PWM控制型IGBT的EMI工程估算與基本原理分析

PWM控制型IGBT工作在斬波模式，使得IGBT本身自帶干擾源屬性，自擾與互擾系統(tǒng)中的其他設(shè)備。

2023-09-08 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器IGBTPWM控制器 2274 0

IGBT模塊的全銅工藝技術(shù)介紹

絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Translator, IGBT）是電氣化軌道交通裝備中負(fù)責(zé)電能轉(zhuǎn)換的核心部件。高壓大...

2023-09-07 標(biāo)簽：IGBT晶體管制造工藝 2796 0

浩寶推出IGBT功率半導(dǎo)體無(wú)空洞、高可靠真空焊接設(shè)備

隨著全球新能源的發(fā)展，功率半導(dǎo)體行業(yè)正在快速發(fā)展。IGBT功率模塊在封裝焊接時(shí)有著低空洞率、高可靠性、消除氧化、高效生產(chǎn)等需求

2023-09-01 標(biāo)簽：MOSFETIGBTLED封裝 8669 0

一鏡到底看懂功率半導(dǎo)體

MOSFET，具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、制造工藝簡(jiǎn)單和輻射強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，通常被用于放大電路或開(kāi)關(guān)電路。MOSFET 按照不同的工藝可分為平面型Pl...

2023-08-28 標(biāo)簽：MOSFET功率半導(dǎo)體功率電子 1453 0

功率半導(dǎo)體迎來(lái)SiC時(shí)代？碳化硅（SiC）的需求快速增長(zhǎng)

在新能源汽車終端市場(chǎng)中，隨著SiC材料價(jià)格下降，碳化硅（SiC）的需求快速增長(zhǎng)，來(lái)自于車載充電、驅(qū)動(dòng)逆變和DC-DC轉(zhuǎn)換。

2023-08-27 標(biāo)簽：新能源汽車DC-DC轉(zhuǎn)換器IGBT 3527 0

現(xiàn)代起亞電動(dòng)汽車ICCU故障分析

EMP平臺(tái)的電動(dòng)汽車動(dòng)力喪失事件與車輛的ICC（集成控制充電單元）故障之間存在明顯的關(guān)聯(lián)，ICCU負(fù)責(zé)為HV（高電壓）電池和LV（低電壓）12V電池供電...

2023-08-25 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車MOSFET晶體管 707 0

到底什么是功率半導(dǎo)體？

在功率分立器件銷售 2017 年占比中，MOSFET 占比最高，約占 31%，其次是二極管/整流橋占比約 29%，晶閘管和 BJT 等占分立器件約 21...

2023-08-16 標(biāo)簽：芯片分立器件功率半導(dǎo)體 1563 0

請(qǐng)問(wèn)DIPIPM?的特殊應(yīng)用都有哪些呢？有哪些注意事項(xiàng)？

應(yīng)該很多用戶都注意到了，目前的DIPIPM都是3相橋電路。如果我只需要兩個(gè)橋臂做一個(gè)H橋的電源，應(yīng)該怎么弄呢？今天我們就來(lái)聊聊這個(gè)問(wèn)題。

2023-08-11 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器仿真器IGBT 1477 0

功率半導(dǎo)體在光伏領(lǐng)域的應(yīng)用

光伏逆變器按技術(shù)路線及功率水平可分為集中式、組串式和微型逆變器等。

2023-08-10 標(biāo)簽：二極管MOSFET逆變器 2257 0

Si基GaN功率器件制備技術(shù)與集成

寬禁帶半導(dǎo)體GaN能夠在更高電壓、更高頻率以及更高的溫度下工作，在高效功率轉(zhuǎn)換，射頻功放，以及極端環(huán)境電子應(yīng)用方面具有優(yōu)異的材料優(yōu)勢(shì)。

2023-08-09 標(biāo)簽：MOSFET功率半導(dǎo)體碳化硅 1132 0

氧化鎵的電子態(tài)缺陷研究

近日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用論壇”于西安召開(kāi)。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)...

2023-08-09 標(biāo)簽：二極管晶體管功率半導(dǎo)體 1131 0

功率半導(dǎo)體的定義和分類 功率器件的應(yīng)用

功率半導(dǎo)體，又稱電力電子器件或功率電子器件，是電子產(chǎn)業(yè)鏈中最核心的一類器件之一。能夠?qū)崿F(xiàn)電能轉(zhuǎn)換和電路控制，在電路中主要起著功率轉(zhuǎn)換、功率放大、功率開(kāi)關(guān)...

2023-07-27 標(biāo)簽：二極管MOSFET功率器件 4414 0

IGBT功率模塊的熱阻網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)和散熱系統(tǒng)設(shè)計(jì)研究

隨著絕緣柵雙極晶體管（IGBT ）向高功率和高集成度方向發(fā)展，在結(jié)構(gòu)和性能上有很大的改進(jìn)，熱產(chǎn)生問(wèn)題日益突出，對(duì)散熱的要求越來(lái)越高，IGBT 芯片是產(chǎn)生...

2023-07-27 標(biāo)簽：PCM散熱器IGBT 3494 0

直流電子負(fù)載的三種工作模式

摘要： 負(fù)載檢測(cè)是電源、通信、蓄電池、能源等領(lǐng)域的重要環(huán)節(jié)。傳統(tǒng)的測(cè)試電源負(fù)載常將電阻、電感、電容等進(jìn)行串并聯(lián)組合來(lái)模擬實(shí)際負(fù)載情況，這種方法的缺點(diǎn)是負(fù)...

2023-07-26 標(biāo)簽：放大器蓄電池功率半導(dǎo)體 1775 0

功率半導(dǎo)體的知識(shí)總結(jié)（MOSFET/IGBT/功率電子器件/半導(dǎo)體分立器件）

功率半導(dǎo)體包括功率半導(dǎo)體分立器件（含模塊）以及功率 IC 等。其中，功率半導(dǎo)體分立器件，按照器件結(jié)構(gòu)劃分，可分為二極管、晶閘管和晶體管等。

2023-07-26 標(biāo)簽：電力電子器件功率轉(zhuǎn)換功率開(kāi)關(guān) 9619 0

功率器件具體都要進(jìn)行哪些測(cè)試？

1940年，貝爾實(shí)驗(yàn)室在研究雷達(dá)探測(cè)整流器時(shí)，發(fā)現(xiàn)硅存在PN結(jié)效應(yīng)，1958年，美國(guó)通用電氣（GE）公司研發(fā)出世界上第一個(gè)工業(yè)用普通晶閘管，標(biāo)志著電力電...

2023-07-10 標(biāo)簽：整流器探測(cè)器晶閘管 2876 0

車規(guī)級(jí)IGBT功率模塊散熱基板技術(shù)

散熱基板是IGBT功率模塊的核心散熱功能結(jié)構(gòu)與通道，也是模塊中價(jià)值占比較高的重要部件，車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體模塊散熱基板必須具備良好的熱傳導(dǎo)性能、與芯片和覆銅...

2023-07-06 標(biāo)簽：IGBT功率模塊功率半導(dǎo)體 1811 0