與SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件，因而引起了極大關(guān)注。契機源于日本信息通信研究機構(gòu)等的研究小組開發(fā)出的β-Ga2O3晶體管。下面請這
2012-04-18 08:47:12
9628 
本文針對當前及下一代電力電子領(lǐng)域中市售的碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）晶體管進行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性及結(jié)構(gòu)差異?；趯κ惺?b class="flag-6" style="color: red">GaN與SiC功率晶體管的分析，描述了這些技術(shù)的現(xiàn)狀，重點闡述了各技術(shù)平臺的首選功率變換拓撲及關(guān)鍵特性。
2025-05-15 15:28:571760 
作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個極限，而此時以SiC和GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過一段時間的積累也正在變得很普及。
2020-09-11 10:51:1013830 
超結(jié)（SJ）硅MOSFET自1990年代后期首次商業(yè)化用于功率器件應(yīng)用領(lǐng)域以來，在400–900V功率轉(zhuǎn)換電壓范圍內(nèi)取得了巨大成功。參考寬帶隙（WBG）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率器件，我們將在本文中重點介紹其一些性能特性和應(yīng)用空間。
2023-06-08 09:33:245619 
10 月 25 日，英飛凌科技股份公司今日宣布完成收購氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN Systems，以下同）。這家總部位于加拿大渥太華的公司，為英飛凌帶來了豐富的氮化鎵 (GaN) 功率轉(zhuǎn)換解決方案
2023-10-25 11:38:30794 
氮氧化鎵(Gallium Oxynitride，GaOxNy)是一種介于晶態(tài)與非晶態(tài)之間的化合物。其物化性質(zhì)可通過調(diào)控制備條件在氮化鎵(GaN)與氧化鎵(Ga2O3)之間連續(xù)調(diào)整，兼具寬禁帶半導(dǎo)體特性與靈活的功能可設(shè)計性，因此在功率電子、紫外光電器件及光電催化等領(lǐng)域展現(xiàn)出獨特優(yōu)勢。
2025-05-23 16:33:201474 
全球范圍內(nèi)5G技術(shù)的迅猛發(fā)展，為氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商提供新的增長前景。2020年，GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場規(guī)模為7億美元，預(yù)計2021年至2027年的復(fù)合年增長率將
2021-05-21 14:57:182771 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）在我們談?wù)摰谌雽?dǎo)體的時候，常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:366224 來源 華西證券編輯：智東西內(nèi)參作者：吳吉森等隨著 5G、IoT 物聯(lián)網(wǎng)時代的來臨，以砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為代表的化合物半導(dǎo)體市場有望快速崛起。其中，Ga...
2021-08-31 06:32:26
。砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）半導(dǎo)體分別作為第二代和第三代半導(dǎo)體的代表，相比第一代半導(dǎo)體高頻性能、高溫性能優(yōu)異很多，制造成本更為高昂，可謂是半導(dǎo)體中的新貴。三大化合物半導(dǎo)體材料
2019-05-06 10:04:10
水平。2022年12月，銘鎵半導(dǎo)體完成了4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)突破，成為國內(nèi)首個掌握第四代半導(dǎo)體氧化鎵材料4英寸（001）相單晶襯底生長技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化公司。2022年5月，浙大杭州科創(chuàng)中心首次采用新技術(shù)
2023-03-15 11:09:59
和GaN的特性比較 氧化鎵（GaO）是另一種帶隙較寬的半導(dǎo)體材料，GaO的導(dǎo)熱性較差，但其帶隙（約4.8 eV）超過SiC，GaN和Si，但是，GaO在成為主要動力之前將需要更多的研發(fā)工作。系統(tǒng)參與者
2022-08-12 09:42:07
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體的新型高效率、超快速功率轉(zhuǎn)換器已經(jīng)開始在各種創(chuàng)新市場和應(yīng)用領(lǐng)域攻城略地——這類應(yīng)用包括太陽能光伏逆變器、能源存儲、車輛電氣化（如充電器
