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內(nèi)存控制器

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　　內(nèi)存控制器是計算機系統(tǒng)內(nèi)部控制內(nèi)存并且負(fù)責(zé)內(nèi)存與CPU之間數(shù)據(jù)交換的重要組成部分。

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內(nèi)存控制器技術(shù)

PCI內(nèi)存控制器和SM總線控制器在設(shè)備管理器中出現(xiàn)感嘆號，通常意味著這些設(shè)備的驅(qū)動程序存在問題或設(shè)備本身出現(xiàn)故障。這些問題是否會導(dǎo)致電腦死機，取決于多種...

2024-10-10 標(biāo)簽：PCI 驅(qū)動程序總線控制器 1.2萬 0

內(nèi)存控制器有哪些優(yōu)缺點

內(nèi)存控制器作為計算機系統(tǒng)中的核心組件之一，在提高系統(tǒng)性能、優(yōu)化數(shù)據(jù)傳輸以及確保數(shù)據(jù)穩(wěn)定性方面發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。然而，它同樣存在一些不可忽視的優(yōu)缺點。

2024-09-04 標(biāo)簽：cpu 計算機系統(tǒng)內(nèi)存控制器 674 0

內(nèi)存控制器概述和工作原理

內(nèi)存控制器是計算機系統(tǒng)內(nèi)部控制內(nèi)存并負(fù)責(zé)內(nèi)存與CPU之間數(shù)據(jù)交換的重要組成部分。它不僅是連接CPU與內(nèi)存的橋梁，還決定了計算機系統(tǒng)所能使用的最大內(nèi)存容量...

2024-09-04 標(biāo)簽：cpu 計算機系統(tǒng)內(nèi)存控制器 1611 0

主板內(nèi)存控制器壞的表現(xiàn)有哪些

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2024-09-02 標(biāo)簽：計算機主板硬件 2127 0

如何自定義內(nèi)存控制器的設(shè)置

在FreeRTOS中自定義內(nèi)存控制器的設(shè)置，主要涉及到內(nèi)存分配策略的選擇和配置。FreeRTOS提供了多種內(nèi)存分配策略，如heap_1、heap_2、h...

2024-09-02 標(biāo)簽：封裝 RAM 函數(shù) 766 0

同步DRAM(SDRAM)介紹

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2024-07-29 標(biāo)簽：DRAM SDRAM 內(nèi)存控制器 1226 0

什么是HBM3E內(nèi)存？Rambus HBM3E/3內(nèi)存控制器內(nèi)核

Rambus HBM3E/3 內(nèi)存控制器內(nèi)核針對高帶寬和低延遲進(jìn)行了優(yōu)化，以緊湊的外形和高能效的封裝為人工智能訓(xùn)練提供了最大的性能和靈活性。

2024-03-20 標(biāo)簽：處理器 DRAM 人工智能 3427 0

DDR phy內(nèi)存控制器的作用是什么？

隨著 DFI MC-PHY 接口規(guī)范的推進(jìn)，事情正朝著正確的方向發(fā)展。對于不熟悉 DFI 的人來說，這是一個行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，它定義了任何通用 MC 和 PHY...

2024-03-19 標(biāo)簽：控制器內(nèi)存內(nèi)存控制器 1654 0

ddr5為什么能跑得那么穩(wěn)呢

隨著DDR5信號速率的增加和芯片生產(chǎn)工藝難度的加大，DRAM內(nèi)存出現(xiàn)單位錯誤的風(fēng)險也隨之增加，為進(jìn)一步改善內(nèi)存信道，糾正DRAM芯片中可能出現(xiàn)的位錯誤，...

2023-11-30 標(biāo)簽：DRAM 振蕩器數(shù)據(jù)信號 630 0

DDR3讀寫平衡、GDDR時鐘訓(xùn)練與鎖相技術(shù)闡述

如圖所示，內(nèi)存控制器與顆粒相連接，并通過DQ（數(shù)據(jù)線）反饋。

2023-10-30 標(biāo)簽：DDR3 鎖相技術(shù)數(shù)字芯片 2501 0

可直接訪問的分離式內(nèi)存DirectCXL應(yīng)用案例

分離式內(nèi)存由于可以提升內(nèi)存利用率而備受關(guān)注，現(xiàn)有的分離式內(nèi)存可以根據(jù)它們?nèi)绾喂芾頂?shù)據(jù)分為1）page-based和2）object-based。Page...

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北橋芯片和南橋芯片去哪里了？

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2023-09-06 標(biāo)簽：SoC設(shè)計 PDM DDR4 1232 0

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2021-04-20 標(biāo)簽：DRAM DDR PHY 4985 0

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