什么是分立器件呢？分立器件的“分立”一詞是相對集成電路而言的，分立器件是單一的一個器件，具有單一的基本功能，分立器件可以說是集成電路的“始祖”，第一個二極管出現(xiàn)于1947年，比最早的集成電路早大約10年時間。集成電路是將大量電子元件包括分立器件集成于一塊晶片上形成的，如果說集成電路是將成千上萬個PN結(jié)集成到一塊晶片上，而分立器件則只在晶片上形成一個或少量的PN結(jié)，實現(xiàn)一些相對簡單的功能。

功率半導體分立器件可以按照不同的分類標準進行分類，以下是常見的幾種分類方法：

按照器件的基本構(gòu)造分類：功率半導體分立器件可以分為二極管、三極管、四極管等幾類，其中二極管和三極管是最基本的功率器件，四極管相對較少使用。

按照器件的導通類型分類：功率半導體分立器件可以分為開關(guān)型和線性型兩類。開關(guān)型器件通常用于電源開關(guān)、電機控制等領(lǐng)域，能夠?qū)崿F(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換；線性型器件則適用于需要進行精確控制的場合，例如電壓調(diào)節(jié)、電流調(diào)節(jié)等。

按照器件的應用領(lǐng)域分類：功率半導體分立器件可以根據(jù)其在不同領(lǐng)域的應用情況進行分類。例如，IGBT適用于高壓、高頻電源開關(guān)、電機驅(qū)動、變頻器等領(lǐng)域；可控硅和晶閘管則廣泛應用于電源開關(guān)、電機控制、交流電源調(diào)節(jié)等領(lǐng)域。

按照器件的工作溫度范圍分類：功率半導體分立器件可以分為低溫器件、常溫器件和高溫器件。低溫器件適用于0℃至70℃的環(huán)境，常溫器件適用于-40℃至125℃的環(huán)境，而高溫器件適用于125℃以上的高溫環(huán)境。

根據(jù)不同的分類標準，功率半導體分立器件可以被歸類到不同的類別中，這有助于人們根據(jù)具體的應用需求選擇合適的器件。

按照器件結(jié)構(gòu)，分為二極管、功率晶體管、晶閘管等，其中功率晶體管分為雙極性結(jié)型晶體管（BJT）、結(jié)型場效應晶體管（JFET）、金屬氧化物場效應晶體管（MOSFET）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等。

按照功率處理能力，分為低壓小功率半導體分立器件、中功率半導體分立器件、大功率半導體分立器件和高壓特大功率半導體分立器件。

按照驅(qū)動電路加在器件控制端和公共端之間信號的性質(zhì)， （除功率二極管外）可分為電流驅(qū)動型與電壓驅(qū)動型。

電流驅(qū)動型：通過從控制端注入或抽出電流實現(xiàn)其關(guān)斷的功率半導體分立器件。

電壓驅(qū)動型：通過在控制端和公共端之間施加一定的電壓信號實現(xiàn)導通或關(guān)斷的功率半導體器件。

按照控制電路信號對器件的控制程度，可分為不可控型、半控型和全控型。

不可控器件：不能通過控制信號來控制其通斷的功率半導體分立器件，代表器件為功率二極管；

半控器件：通過控制信號能夠控制其導通而不能控制其關(guān)斷的功率半導體分立器件，代表器件為晶閘管及其大部分派生器件；

全控器件：通過控制信號既能夠控制其導通，又能夠控制其關(guān)斷的功率半導體分立器件，代表器件有絕緣柵雙極晶體管、功率場效應晶體管、門極可關(guān)斷晶閘管等；

按照器件內(nèi)部電子和空穴兩種載流子參與導電的情況，可分為單極型器件、雙極型器件和復合型器件。

單極型器件：有一種載流子（電子或空穴）參與導電的功率半導體分立器件；

雙極型器件：由電子和空穴兩種載流子參與導電的功率半導體分立器件；

復合型器件：由單極型器件和雙極型器件集成混合而成的功率半導體分立器件；

按照功率半導體器件襯底材料的不同，現(xiàn)有的功率半導體分立器件的材料可分為三代：

第一代半導體材料主要是以鍺（早期產(chǎn)品，現(xiàn)已不常見）和硅為代表。

第二代半導體材料主要是以砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）為代表的化合物半導體材料。

第三代半導體材料主要是以即碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導體材料。