2019-07-31 06:16:52
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢
2021-03-10 08:26:03
新型和未來的 SiC/GaN 功率開關(guān)將會給方方面面帶來巨大進步，從新一代再生電力的大幅增加到電動汽車市場的迅速增長。其巨大的優(yōu)勢——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實現(xiàn)更緊
2018-10-30 11:48:08
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產(chǎn)品相比，這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術(shù)相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
用于無線基礎(chǔ)設(shè)施的半導(dǎo)體技術(shù)正在經(jīng)歷一場重大的變革，特別是功率放大器(PA)市場。橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管在功率放大器領(lǐng)域幾十年來的主導(dǎo)地位正在被氮化鎵(GaN)撼動，這將對無線
2017-08-30 10:51:37
多個方面都無法滿足要求。在基站端，由于對高功率的需求，氮化鎵（GaN）因其在耐高溫、優(yōu)異的高頻性能以及低導(dǎo)通損耗、高電流密度的物理特性，是目前最有希望的下一代通信基站功率放大器（PA）芯片材料。5G采用
2017-07-18 16:38:20
重要材料的濕法腐蝕，即氧化鋅、氮化鎵和碳化硅。雖然氧化鋅很容易在許多酸溶液中蝕刻，包括硝酸/鹽酸和氫氟酸/硝酸，在非酸性乙酰丙酮中，第三族氮化物和碳化硅很難濕法蝕刻，通常使用干法蝕刻。已經(jīng)研究了用于氮化
2021-10-14 11:48:31
氮化鎵(GaN)這種寬帶隙材料將引領(lǐng)射頻功率器件新發(fā)展并將砷化鎵(GaAs)和LDMOS(橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體)器件變成昨日黃花？看到一些媒體文章、研究論文、分析報告和企業(yè)宣傳文檔后你當然會這樣
2019-07-31 07:54:41
金屬有機物化學(xué)氣相淀積(MOCVD) 或分子束外延(MBE) 技術(shù)而制成。GaN-on-SiC 方法結(jié)合了GaN 的高功率密度功能與SiC 出色的導(dǎo)熱性和低射頻損耗。這就是GaN-on-SiC 成為高
2019-08-01 07:24:28
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因為它與傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比，不僅性能優(yōu)異，應(yīng)用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中，傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面，已經(jīng)達到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
v-1 s-1，是硅基晶體管的四分之一。低電子遷移率阻滯了透明晶體管的電流承載能力。目前，薄膜晶體管受限于低電流、低速率、且需高壓驅(qū)動。當務(wù)之急是找出能生產(chǎn)透明高性能器件的替代材料?！ √娲鷮?dǎo)電氧化
2020-11-27 16:30:52
（SiC）和氮化鎵（GaN）是功率半導(dǎo)體生產(chǎn)中采用的主要半導(dǎo)體材料。與硅相比，兩種材料中較低的本征載流子濃度有助于降低漏電流，從而可以提高半導(dǎo)體工作溫度。此外，SiC 的導(dǎo)熱性和 GaN 器件中穩(wěn)定的導(dǎo)通電
2023-02-21 16:01:16
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領(lǐng)先地位?！喝c半說』經(jīng)多方專家指點查證，特推出“氮化鎵系列”，告訴大家什么是氮化鎵（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
）以外新一代的半導(dǎo)體材料，也就成了一個重要方向。在這個過程中，近年來作為一個高頻詞匯，進入了人們的視野。[color=rgb(51, 51, 51) !important]GaN和SiC同屬于第三代高大禁
2019-07-08 04:20:32
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
導(dǎo)讀：將GaN FET與它們的驅(qū)動器集成在一起可以改進開關(guān)性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設(shè)計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而，當
2022-11-16 06:23:29
如何設(shè)計GaN氮化鎵 PD充電器產(chǎn)品？
2021-06-15 06:30:55
