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標(biāo)簽 > 功率半導(dǎo)體
功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件,是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ),也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。
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1940年貝爾實(shí)驗(yàn)室在研究雷達(dá)探測(cè)整流器時(shí),發(fā)現(xiàn)硅存在PN結(jié)效應(yīng),1958年美國(guó)通用電氣(GE)公司研發(fā)出世界上第一個(gè)工業(yè)用普通晶閘管,標(biāo)志著電力電子技...
陶瓷覆基板是影響模塊長(zhǎng)期使用的關(guān)鍵部分之一,IGBT模塊封裝中所產(chǎn)生的熱量主要是經(jīng)陶瓷覆銅板傳到散熱板最終傳導(dǎo)出去。陶瓷基板材料的性能是陶瓷覆銅板性能的...
2023-04-17 標(biāo)簽:IGBT功率半導(dǎo)體熱導(dǎo)率 1488 0
請(qǐng)問DIPIPM?的特殊應(yīng)用都有哪些呢?有哪些注意事項(xiàng)?
應(yīng)該很多用戶都注意到了,目前的DIPIPM都是3相橋電路。如果我只需要兩個(gè)橋臂做一個(gè)H橋的電源,應(yīng)該怎么弄呢?今天我們就來聊聊這個(gè)問題。
2023-08-11 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器仿真器IGBT 1485 0
MOSFET,具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、制造工藝簡(jiǎn)單和輻射強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),通常被用于放大電路或開關(guān)電路。MOSFET 按照不同的工藝可分為平面型Pl...
2023-08-28 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體功率電子 1455 0
如何提升車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體熱性能可靠性?
作為一款專門針對(duì)電子器件/設(shè)備熱設(shè)計(jì)而開發(fā)的仿真軟件,F(xiàn)loTHERM可以實(shí)現(xiàn)從元器件級(jí)、PCB板和模塊級(jí)、系統(tǒng)整機(jī)級(jí)到環(huán)境級(jí)的熱分析。FloTHERM...
2023-06-09 標(biāo)簽:CAD仿真軟件功率半導(dǎo)體 1420 0
寬禁帶半導(dǎo)體作為第三代半導(dǎo)體功率器件,在電源處理器中充當(dāng)了越來越重要的角色。其具有能量密度高、工作頻率高、操作溫度高等先天優(yōu)勢(shì),成為各種電源或電源模塊的...
2024-08-06 標(biāo)簽:處理器功率半導(dǎo)體是德科技 1387 0
B1506A功率器件分析儀在車規(guī)級(jí)大功率半導(dǎo)體測(cè)試中的應(yīng)用
“降價(jià)了降價(jià)了?。?!某某汽車又降價(jià)了,最近的汽車交易市場(chǎng)價(jià)格戰(zhàn)打的火熱啊,趕緊抓住機(jī)會(huì),搞一輛新車,到底是買傳統(tǒng)車還是新能源呢?別急,我們講一下新能源新在哪里。
超結(jié)MOSFET的結(jié)構(gòu)和優(yōu)勢(shì)
在我們進(jìn)入超結(jié)MOSFET的細(xì)節(jié)之前,我們先了解一些背景知識(shí)。
2024-10-15 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源MOS管 1354 0
基于功率半導(dǎo)體器件在風(fēng)力渦輪發(fā)電機(jī)中的應(yīng)用研究
先驅(qū)者們?cè)诙啻蟪潭壬辖鉀Q了困擾今天設(shè)計(jì)師的諸多問題,對(duì)此作出正確的估計(jì)是有益的。在這些問題中,最大的要數(shù)能量供給的可變性。普通的蒸汽渦輪機(jī)發(fā)電廠都用四個(gè)...
2020-04-28 標(biāo)簽:電網(wǎng)發(fā)電機(jī)功率半導(dǎo)體 1349 0
DIPIPM是雙列直插型智能功率模塊的簡(jiǎn)稱,由三菱電機(jī)于1997年正式推向市場(chǎng),迄今已在家電、工業(yè)和汽車空調(diào)等領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用。本講座主要介紹DIPIP...
2023-04-14 標(biāo)簽:pcb驅(qū)動(dòng)電路功率模塊 1336 0
實(shí)施雙脈沖測(cè)試,不僅能精確測(cè)量功率設(shè)備的開關(guān)特性和損耗,而且能進(jìn)一步優(yōu)化電力轉(zhuǎn)換過程。通過Tektronix 4B/5B/6B 系列 MSO 上的WBG...
2024-07-03 標(biāo)簽:示波器泰克功率半導(dǎo)體 1324 0
中國(guó)功率器件大市場(chǎng)分析報(bào)告
國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體已在眾多領(lǐng)域應(yīng)用,特別是低端產(chǎn)品,如二極管、三極管、晶閘 管、低壓 MOSFET(非車規(guī))等,已初現(xiàn)“規(guī)模化效應(yīng)、國(guó)產(chǎn)化率相對(duì)較高”等特 點(diǎn)。
安森美M1 1200 V SiC MOSFET動(dòng)態(tài)特性分析
SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)中正迅速普及,因?yàn)樗畛醯囊恍┛煽啃詥栴}已得到解決,并且價(jià)位已達(dá)到非常有吸引力的水平。隨著市場(chǎng)上的器件越來越多,必...
【導(dǎo)讀】與大多數(shù)功率半導(dǎo)體相比,IGBT 通常需要更復(fù)雜的一組計(jì)算來確定芯片溫度。 這是因?yàn)榇蠖鄶?shù) IGBT 都采用一體式封裝,同一封裝中同時(shí)包含 IG...
功率半導(dǎo)體冷知識(shí):IGBT短路結(jié)溫和次數(shù)
功率半導(dǎo)體冷知識(shí):IGBT短路結(jié)溫和次數(shù)
2023-12-15 標(biāo)簽:IGBT浪涌功率半導(dǎo)體 1284 0
按照器件的導(dǎo)通類型分類:功率半導(dǎo)體分立器件可以分為開關(guān)型和線性型兩類。開關(guān)型器件通常用于電源開關(guān)、電機(jī)控制等領(lǐng)域,能夠?qū)崿F(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換;線性型器件則適...
2023-02-24 標(biāo)簽:電流分立器件功率半導(dǎo)體 1282 0
功率半導(dǎo)體分立器件的應(yīng)用十分廣泛,幾乎覆蓋了所有的電子制造業(yè),傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域包括消費(fèi)電子、網(wǎng)絡(luò)通信、工業(yè)電機(jī)等。近年來,新能源汽車及充電系統(tǒng)、軌道交通、智...
2023-05-26 標(biāo)簽:分立器件SiC功率半導(dǎo)體 1265 0
多種功率半導(dǎo)體在不同領(lǐng)域具有的優(yōu)勢(shì)
功率半導(dǎo)體器件是電力電子電路的重要組成部分,理想的功率半導(dǎo)體器件應(yīng)具有良好的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性,在截止?fàn)顟B(tài)下能夠承受高電壓和小泄漏電流。在接通狀態(tài)下,可...
2023-02-08 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 1234 0
安世半導(dǎo)體與三菱電機(jī)建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系
兩家公司宣布,安世半導(dǎo)體與三菱電機(jī)株式會(huì)社已建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,共同開發(fā)SiC MOSFET。為了滿足對(duì)高效分立功率半導(dǎo)體日益增長(zhǎng)的需求,并提高SiC...
2023-11-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體三菱電機(jī)功率半導(dǎo)體 1233 0
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