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標(biāo)簽 > 功率半導(dǎo)體
功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件,是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ),也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。
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門極驅(qū)動(dòng)正壓對(duì)功率半導(dǎo)體性能的影響
對(duì)于半導(dǎo)體功率器件來說,門極電壓的取值對(duì)器件特性影響很大。以前曾經(jīng)聊過門極負(fù)壓對(duì)器件開關(guān)特性的影響,而今天我們來一起看看門極正電壓對(duì)器件的影響。文章將會(huì)...
2024-05-11 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 646 0
如何用新思科技的PDW解決功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)面臨的挑戰(zhàn)呢?
低功耗是當(dāng)今芯片設(shè)計(jì)的核心,電動(dòng)汽車(EV)、可再生能源、云計(jì)算和移動(dòng)領(lǐng)域的應(yīng)用尤其重視這一點(diǎn)。
2024-04-25 標(biāo)簽:集成電路電源管理芯片設(shè)計(jì) 1104 0
隨著功率半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,三電平拓?fù)鋸V泛應(yīng)用在光伏逆變器,儲(chǔ)能PCS和UPS等各種系統(tǒng)中。在設(shè)計(jì)中,追求的重要目標(biāo)是功率密度和性價(jià)比,充分挖掘逆變器的潛...
2024-04-24 標(biāo)簽:逆變器DPWM功率半導(dǎo)體 3643 0
在初設(shè)計(jì)階段,首先要考慮開關(guān)電源的一些主要參數(shù),這有助于設(shè)計(jì)者確 定自己所選的拓?fù)涫欠裾_,也便于提前預(yù)定實(shí)驗(yàn)板所需的元器件。同時(shí)可以知 道接下來的設(shè)...
2024-05-03 標(biāo)簽:開關(guān)電源元器件功率半導(dǎo)體 503 0
我們知道與大多數(shù)人成長(zhǎng)過程中所乘坐的傳統(tǒng)汽車相比,今天的汽車更接近于輪子上的電子產(chǎn)品——盡管我們?cè)?jīng)對(duì)其引擎蓋下的內(nèi)部工作和控制感到驚嘆,但現(xiàn)代汽車已將...
2024-04-11 標(biāo)簽:功率二極管功率半導(dǎo)體SEPIC轉(zhuǎn)換器 945 0
淺析功率半導(dǎo)體IGBT及SiC技術(shù)的相關(guān)知識(shí)
電力電子技術(shù)在新能源汽車中應(yīng)用廣泛,是汽車動(dòng)力總成系統(tǒng)高效、快速、穩(wěn)定、安全能量變換的基礎(chǔ)。
FLOEFD T3STER自動(dòng)校準(zhǔn)模塊—提高電子產(chǎn)品散熱設(shè)計(jì)的準(zhǔn)確性
西門子工業(yè)數(shù)字軟件FLOEFD T3STER 自動(dòng)校準(zhǔn)模塊——提高電子產(chǎn)品散熱設(shè)計(jì)的準(zhǔn)確性
門極可關(guān)斷晶閘管(GTO) 和可控硅 (SCR) 的區(qū)別淺析
可控硅(SCR)和門極可關(guān)斷晶閘管(GTO)都是大功率半導(dǎo)體開關(guān)器件,廣泛應(yīng)用于電力控制和電力轉(zhuǎn)換領(lǐng)域。
碳化硅功率半導(dǎo)體生產(chǎn)流程主要包括前道的晶圓加工,包括長(zhǎng)晶、切割、研磨拋光、沉積外延;第二部分芯片加工,這部分跟硅基IGBT類似。
2024-01-25 標(biāo)簽:晶圓功率半導(dǎo)體碳化硅 1508 0
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種功率半導(dǎo)體器件,結(jié)合了絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和雙極型晶體...
2024-01-22 標(biāo)簽:IGBT場(chǎng)效應(yīng)晶體管工業(yè)控制 1588 0
IGCT 可以由柵極信號(hào)控制導(dǎo)通和關(guān)斷,與GTO 晶閘管相比具有較低的傳導(dǎo)損耗,并能承受更高的電壓上升速率,使得其在大多數(shù)應(yīng)用上不需要緩沖器。?
2024-01-18 標(biāo)簽:晶閘管電動(dòng)機(jī)逆變器 945 0
作為半導(dǎo)體技術(shù)的一個(gè)重要分支,主要是指那些能夠處理高電壓、大電流的半導(dǎo)體器件。它們?cè)陔娏ο到y(tǒng)中扮演著關(guān)鍵角色,負(fù)責(zé)電能的轉(zhuǎn)換、調(diào)節(jié)與控制。功率半導(dǎo)體的出...
變頻器風(fēng)扇不轉(zhuǎn)會(huì)不會(huì)影響變頻器?
嚴(yán)重影響變頻器的正常運(yùn)行。逆變器的核心器件都是IGBT功率半導(dǎo)體開關(guān)元件。
2024-01-11 標(biāo)簽:變頻器IGBT功率半導(dǎo)體 1739 0
igbt內(nèi)部結(jié)構(gòu)及工作原理分析
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,具有MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的高輸入阻抗和GTR(大功率晶體管)的低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點(diǎn)...
2024-01-10 標(biāo)簽:IGBT晶體管功率半導(dǎo)體 2692 0
功率半導(dǎo)體是一類特殊的半導(dǎo)體器件,具有高電壓、大電流和高溫等特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于電力電子、電力系統(tǒng)、新能源等領(lǐng)域。本文將對(duì)功率半導(dǎo)體的原理和功能進(jìn)行詳細(xì)介紹...
2024-01-09 標(biāo)簽:PN開關(guān)控制功率半導(dǎo)體 1924 0
功率模塊銅線鍵合工藝參數(shù)優(yōu)化設(shè)計(jì)方案
為了提高功率模塊銅線鍵合性能,采用6因素5水平的正交試驗(yàn)方法,結(jié)合BP(Back Propaga‐tion)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)與遺傳算法,提出了一種銅線鍵合工藝參...
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