全方位理解功率MOSFET的雪崩失效現(xiàn)象

功率MOSFET在電力電子設備中應用十分廣泛，因其故障而引起的電子設備損壞也比較常見。分析研究功率MOSFET故障的原因、后果，對于MOSFET的進一步...

2023-12-04 標簽：三極管MOSFET晶體管 8118 0

IGBT的終端耐壓結(jié)構(gòu)—平面結(jié)和柱面結(jié)的耐壓差異（2）

下面對電場積分，我們看看隨著增長，即耗盡區(qū)深度的增長，柱面結(jié)與平面結(jié)所承受電壓分布的差異。

2023-12-01 標簽：IGBTPN結(jié)擊穿電壓 1314 0

IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—PIN&MOS模型（3）

這里需要注意的是，載流子電流為零并不意味著載流子濃度為零，反之亦然。對于PIN1結(jié)構(gòu)，因為陽極和陰極的多子濃度遠大于少子濃度，所以可以忽略少子電流；

2023-12-01 標簽：IGBTMOSPN結(jié) 1201 0

芯片的幾個重要測試環(huán)節(jié)-CP、FT、WAT

半導體生產(chǎn)流程由晶圓制造，晶圓測試，芯片封裝和封裝后測試組成。而測試環(huán)節(jié)主要集中在CP（chip probing）、FT（Final Test）和WAT...

2023-12-01 標簽：半導體晶圓芯片封裝 8662 0

一文了解IGBT的極限值

在文件數(shù)據(jù)表中，按照IGBT 模塊（IGBT，二極管，殼體，溫度傳感器等）的各個組成部分別給出它們的極限值。

2023-12-01 標簽：二極管晶體管擊穿電壓 2652 0

基于碰撞電離率模型的Miller公式S參數(shù)擬合分析

我們應用簡單的Fulop模型對平行平面結(jié)進行了分析，對復雜的Chynoweth模型進行了化簡，由化簡的公式可得碰撞電離率積分和外加電壓之間存在一定的關(guān)系。

2023-11-27 標簽：二極管PN結(jié)擊穿電壓 1742 0

基于碰撞電離率的平行平面結(jié)及晶閘管研究

功率半導體器件設計的基礎是平行平面結(jié)，結(jié)的擊穿與體內(nèi)載流子的碰撞電離密切相關(guān)，本次研究的重點結(jié)構(gòu)是晶閘管，而晶閘管的阻斷與開啟都與體內(nèi)載流子的運動有關(guān)。

2023-11-27 標簽：晶閘管擊穿電壓MATLAB仿真 4.8萬 0

PN結(jié)曲率效應的產(chǎn)生及其對擊穿電壓的影響

在我們現(xiàn)有的功率半導體器件中，PN結(jié)占據(jù)了極其重要的地位，其正向阻斷能力的優(yōu)劣直接決定著功率半導體器件的可靠性及適用范圍。

2023-11-24 標簽：PN結(jié)擊穿電壓功率半導體 2706 0

UIS測試是什么？雪崩能量對實際應用的影響

UIS：英文全稱Unclamped Inductive Switching，中文譯為非嵌位感性負載開關(guān)過程。

2023-11-24 標簽：MOSFETUIS擊穿電壓 1.3萬 0

功率二極管噪聲特性

根據(jù)實際電參數(shù)指標要求，在25℃室溫情況下，當測試電流IR=5μA時，器件反向重復峰值電壓（VRRM）需高于1200V。

2023-07-12 標簽：功率二極管電阻器單晶硅電池 516 0

高頻小功率晶體管設計

產(chǎn)品發(fā)射區(qū)結(jié)構(gòu)設計為梳狀結(jié)構(gòu)。晶體管版圖中發(fā)射區(qū)半寬度選擇為30μm。

2023-07-05 標簽：串聯(lián)電阻晶體管擊穿電壓 1071 0

齊納二極管的特性簡介及設計案例

齊納二極管（Zener diode）又叫穩(wěn)壓二極管，也是一種特殊用途二極管，但由于齊納二極管的是如此之重要，內(nèi)容又比較多，所以這里單獨拉出來作為一個小節(jié)講。

2023-02-07 標簽：二極管電路穩(wěn)壓二極管 2711 0

有源鉗位吸收器電路設計與數(shù)字實現(xiàn)方式

隨著MOSFET擊穿電壓額定值的增大，導通電阻也會增大。在這樣場景中如何消除同步整流器上的電壓尖峰和振鈴，另外有源-鉗位方案優(yōu)勢有哪些？

2019-01-15 標簽：MOSFET有源鉗位電流吸收器 0 0

擊穿電壓是什么_擊穿電壓的工作原理是什么

本文開始介紹了擊穿電壓的概念和擊穿電壓的主要因素，其次闡述了擊穿電壓的工作原理以及介紹了影響介電擊穿強度的因素，最后介紹了電壓擊穿儀器使用時的注意事項。

2018-04-03 標簽：擊穿電壓 6.3萬 0