的機遇和挑戰(zhàn)等方面，為從事寬禁帶半導(dǎo)體材料、電力電子器件、封裝和電力電子應(yīng)用的專業(yè)人士和研究生提供了難得的學(xué)習和交流機會。誠摯歡迎大家的參與。1、活動主題寬禁帶半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用2
2017-07-11 14:06:55
的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵（GaN）等新技術(shù)有望大幅改進電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計到2030年，電力電子領(lǐng)域?qū)⒐芾泶蠹s80％的能源，而2005年這一比例僅為30％1。這相當于30億千瓦時以上
2020-11-03 08:59:19
能源并占用更小空間，所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術(shù)有望大幅改進電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計到2030年，電力電子領(lǐng)域?qū)⒐芾泶蠹s80%的能源，而2005年這一比例僅為30
2018-11-20 10:56:25
的代替材料就更加迫切。
氮化鎵（GaN）被稱為第三代半導(dǎo)體材料。相比硅，它的性能成倍提升，而且比硅更適合做大功率器件、體積更小、功率密度更大。氮化鎵芯片頻率遠高于硅，有效降低內(nèi)部變壓器等原件體積，同時優(yōu)秀
2025-01-15 16:41:14
的選擇和比較進行了分析。考慮了晶體管參數(shù)，如與時間相關(guān)的輸出有效電容（Co（tr））和關(guān)斷能量（Eoff）等，這會影響LLC轉(zhuǎn)換器的高性能成就。還分析了基于GaN、Si和SiC MOS的3KW 48V
2023-02-27 09:37:29
的數(shù)十億次的查詢，便可以獲得數(shù)十億千瓦時的能耗。
更有效地管理能源并占用更小空間，所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵（GaN）等新技術(shù)有望大幅改進電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計到2030年
2019-03-14 06:45:11
數(shù)據(jù)已證實，硅基氮化鎵符合嚴格的可靠性要求，其射頻性能和可靠性可媲美甚至超越昂貴的碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)替代技術(shù)。 硅基氮化鎵成為射頻半導(dǎo)體行業(yè)前沿技術(shù)之時正值商用無線基礎(chǔ)設(shè)施發(fā)展
2018-08-17 09:49:42
應(yīng)用看，未來非常廣泛且前景被看好。與圈內(nèi)某知名公司了解到，一旦國內(nèi)品牌誰先成功掌握這種技術(shù)，那它就會呈暴發(fā)式的增加。在Si材料已經(jīng)接近理論性能極限的今天，SiC功率器件因其高耐壓、低損耗、高效率等特性
2019-09-17 09:05:05
)。WBG 板載電動汽車充電器示意圖此外，這兩種寬帶隙化合物半導(dǎo)體(如氮化鎵和碳化硅)的所用材料晶體管據(jù)說具有很高的擊穿電壓，可以在高溫下工作。考慮到這一點，本文打算研究 GaN 和 SiC 晶體管之間
2022-06-15 11:43:25
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來，橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
5G將于2020年將邁入商用，加上汽車走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動化的趨勢，將帶動第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計，2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達1.8
2019-05-09 06:21:14
采用熱傳導(dǎo)率更優(yōu)的SiC做襯底，因此GaN功率器件具有較高的結(jié)溫，能在高溫環(huán)境下工作。不同材料體系射頻器件功率-頻率工作區(qū)間GaN將在高功率，高頻率射頻市場優(yōu)勢明顯相比于4G，5G的通信頻段往高頻波段
2019-04-13 22:28:48
(SiC)、氮鎵(GaN)為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs
2017-06-16 10:37:22
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
日本田村制作所與光波公司宣布，開發(fā)出了使用氧化鎵基板的GaN類LED元件，預(yù)計可在2011年度末上市該元件及氧化鎵(Ga2O3)基板
2011-03-29 11:39:291317 “功率半導(dǎo)體”多被用于轉(zhuǎn)換器及逆變器等電力轉(zhuǎn)換器進行電力控制。目前，功率半導(dǎo)體材料正迎來材料更新?lián)Q代，這些新材料就是SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵），二者的物理特性均優(yōu)
