功率器件（MOSFET/IGBT） 是開關(guān)電源最核心的器件同時也是最容易損壞的器件之一。在開關(guān)電源設(shè)計中，功率器件的測試至關(guān)重要，主要包括開關(guān)損耗測試，Vds peak電壓測試以及Vgs驅(qū)動波形測試
2025-05-14 09:03:01
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隨著技術(shù)的不斷進步，新型功率器件如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）因其優(yōu)異的性能被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。然而，這些器件在長期連續(xù)使用后會出現(xiàn)老化現(xiàn)象，導(dǎo)致性能退化。如何在短時間內(nèi)準(zhǔn)確評估這些器件的老化特性，成為行業(yè)關(guān)注的焦點。
2025-06-03 16:03:571450 
在使用功率計或者功率分析儀測試時，一般我們要求選擇合適的量程，這樣測量比較準(zhǔn)確，一般要求測量數(shù)值在量程的1/3到2/3左右，但有些時候，測試的數(shù)值只在量程的1/5甚至1/10左右，而數(shù)值卻顯示超量程，這一切都要從量程的本身規(guī)定來講。
2018-07-06 09:13:3116276 雙脈沖測試是表征功率半導(dǎo)體器件動態(tài)特性的重要手段，適用于各類功率器件，包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。
2022-10-12 15:32:583082 在當(dāng)今快速發(fā)展的電力電子技術(shù)領(lǐng)域，功率半導(dǎo)體器件的性能優(yōu)化至關(guān)重要。雙脈沖測試（DPT）作為一種關(guān)鍵的測試方法，為功率器件的動態(tài)行為評估提供了精準(zhǔn)的手段。本文將深入解析雙脈沖測試的原理、應(yīng)用及泰克科技在這一領(lǐng)域的先進解決方案，并介紹泰克專家高遠新書的相關(guān)內(nèi)容。
2025-06-05 11:37:571161 
輸出與測量能力，滿足最苛刻的功率器件靜態(tài)、動態(tài)參數(shù)測試需求 選型指南： 應(yīng)用領(lǐng)域 晶圓級測試(Chip Probing)：在研發(fā)階段快速篩選器件原型，評估工藝參數(shù)影響。在生產(chǎn)線上進行晶圓級分選
2025-07-29 16:21:17
因為，為了應(yīng)對全球共通的 “節(jié)能化”和“小型化”課題，需要高效率高性能的功率元器件。然而，最近經(jīng)常聽到的“功率元器件”，具體來說是基于什么定義來分類的呢？恐怕是沒有一個明確的分類的，但是，可按以高電壓大功率
2018-11-29 14:39:47
計算，實測截圖如圖3所示?！ ?、MOS管和PFCMOS管的實測演示視頻 MOS管損耗測試對于器件評估非常關(guān)鍵，通過示波器的電源分析軟件，可以快速有效的對器件的功率損耗進行評估，ZDS3000/4000系列示波器免費標(biāo)配電源分析軟件。
2018-11-09 11:43:12
RF功率器件的性能非常優(yōu)異，但將這些器件交至客戶手中僅僅是開始。事實上，每次交付使用都將由飛思卡爾的技術(shù)人員提供各種測試、建模、封裝以及應(yīng)用支持。
2019-07-05 06:56:41
RF功率器件的性能非常優(yōu)異，但將這些器件交至客戶手中僅僅是開始。事實上，每次交付使用都將由飛思卡爾的技術(shù)人員提供各種測試、建模、封裝以及應(yīng)用支持。
2019-07-09 08:17:05
因為，為了應(yīng)對全球共通的 “節(jié)能化”和“小型化”課題，需要高效率高性能的功率元器件。然而，最近經(jīng)常聽到的“功率元器件”，具體來說是基于什么定義來分類的呢？恐怕是沒有一個明確的分類的，但是，可按以高電壓大功率
2018-11-28 14:34:33
前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點
2018-11-29 14:35:23
測量和校核開關(guān)電源、電機驅(qū)動以及一些電力電子變換器的功率器件結(jié)溫，如 MOSFET 或 IGBT 的結(jié)溫，是一個不可或缺的過程，功率器件的結(jié)溫與其安全性、可靠性直接相關(guān)。測量功率器件的結(jié)溫常用二種方法：
2021-03-11 07:53:26
怎樣去設(shè)計雙向功率放大器？如何對雙向功率放大器進行測試？
2021-04-23 06:19:13
