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      標(biāo)簽　>　光刻膠

      光刻膠

      +關(guān)注10人關(guān)注

      光刻膠（Photoresist）又稱光致抗蝕劑，是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。由感光樹脂、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對光敏感的混合液體。

      文章：330個 瀏覽：31373次 帖子：4個

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      光刻膠可以通過光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光、顯影等光刻工序?qū)⑺枰奈⒓殘D形從光罩（掩模版）轉(zhuǎn)移到待加工基片上。依據(jù)使用場景，這里的待加工基片可以是集成電路材料，...

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      根據(jù)維基百科的定義，光刻是半導(dǎo)體器件制造工藝中的一個重要步驟，該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結(jié)構(gòu)，然后通過刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到所...

      2023-04-25 標(biāo)簽：光刻半導(dǎo)體器件光刻膠 2.4k 0

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      2023-04-25 標(biāo)簽：硅片光刻機光刻膠 6.3k 0

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      從下圖中可以看出結(jié)合使用XeF2氣流和氯離子轟擊的刻蝕速率最高，明顯高于這兩種工藝單獨使用時的刻蝕速率總和。

      2023-02-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓光刻膠 6.1k 0

      淺談DRAM制造工藝及微縮挑戰(zhàn)

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      2023-01-09 標(biāo)簽：電容器DRAM光刻膠 2k 0

      PCB的加工步驟了解

      芯板，中間是介質(zhì)，兩面是銅箔，就是雙層板時用的介質(zhì)板，比如ROGERS 4350B等。

      2022-11-01 標(biāo)簽：pcb光刻膠 2.4k 0

      關(guān)于PCB通孔及尺寸要求

      合包與分包（pack and unpack，PAU）工藝被用于制備通孔陣列。與其他雙重曝光工藝不同，PAU工藝并不直接提供額外的圖形分辨率。

      2022-10-24 標(biāo)簽：pcb光刻膠 6.5k 0

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      光刻膠的組成：樹脂（resin/polymer），光刻膠中不同材料的粘合劑，給與光刻膠的機械與化學(xué)性質(zhì)（如粘附性、膠膜厚度、熱穩(wěn)定性等）；感光劑，感光劑...

      2022-10-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光刻膠 2.3萬 2

      高數(shù)值孔徑 EUV 系統(tǒng)的好處

      隨著光刻膠層變得更薄，整體光刻膠的特性變得不那么重要，并且光刻膠（暴露與否）與顯影劑和底層之間的界面變得更加重要。

      2022-09-21 標(biāo)簽：光刻機EUV光刻膠 1.4k 0

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      雖然通過蝕刻的結(jié)構(gòu)化是通過(例如抗蝕劑)掩模對襯底的全表面涂層進行部分腐蝕來完成的，但是在剝離過程中，材料僅沉積在不受抗蝕劑掩模保護的位置。本章描述了獲...

      2022-07-12 標(biāo)簽：工藝蝕刻光刻膠 2.9k 0

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      2022-07-11 標(biāo)簽：清洗光刻膠SPM 9.9k 0

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      2022-07-04 標(biāo)簽：蝕刻晶片光刻膠 1.1萬 0

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      關(guān)鍵詞:超臨界清洗，離子注入光刻膠，光刻膠剝離 摘要 本文提出了一種有效的、環(huán)保的干剝離方法，使用超臨界二氧化碳(SCCO2)系統(tǒng)，在40℃到100℃和...

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      關(guān)鍵詞：氧氣、微氣泡、光刻膠、高劑量離子注入、氣水界面 介紹? ??? 微氣泡是一種很有前途的環(huán)保光刻膠去除方法的候選方法。已經(jīng)證明，臭氧微氣泡可以去除...

      2022-01-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光刻晶片 1.9k 0

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      2021-12-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體襯底光刻膠 1.9k 0

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        IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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