2012-07-02 11:18:331846 氮化鎵(GaN)技術(shù)超越硅 實現(xiàn)更高電源轉(zhuǎn)換效率——來自安森美半導(dǎo)體Onsemi
2015-12-23 11:06:20
28 1.GaN 功率管的發(fā)展微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應(yīng)管以及在移動通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅（SiC）、氮鎵（GaN） 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN材料
2017-11-09 11:54:529 5G將于2020年將邁入商用，加上汽車走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動化的趨勢，將帶動第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計，2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達1.8億美元，而GaN基板產(chǎn)值僅約3百萬美元。
2018-03-29 14:56:1236743 
雖然以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN) 為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料由于面臨專利、成本等問題放緩了擴張的步伐，但世易時移，新興市場為其應(yīng)用加速增添了新動能。
2018-07-19 09:47:206060 基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開關(guān)技術(shù)的出現(xiàn)促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技術(shù)的傳統(tǒng)系統(tǒng)。
2018-10-04 09:03:005391 
基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開關(guān)技術(shù)的出現(xiàn)促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技術(shù)的傳統(tǒng)系統(tǒng)。
2019-01-05 09:01:094604 
西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院周弘副教授總結(jié)了目前氧化鎵半導(dǎo)體功率器件的發(fā)展狀況。著重介紹了目前大尺寸襯底制備、高質(zhì)量外延層生長、高性能二極管以及場效應(yīng)晶體管的研制進展。同時對氧化鎵低熱導(dǎo)率特性的規(guī)避提供了可選擇的方案，對氧化鎵未來發(fā)展前景進行了展望。
2019-01-10 15:27:1017618 
關(guān)鍵詞：gan , SiC , 導(dǎo)通電阻 , 功率元件 , 氧化鎵 技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率元件.pdf(930.95 KB, 下載次數(shù): 5) 2012-4-21 09
2019-02-11 11:08:011450 
5G將于2020年將邁入商用，加上汽車走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動化的趨勢，將帶動第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達1.8億美元，而GaN基板產(chǎn)值
2020-03-15 09:56:575002 碳化硅（SiC）是最成熟的WBG寬帶隙半導(dǎo)體材料， 它已經(jīng)廣泛用于制造開關(guān)器件，例如MOSFET和晶閘管。氮化鎵（GaN）具有作為功率器件半導(dǎo)體的潛力，并且在射頻應(yīng)用中是對硅的重大改進。
2020-04-30 14:35:3113407 作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個極限，而此時以SiC和GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過一段時間的積累也正在變得很普及。所以，出現(xiàn)了以Si基器件為主導(dǎo)，SiC和GaN為"游擊"形式存在的局面。
2020-08-27 16:26:0013311 
從器件的角度來看， Ga 2 O 3 的Baliga品質(zhì)因子要比SiC高出二十倍。對于各種應(yīng)用來說，陶瓷氧化物的帶隙約為5eV，遠遠高于SiC和GaN的帶隙，后兩者都不到到3.5eV。因此，這種陶瓷氧化物器件可以承受比SiC或GaN器件更高的工作電壓，導(dǎo)通電阻也更低。
2020-10-12 15:58:035651 第三代半導(dǎo)體指以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鋅（ZnO）和金剛石為代表的化合物半導(dǎo)體，該類半導(dǎo)體材料禁帶寬度大于或等于2.2eV，因此也被稱為寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體材料。