LED燈主打“節(jié)能、環(huán)?！?，所以LED燈出廠前都會進行功率因數(shù)測試。但LED驅(qū)動電源輸入電流是非正弦波，因此需要進行基波功率因數(shù)的測試，那么該如何正確進行此項測試？
2021-03-01 07:05:50
一、測試需求：功率器件如場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣雙極晶體管[IGBT) ,這些功率器件提供了快速開關(guān)速度,能夠耐受沒有規(guī)律的電壓峰值，被廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的設(shè)計。尤其最新第三代半導(dǎo)體
2021-05-20 11:17:57
請問這些器件具體是什么芯片或器件呢？其中的各個引腳是什么意思呢？麻煩各位解答一下
2024-08-19 17:44:26
DCT1401功率器件測試儀系統(tǒng)DCT1401功率器件測試儀系統(tǒng)能測試很多電子元器件的靜態(tài)直流參數(shù)（如擊穿電壓V(BR)CES/V(BR)DSs、漏電流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs
2022-02-17 07:41:52
1、摘要通帶插入損耗是無源射頻器件（如濾波器，發(fā)射合路器，電纜）的重要指標(biāo)。而用常見的單臺功率計輸入輸出測試法卻不能獲得準(zhǔn)確的結(jié)果。本文解釋了產(chǎn)生誤差的原因，并描述了一種在工程中極為實用的雙功率計
2019-06-10 07:53:22
，因此在對器件進行測試時往往是加入一個大電感作為負載。硬開啟如圖，測試電路采用典型的電感負載測試電路，L在實際應(yīng)用中可為大的電感。在硬開啟過程中，IL基本不變，在DUT的關(guān)斷穩(wěn)態(tài)時，IL=ID1，VDUT
2019-08-29 10:11:06
、低成本且擁有更好性能的前端器件的需求迅速增加。 發(fā)射機功放和開關(guān)器件是影響發(fā)射機性能的兩個關(guān)鍵前端器件。目前對這類器件的測試，可由信號源、頻譜儀等獨立的測量儀表組成測試方案，但由它們組成的測試方案進行
2019-06-05 08:12:26
服務(wù)介紹隨著技術(shù)發(fā)展，第三代半導(dǎo)體功率器件開始由實驗室階段步入商業(yè)應(yīng)用，未來應(yīng)用潛力巨大，這些新型器件測試要求更高的電壓和功率水平，更快的開關(guān)時間。測試周期：根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)、試驗條件及被測樣品量確定
2022-05-25 14:26:58
SPEA 利用 DOT800T，將一整套的功率測試解決方案整合到了單臺設(shè)備之中，提供了在全范圍功率應(yīng)用中進行 ISO、AC、DC 測試所需的所有資源，從晶圓級到最終產(chǎn)品，均可輕松完成。
2022-12-12 10:30:07
HUSTEC華科智源HUSTEC-1600A-MT功率器件靜態(tài)參數(shù)測試儀/設(shè)備 一：功率器件靜態(tài)參數(shù)測試儀/設(shè)備主要特點華科智源HUSTEC-1600A-MT靜態(tài)
2024-05-15 14:03:21
普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，集多種測量和分析功能一體，可以精準(zhǔn)測量不同封裝類型功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性、μΩ級精確測量、nA級電流
2024-06-05 11:01:55
功率器件參數(shù)測試儀系統(tǒng)&能測 IGBT. Mosfet. Diode. BJT......功率器件參數(shù)測試儀系統(tǒng)能測試很多電子元器件的靜態(tài)直流參數(shù)（如擊穿電壓V(BR)CES/V(BR)DSs、漏電
2024-07-30 17:27:39
功率器件測試儀系統(tǒng)&能測 IGBT. Mosfet. Diode. BJT......功率器件測試儀系統(tǒng)能測試很多電子元器件的靜態(tài)直流參數(shù)（如擊穿電壓V(BR)CES/V(BR)DSs、漏電
2024-07-31 13:44:34
HUSTEC華科智源HUSTEC-1600A-MTIGBT功率器件測試儀 一：IGBT功率器件測試儀主要特點華科智源HUSTEC-1600A-MT靜態(tài)測試儀可用
2024-11-11 09:39:15
用表面貼裝器件進行原理性測試
很多工程師和技術(shù)人員常常選用雙列直插器件進行電路的原理性能測試，現(xiàn)有的做法是在帶有過孔的玻璃纖維板上插入集成電路，
