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功率半導(dǎo)體

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功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件，是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ)，也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。

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功率半導(dǎo)體技術(shù)

LTT光觸發(fā)晶閘管的仿真建模

功率半導(dǎo)體器件作為電力電子系統(tǒng)中各種拓?fù)潆娐返暮诵碾娮釉骷?，能夠?qū)︻l率和功率的變換進(jìn)行控制、交直流電壓進(jìn)行轉(zhuǎn)換。功

2023-04-24 標(biāo)簽：可控硅晶閘管 SCR 3647 0

功率半導(dǎo)體器件陶瓷覆銅板用無(wú)氧銅帶

陶瓷覆銅板是在高溫，流動(dòng)氣氛下銅帶與陶瓷基片通過(guò)高溫熔煉和擴(kuò)散過(guò)程而形成的一種高導(dǎo)熱、高絕緣強(qiáng)度的復(fù)合材料，既具有陶瓷的高導(dǎo)熱性、高電絕緣性、高機(jī)械強(qiáng)度...

2023-04-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件工藝流程 2248 0

大功率IGBT功率模塊用氮化鋁覆銅基板

陶瓷覆基板是影響模塊長(zhǎng)期使用的關(guān)鍵部分之一，IGBT模塊封裝中所產(chǎn)生的熱量主要是經(jīng)陶瓷覆銅板傳到散熱板最終傳導(dǎo)出去。陶瓷基板材料的性能是陶瓷覆銅板性能的...

2023-04-17 標(biāo)簽：IGBT 功率半導(dǎo)體熱導(dǎo)率 1487 0

淺談DIPIP的健康管理

DIPIPM是雙列直插型智能功率模塊的簡(jiǎn)稱，由三菱電機(jī)于1997年正式推向市場(chǎng)，迄今已在家電、工業(yè)和汽車空調(diào)等領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用。本講座主要介紹DIPIP...

2023-04-14 標(biāo)簽：pcb 驅(qū)動(dòng)電路功率模塊 1335 0

氧化鎵有望成為超越SiC和GaN性能的材料

氧化鎵有望成為超越SiC和GaN性能的材料，有望成為下一代功率半導(dǎo)體，日本和海外正在進(jìn)行研究和開(kāi)發(fā)。

2023-04-14 標(biāo)簽：肖特基二極管 SiC GaN 746 0

IGBT技術(shù)發(fā)展歷史 IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)及工作原理

根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)景的電壓不同，IGBT有超低壓、低壓、中壓和高壓等類型，其中新能源汽車、工業(yè)控制、家用電器等使用的IGBT以中壓為主，而軌道交通、新能源發(fā)電和...

2023-04-04 標(biāo)簽：智能電網(wǎng)IGBT 功率半導(dǎo)體 2996 0

用于電力電子器件的柵極驅(qū)動(dòng)器

柵極驅(qū)動(dòng)器是一種功率放大器，它接受來(lái)自控制器IC的低功耗輸入，并為功率器件產(chǎn)生適當(dāng)?shù)母唠娏鳀艠O驅(qū)動(dòng)。隨著對(duì)電力電子器件的要求不斷提高，柵極驅(qū)動(dòng)器電路的設(shè)...

2023-03-23 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管電力電子 1142 0

IGBT功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試解決方案

IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是電力控制和電力轉(zhuǎn)換的核心器件，是由BJT（雙極型晶體管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體...

2023-03-22 標(biāo)簽：IGBT 晶體管參數(shù) 6540 0

GT30J65MRB東芝分立IGBT將大幅提高空調(diào)和工業(yè)設(shè)備的效率

GT30J65MRB用于空調(diào)和工業(yè)設(shè)備大型電源的功率因數(shù)校正（PFC）電路[1]的650V分立IGBT。功率半導(dǎo)體器件經(jīng)過(guò)業(yè)界驗(yàn)證，對(duì)于節(jié)能工作意義重...

2023-03-16 標(biāo)簽：電源東芝變頻器 1134 0

深度解讀功率半導(dǎo)體整體框架

二極管是最簡(jiǎn)單的功率器件，只允許電流在一個(gè)斱向上流動(dòng) 。二極管的作用相當(dāng)于電流的開(kāi)關(guān)，常用作整流器，將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)，廣泛應(yīng)用于功率轉(zhuǎn)換，無(wú)...