2021-12-23 15:11:383438 氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)功率晶體管這兩種化合物半導(dǎo)體器件已作為方案出現(xiàn)。這些器件與長使用壽命的硅功率橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS) MOSFET和超級結(jié)MOSFET競爭。
2022-04-01 11:05:195310 FLOSFIA 的氧化鎵功率器件使用一種稱為α-Ga2O3的材料。氧化鎵具有不同晶形的β-Ga2O3，結(jié)構(gòu)更穩(wěn)定。然而，由于α型在帶隙等特性方面優(yōu)越（Si的帶隙值(eV) 為1.1，SiC為3.3， Ga2O3為5.3 。
2022-07-28 11:22:552411 在基本半導(dǎo)體特性（帶隙、臨界電場和電子遷移率）的材料比較中，GaN 被證明是一種優(yōu)異的材料。“Si 的帶隙略高于一個電子伏特，臨界電子場為 0.23 MV/cm，而 GaN 的電子遷移率和帶隙更寬
2022-08-03 08:04:294352 
氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC)。基于 GaN 和 SiC 的器件可以提供最新一代電源應(yīng)用所需的高性能。然而，它們極高的功率密度應(yīng)該得到適當?shù)墓芾?，這使得創(chuàng)新的熱管理技術(shù)成為一個需要考慮的關(guān)鍵方面。
2022-08-03 08:04:572305 
氮化鎵是一種寬能隙材料，它能夠提供與碳化硅（SiC）相似的性能優(yōu)勢，但降低成本的可能性卻更大。業(yè)界認為，在未來數(shù)年間，氮化鎵功率器件的成本可望壓低到和硅MOSFET、IGBT及整流器同等價格。
2022-11-04 09:14:2312593 
傳統(tǒng)上，半導(dǎo)體生產(chǎn)中最常用的材料是硅（Si），因為它豐富且價格合理。但是，半導(dǎo)體制造商可以使用許多其他材料。此外，它們中的大多數(shù)還提供額外的好處，例如碳化硅（SiC）、砷化鎵（GaAs）和氮化鎵
2022-12-13 10:00:083919 β-Ga2O3相對較低的遷移率使其能夠表現(xiàn)出比SiC和GaN更好的性能。從熔體中生長的材料的特性使得以低于塊狀氮化鎵、碳化硅和金剛石的成本制造高質(zhì)量晶體成為可能。
2023-01-03 11:03:142886 氮化鎵用途和性質(zhì) 第三代半導(dǎo)體材料以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鋅（ZnO）、金剛石為代表，是5G時代的主要材料，其中氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）的市場和發(fā)展空間最大。 氮化鎵作為
2023-02-03 14:38:463001 氮化鎵（氮化鎵）是一種半導(dǎo)體材料，是一種用于制造光電子器件的高性能晶體。它的優(yōu)點是可以提供高功率、低成本、高性能和高可靠性的系統(tǒng)。與硅基解決方案相比，GaN晶體管和集成電路提供了高的電子遷移率
2023-02-13 16:28:176711 氮化鎵（GaN）是一種非常堅硬且在機械方面非常穩(wěn)定的寬帶隙半導(dǎo)體材料。由于具有更高的擊穿強度、更快的開關(guān)速度，更高的熱導(dǎo)率和更低的導(dǎo)通電
阻，氮化鎵基功率器件明顯比硅基器件更優(yōu)越。
氮化鎵晶體
2023-02-15 16:19:060 氮化鎵 (GaN) 是一種半導(dǎo)體材料，因其卓越的性能而越來越受歡迎。與傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體不同，GaN 具有更寬的帶隙，這使其成為高頻和大功率應(yīng)用的理想選擇。
2023-03-03 10:14:391395 近年來，以SiC（SiC）、氮化鎵（GaN）等材料為代表的化合物半導(dǎo)體因其寬禁帶、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等優(yōu)異的性能而飽受關(guān)注。
2023-03-28 10:00:304158 由于 GaN 具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢，GaN 充電器的運行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100 倍。GaN 在電力電子領(lǐng)域主要優(yōu)勢在于高效率、低損耗與高頻率，GaN 材料的這一特性令其在充電器行業(yè)大放異彩。
2023-04-25 15:08:216119 
對于 GaN，中文名氮化鎵，我們實在是聽得太多了。
2023-06-12 10:17:174815 
SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)，因為將這些材料的電子從價帶炸毀到導(dǎo)帶所需的能量：而在硅的情況下，該能量為1.1eV，SiC（碳化硅）為3.3eV，GaN（氮化鎵）為3.4eV。這導(dǎo)致了更高的適用擊穿電壓，在某些應(yīng)用中可以達到1200-1700V。
2023-08-09 10:23:392004 