2009-02-08 10:58:51543 本文說明了使用示波器和 波形發(fā)生器 對元器件進行測試的方法。將展示電容、電感、二極管、雙極晶體管及電纜的測試過程。這些測試方法可用于確定故障部件或識別無標(biāo)注元器件的
2011-08-31 11:16:444998 所謂功率半導(dǎo)體器件，以前也被稱為電力電子器件，簡單來說，就是進行功率處理的，具有處理高電壓，大電流能力的半導(dǎo)體器件。其電壓處理范圍從幾十V~幾千V，電流能力最高可達幾
2012-11-22 10:55:5121357 考慮器件的雪崩能量。?功率器件雪崩耐量測試儀是本公司研發(fā)設(shè)計的測試 IGBT、二極管雪崩耐量的專業(yè)測試設(shè)備，能夠準(zhǔn)確快速的測試出 IGBT、二極管的雪崩耐量。該設(shè)備包括：可控直流電源、可選電感、電流
2018-06-20 12:06:5413578 調(diào)試之前對IGBT模塊特性進行測試，尤其基于橋式拓撲結(jié)構(gòu)，在不同的負載條件測試IGBT及相應(yīng)的二極管的特性？這些成為工程師非常頭疼的問題。 功率器件動態(tài)參數(shù)/雙脈沖測試 功率器件如MOSFET和IGBT提供了快速開關(guān)速度，能夠耐受沒有規(guī)
2020-03-23 09:34:153376 對市場新推出的低功耗IC及功率器件特性無法準(zhǔn)確把握？是否真正在自己的電源設(shè)計中發(fā)揮最大的作用，缺少一種簡單經(jīng)濟的評價方法。對于電源產(chǎn)品設(shè)計，大功率開關(guān)管的選擇是非常關(guān)鍵也是非常困難的。如何在系統(tǒng)調(diào)試
2020-07-13 10:24:00
4 吉時利8010型大功率器件測試夾具與2651A以及2657A型大功率系統(tǒng)數(shù)字源表一起完善了功率半導(dǎo)體器件測試解決方案。圖1給出源測量單元（SMU）儀器與8010型夾具的連接圖。在8010型互連參考指南（IRG）中給出詳細的器件測試配置實例。
2020-08-21 13:49:313469 
，要求它對于指定帶寬內(nèi)的信號具有最小的損耗和失真，而對通帶之外的信號具有最大的抑制。為了精確地測試這些特性，要求測量系統(tǒng)的頻率和功率電平在很寬的范圍內(nèi)都要非常精確。
2020-10-16 03:35:017545 隨著智能電網(wǎng)、汽車電氣化等應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件逐漸往高壓、高頻方向發(fā)展，功率分立器件的演進路徑基本為二極管→晶閘管→MOSFET→IGBT，其中，IGBT是功率半導(dǎo)體新一代中的典型產(chǎn)品。
2021-03-29 15:27:079222 
快速發(fā)展和應(yīng)用可以毫不夸張的說給電源行業(yè)帶來顛覆性的變化。對于設(shè)計工程師來說卻帶來了非常大的測試挑戰(zhàn)，如何保證選用的高速功率器件能穩(wěn)定可靠的運行在自己的電源產(chǎn)品中，我們需要了解功率器件的動態(tài)特性：
2021-04-30 11:50:053667 
采用吉時利直流參數(shù)測試系統(tǒng)并配合高壓測試探針對制備的LDMOS器件進行在片測試。利用光學(xué)顯微鏡觀察器件的具體結(jié)構(gòu)，并用探針給相應(yīng)的電極加電，只使用探針向器件柵、漏極加電，而源極直接通過襯底與金屬吸盤接地。
2021-06-07 11:15:42176 功率器件動態(tài)參數(shù)測試 功率器件如場效應(yīng)晶體管和絕緣門雙極晶體管，這些器件提供了快速開關(guān)速度，能夠耐受沒有規(guī)律的電壓峰值，被廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的設(shè)計。尤其第三代半導(dǎo)體Sic和GaN的快速發(fā)展
2021-12-07 11:37:241022 DCT1401功率器件測試儀系統(tǒng)DCT1401功率器件測試儀系統(tǒng)能測試很多電子元器件的靜態(tài)直流參數(shù)（如擊穿電壓V(BR)CES/V(BR)DSs、漏電流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs
2021-12-22 18:56:3220 無論是在實驗室，產(chǎn)線上還是教學(xué)中，功率測量都是必不可少的。那么，如何進行射頻功率測試呢，今天安泰測試就給大家分享一下。 在無線電發(fā)展初期，測試工程師所面對的大多數(shù)是連續(xù)波、調(diào)幅、調(diào)頻、調(diào)相或脈沖信號
2022-01-04 16:05:233160 
