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標簽 > 光刻
光刻是平面型晶體管和集成電路生產中的一個主要工藝。是對半導體晶片表面的掩蔽物（如二氧化硅）進行開孔，以便進行雜質的定域擴散的一種加工技術。
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EUV 光是指用于微芯片光刻的極紫外光，涉及在微芯片晶圓上涂上感光材料并小心地將其曝光。這會將圖案打印到晶圓上，用于微芯片設計過程中的后續(xù)步驟。
光刻是半導體加工中最重要的工藝之一，決定著芯片的性能。光刻占芯片制造時間的40%-50%，占其總成本的30%。光刻膠是光刻環(huán)節(jié)關鍵耗材，其質量和性能與電...
光學光刻是通過廣德照射用投影方法將掩模上的大規(guī)模集成電路器件的結構圖形畫在涂有光刻膠的硅片上，通過光的照射，光刻膠的成分發(fā)生化學反應，從而生成電路圖。限...
Bumping工藝是一種先進的封裝工藝，而Sputter是Bumping工藝的第一道工序，其重要程度可想而知。Sputter的膜厚直接影響B(tài)umping...
黃光的波長遠離UV范圍，因此不會引起光刻膠的意外曝光。黃光燈通常不含有紫外線，從而保護光敏材料免受不必要的曝光。
晶圓廠每年都會有固定的幾次MPW機會，叫Shuttle （班車），到點即發(fā)車，是不是非常形象不同公司拼Wafer，得有個規(guī)則，MPW按SEAT來鎖定面積...
光刻膠作為影響光刻效果核心要素之一，是電子產業(yè)的關鍵材料。光刻膠由溶劑、光引發(fā)劑和成膜樹脂三種主要成分組成，是一種具有光化學敏感性的混合液體。其利用光化...
漸進式改進與性能的巨大飛躍相結合，雖然這些改進將計算和分析能力提升到全新水平，但也需要全新的權衡考慮。這些變革的核心在于高度定制的芯片架構，芯片是在最先...
歐洲極紫外光刻（EUVL）技術利用波長為13.5納米的光子來制造集成電路。產生這種光的主要來源是使用強大激光器產生的熱錫等離子體。激光參數(shù)被調整以產生大...
SSMB就產生了和FEL類似的“微聚束”，但是關鍵還加上了“穩(wěn)態(tài)”。FEL不是穩(wěn)態(tài)，電子團在波蕩器里自由互相作用，最后發(fā)出強光完事。SSMB是讓電子束在...
集成電路越做越小是多個因素共同作用的結果，包括技術進步、成本和效率考慮、功耗和散熱需求，以及新應用的推動，為電子設備的發(fā)展提供了更多的可能性和機遇。
光伏電池可以根據(jù)不同的材料和工藝進行分類。以下是一些常見的光伏電池分類： 1. 硅晶體太陽能電池：硅晶體太陽能電池是最常見和廣泛應用的光伏電池類型...
短波長透明光學元件的缺乏限制了深紫外光刻中的可用波長，而晶片上所需的最小特征繼續(xù)向更深的亞波長尺度收縮。這對用入射場代替掩模開口上的場的基爾霍夫邊界條件...
再見鏡頭，你好超表面。所謂的超表面可以幫助使光學系統(tǒng)在未來變得更薄，同時增加其功能。 到目前為止，傳統(tǒng)的制造工藝通常只能實現(xiàn)小的超表面，通常小于一平方毫...
三十年來，半導體掩模技術基本保持不變，掩模的制作是在可變成形機上進行的，這些機器將可變元件限制在 45 度角。隨著功能縮小并變得更加復雜，電子束和多束掩...
CMP 主要負責對晶圓表面實現(xiàn)平坦化。晶圓制造前道加工環(huán)節(jié)主要包括7個相互獨立的工藝流程：光刻、刻蝕、薄膜生長、擴散、離子注入、化學機械拋光、金屬化 C...
套刻計量（Overlay metrology）工具可提高精度，同時提供可接受的吞吐量，解決日益復雜的設備中的競爭要求。
從封裝的角度來看，要提高帶寬，需要考慮兩個關鍵因素：I/O（輸入/輸出）總數(shù)和每個I/O的比特率。增加I/O總數(shù)需要在每個布線層/再分布層（RDL）中實...
圖案化工藝包括曝光(Exposure)、顯影(Develope)、刻蝕(Etching)和離子注入等流程。其中，刻蝕工藝是光刻(Photo)工藝的下一步...
非光刻圖案化方法可以從圖案設計的自由度上分為三大類，第一類能夠自由形成任意圖案，主要包括掃描探針刻?。⊿PL）和噴墨打??；第二類需要在模板或預圖案化基材...
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