調(diào)查結(jié)果顯示，SiC、GaN（氮化鎵）等寬帶隙半導(dǎo)體單晶主要用于功率半導(dǎo)體器件，市場正在穩(wěn)步擴大。
2023-09-04 15:13:241214 
近年來，氧化鎵（Ga2O3）半導(dǎo)體受到世界各國科研和產(chǎn)業(yè)界的普遍關(guān)注。氧化鎵具有4.9 eV的超寬禁帶，高于第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）的3.2 eV和氮化鎵（GaN）的3.39 eV。
2023-09-11 10:24:441442 
設(shè)計人員正在尋求先進技術(shù)，從基于硅的解決方案轉(zhuǎn)向使用碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 等寬帶隙 (WBG) 材料的功率半導(dǎo)體技術(shù)，從而在創(chuàng)新方面邁出下一步。他們尋求用于電動汽車 (EV) 的功率密度更高、效率更高的電路。
2023-11-12 11:30:002333 
氮化鎵半導(dǎo)體并不屬于金屬材料，它屬于半導(dǎo)體材料。為了滿足你的要求，我將詳細介紹氮化鎵半導(dǎo)體的性質(zhì)、制備方法、應(yīng)用領(lǐng)域以及未來發(fā)展方向等方面的內(nèi)容。 氮化鎵半導(dǎo)體的性質(zhì) 氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶
2024-01-10 09:27:324486 北京順義園內(nèi)的北京銘鎵半導(dǎo)體有限公司在超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵材料的開發(fā)及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)化方面取得了顯著進展，其技術(shù)已領(lǐng)先國際同類產(chǎn)品標準。
2024-06-05 10:49:071852 超寬帶隙(UWBG)半導(dǎo)體相比si和寬帶隙材料如SiC和GaN具有更優(yōu)越的固有材料特性。在不同的UWBG材料中，氧化鎵正逐漸展現(xiàn)出其在高壓電力電子領(lǐng)域的未來應(yīng)用潛力。本文總結(jié)了氧化鎵材料的一些固有
2024-06-18 11:12:311583 
本文要點氮化鎵是一種晶體半導(dǎo)體，能夠承受更高的電壓。氮化鎵器件的開關(guān)速度更快、熱導(dǎo)率更高、導(dǎo)通電阻更低且擊穿強度更高。氮化鎵技術(shù)可實現(xiàn)高功率密度和更小的磁性。氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)是兩種
2024-07-06 08:13:181988 
的性能提升提供了強大動力。而現(xiàn)今，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，作為第三代半導(dǎo)體材料，正因其優(yōu)異的性能而備受矚目，其中碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的發(fā)展尤為成熟。
2024-08-21 10:01:201665 
SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)。由于使用的生產(chǎn)工藝，WBG設(shè)備顯示出以下優(yōu)點：1.寬帶隙半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）在帶隙和擊穿場方面相對相似。氮化鎵的帶隙為3.2eV
2024-09-16 08:02:252050 
氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)是寬禁帶(WBG)半導(dǎo)體材料，由于其獨特性，使其在提高電子設(shè)備的效率和性能方面起著至關(guān)重要的作用，特別是在DC/DC轉(zhuǎn)換器和DC/AC逆變器領(lǐng)域。
2024-11-20 16:21:412094 
650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:431780 
器件的性能，使充電頭在體積、效率、功率密度等方面實現(xiàn)突破，成為快充技術(shù)的核心載體。氮化鎵充電頭的核心優(yōu)勢：1.體積更小，功率密度更高材料特性：GaN的電子遷移率比硅
2025-02-26 04:26:491184 器件的性能，使充電頭在體積、效率、功率密度等方面實現(xiàn)突破，成為快充技術(shù)的核心載體。氮化鎵充電頭的核心優(yōu)勢：1.體積更小，功率密度更高材料特性：GaN的電子遷移率比硅
2025-02-27 07:20:334534 的逆變器則主要采用了SiC。 ? 但近年來GaN開始向著全功率市場擴展，甚至朝著SiC的光儲、家電等優(yōu)勢領(lǐng)域進發(fā)，這或許意味著GaN將改變當前功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的競爭格局。 ? GaN 增速開始超越SiC ? 同為第三代半導(dǎo)體材料，GaN與SiC其實各有優(yōu)勢，并且正
2024-07-04 00:10:009580
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