2023-03-07 標(biāo)簽：二極管整流器 MOS管 1052 0

IGBT 的結(jié)構(gòu)及主要參數(shù)

　　IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的縮寫(xiě)，翻譯為絕緣柵雙極晶體管，是一種高性能功率半導(dǎo)體器件。它結(jié)合了MO...

2023-02-28 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 晶體管 4057 0

IGBT主要參數(shù)與應(yīng)用特點(diǎn)

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種雙極性功率半導(dǎo)體器件，由BJT（雙極型三極管）和MOS管復(fù)合而成，兼...

2023-02-26 標(biāo)簽：MOS管 IGBT 功率半導(dǎo)體 1.2萬(wàn) 0

IGBT的損耗與結(jié)溫計(jì)算

【導(dǎo)讀】與大多數(shù)功率半導(dǎo)體相比，IGBT 通常需要更復(fù)雜的一組計(jì)算來(lái)確定芯片溫度。這是因?yàn)榇蠖鄶?shù) IGBT 都采用一體式封裝，同一封裝中同時(shí)包含 IG...

2023-02-24 標(biāo)簽：芯片二極管 IGBT 1286 0

功率半導(dǎo)體分立器件怎么分類

按照器件的導(dǎo)通類型分類：功率半導(dǎo)體分立器件可以分為開(kāi)關(guān)型和線性型兩類。開(kāi)關(guān)型器件通常用于電源開(kāi)關(guān)、電機(jī)控制等領(lǐng)域，能夠?qū)崿F(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換；線性型器件則適...

2023-02-24 標(biāo)簽：電流分立器件功率半導(dǎo)體 1282 0

功率半導(dǎo)體分立器件包括哪些？

功率半導(dǎo)體大致可分為功率半導(dǎo)體分立器件（Power Discrete，包括功率模塊）和功率半導(dǎo)體集成電路（Power IC）兩大類，在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的結(jié)構(gòu)...

2023-02-24 標(biāo)簽：集成電路分立器件功率半導(dǎo)體 6643 0

功率半導(dǎo)體分立器件工藝流程

功率半導(dǎo)體分立器件的主要工藝流程包括：在硅圓片上加工芯片（主要流程為薄膜制造、曝光和刻蝕），進(jìn)行芯片封裝，對(duì)加工完畢的芯片進(jìn)行技術(shù)性能指標(biāo)測(cè)試，其中主要...

2023-02-24 標(biāo)簽：芯片分立器件功率半導(dǎo)體 5395 0

功率二極管的工作原理及結(jié)構(gòu)

　　功率半導(dǎo)體二極管，簡(jiǎn)稱為功率二極管，與其較小的結(jié)構(gòu)信號(hào)二極管相比具有更大的PN結(jié)面積，從而實(shí)現(xiàn)高達(dá)數(shù)百安培(KA)的高正向電流能力和高達(dá)數(shù)百安培的反...

2023-02-23 標(biāo)簽：二極管功率二極管整流器 3525 0

IGBT功率半導(dǎo)體的主要引用領(lǐng)域有哪些？

可控硅：能夠被低功率的控制信號(hào)打開(kāi)，但只能由主電路（功率電路）自身來(lái)關(guān)斷而不能被控制信號(hào)關(guān)斷，因此又被稱為半可控開(kāi)關(guān)。

2023-02-23 標(biāo)簽：變壓器 IGBT 功率半導(dǎo)體 4784 0

IGBT的等效電路

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管...

2023-02-22 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 功率半導(dǎo)體 8463 0

IGBT功率模塊的發(fā)展趨勢(shì)

功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等，是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心。功率半導(dǎo)體器件種...

2023-02-22 標(biāo)簽：功率模塊功率半導(dǎo)體電路控制 964 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無(wú)線供電

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無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
寧德時(shí)代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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國(guó)際無(wú)線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚(yú)臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開(kāi)發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
USB-PD

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PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
醫(yī)療電源

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DCDC電源

DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
共享充電寶

共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
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時(shí)鐘	時(shí)鐘振蕩器	時(shí)鐘發(fā)生器	時(shí)鐘緩沖器	定時(shí)器	寄存器	實(shí)時(shí)時(shí)鐘	PWM 調(diào)制器
視頻放大器	功率放大器	頻率轉(zhuǎn)換器	揚(yáng)聲器放大器	音頻轉(zhuǎn)換器	音頻開(kāi)關(guān)	音頻接口	音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器	數(shù)模轉(zhuǎn)換器	數(shù)字電位器	觸摸屏控制器	AFE	ADC	DAC	電源管理
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