設(shè)計(jì)好的電路圖從掩膜版轉(zhuǎn)印到晶圓表面的光刻膠上，通過(guò)曝光、顯影將目標(biāo)圖形印刻到特定材料上的技術(shù)。光刻工藝包括三個(gè)核心流程：涂膠、對(duì)準(zhǔn)和曝光以及光...

2023-03-25 標(biāo)簽：集成電路光刻機(jī)半導(dǎo)體設(shè)備 8464 0

***被圍堵？國(guó)內(nèi)EDA產(chǎn)業(yè)尚未形成規(guī)模

沒(méi)有半導(dǎo)體設(shè)備的支持，芯片制造的任何一個(gè)環(huán)節(jié)都難以完成芯片的交付，但目前國(guó)產(chǎn)化率在全球市場(chǎng)中所占的比例很低。

2023-03-21 標(biāo)簽：eda光刻機(jī)半導(dǎo)體設(shè)備 642 0

國(guó)產(chǎn)***EUV與DUV的分類

DUV是深紫外線（Deep Ultraviolet Lithography），EUV是極深紫外線（Extreme Ultraviolet Lithogr...

2023-03-20 標(biāo)簽：光刻機(jī)EUVDUV 1.3萬(wàn) 0

EUV 光刻制造全流程設(shè)計(jì)解析

其全流程涉及了從 EUV 光源到反射鏡系統(tǒng)，再到光掩模，再到對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，再到晶圓載物臺(tái)，再到光刻膠化學(xué)成分，再到鍍膜機(jī)和顯影劑，再到計(jì)量學(xué)，再到單個(gè)晶圓。

2023-03-07 標(biāo)簽：芯片晶圓光刻 1958 0

基于反射型二維光柵的外差式三自由光柵干涉儀

多自由度精密定位技術(shù)在納米計(jì)量、顯微成像、精密機(jī)床、半導(dǎo)體制造等領(lǐng)域具有重要地位。

2023-03-06 標(biāo)簽：晶圓干涉儀光刻機(jī) 851 0

剖析***的種類與原理

用于集成電路制造的光刻機(jī)有兩種：半導(dǎo)體光刻機(jī)和光學(xué)（光刻）光刻機(jī)。下面將分別介紹這兩種光刻機(jī)的相關(guān)知識(shí)。半導(dǎo)體光刻機(jī)是根據(jù)芯片制造的工藝和設(shè)備來(lái)劃分的，...

2023-03-03 標(biāo)簽：芯片集成電路半導(dǎo)體 8279 0

EUV光刻工藝制造技術(shù)主要有哪些難題？

光掩?？梢员徽J(rèn)為是芯片的模板。光掩模用電子束圖案化并放置在光刻工具內(nèi)。然后，光掩模可以吸收或散射光子，或允許它們穿過(guò)晶圓。這就是在晶圓上創(chuàng)建圖案的原因。

2023-03-03 標(biāo)簽：gpu晶體管光刻機(jī) 2280 0

一文解析***工作原理圖

節(jié)點(diǎn)的尺寸數(shù)值基本上和晶體管的長(zhǎng)寬成正比關(guān)系，每一個(gè)節(jié)點(diǎn)基本上是前一個(gè)節(jié)點(diǎn)的0.7倍。這樣以來(lái)，由于0.7X0.7=0.49，所以每一代工藝節(jié)點(diǎn)上晶體管...

2023-03-02 標(biāo)簽：集成電路晶體管光刻機(jī) 1.5萬(wàn) 0

關(guān)于***科普的詳細(xì)報(bào)告

1.要讓掩模版上圖形同載片臺(tái)上硅片內(nèi)的圖形對(duì)準(zhǔn)，是非常難的技術(shù)問(wèn)題; 2.I作臺(tái)要調(diào)節(jié)X、Y、Z、θ四個(gè)參數(shù); 3.快速對(duì)準(zhǔn)是提高設(shè)備產(chǎn)能的關(guān)鍵;

2023-02-21 標(biāo)簽：晶體管光刻機(jī) 525 0