???該MicroVac?卡盤專為正在測試高功率RF放大器（通常為HEMT器件，工作頻率高達60 GHz）的客戶而設(shè)計。這些高電子遷移率晶體管在III / V化合物半導(dǎo)體襯底（GaAs或GaN晶片
2022-06-21 14:52:381346 PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)集多種測量和分析功能一體，可精準(zhǔn)測量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的靜態(tài)參數(shù)，電壓可高達3KV,電流可高達4KA。該系統(tǒng)可測量不同封裝類型的功率器件
2022-07-14 16:35:412558 日前，貝思科爾舉辦了《功率器件Power Cycling測試與數(shù)據(jù)后處理分析》線上直播活動。 本次直播主要針對各種先進封裝工藝的功率器件和模塊的快速發(fā)展，分析該領(lǐng)域功率器件模塊的Rth熱測試和PC
2022-10-21 17:15:544139 雙脈沖測試(Double Pulse Test)是分析功率開關(guān)器件動態(tài)特性的常用測試，通過雙脈沖測試可以便捷的評估功率器件的性能，獲得穩(wěn)態(tài)和動態(tài)過程中的主要參數(shù)，更好的評估器件性能，優(yōu)化驅(qū)動設(shè)計等等。
2022-11-04 14:06:275433 功率器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)往往需要具備多種測試功能、覆蓋多種電壓等級的被測器件，此時就需要對測試電路調(diào)整以滿足測試需求。如果是將多項功能集成一塊測試板上，在進行調(diào)整時的操作會比較繁瑣，速度也慢。
2022-11-15 12:39:421136 對功率器件動態(tài)參數(shù)進行測試是器件研發(fā)工程師、電源工程師工作中的重要一環(huán)，測試結(jié)果用于驗證、評價、對比功率器件的動態(tài)特性。如何能夠高效地完成測試是工程師一直關(guān)注的，也是在選擇功率器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)
2022-12-13 15:38:271775 
功率密度及小體積方向發(fā)展。 從具體的應(yīng)用場景來看，伴隨新能源應(yīng)用增加，新型電網(wǎng)、光伏、風(fēng)電、儲能及新能源汽車均需用到功率器件且集中于中高功率段，其所用到的功率器件多以IGBT、SiC器件及大功率晶閘管為主，對器件可靠性與熱管理要
2023-01-06 11:27:202453 隨著小信號器件概念的出現(xiàn)，半導(dǎo)體分立器件按照功率、電流指標(biāo)又劃分出了小信號器件及功率器件兩大類：世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計協(xié)會（WSTS）也將小信號器件定義為耗散功率小于1W（或者額定電流小于1A）的分立器件，而耗散功率不小于1W（或者額定電流不小于1A）的分立器件則歸類為功率器件；
2023-02-07 09:42:351318 SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點進行介紹。通過將SiC應(yīng)用到功率元器件上，實現(xiàn)以往Si功率元器件無法實現(xiàn)的低損耗功率轉(zhuǎn)換。不難發(fā)現(xiàn)這是SiC使用到功率元器件上的一大理由。
2023-02-09 11:50:19837 
動態(tài)特性是功率器件的重要特性，在器件研發(fā)、系統(tǒng)應(yīng)用和學(xué)術(shù)研究等各個環(huán)節(jié)都扮演著非常重要的角色。故對功率器件動態(tài)參數(shù)進行測試是相關(guān)工作的必備一環(huán)，主要采用雙脈沖測試進行。
2023-02-10 14:25:11863 功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)集多種測量和分析功能一體，可精準(zhǔn)測量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的靜態(tài)參數(shù)，電壓可高達3KV,電流可高達
4KA。該系統(tǒng)可測量不同封裝類型的功率器件的靜態(tài)
2023-02-15 16:11:141 DCT1401 功率器件參數(shù)測試儀系統(tǒng) DCT1401 功率器件參數(shù)測試儀系統(tǒng) 能測試很多電子元器件的靜態(tài)直流參數(shù) （ 如擊穿電壓V(BR)CES/V(BR)DSs、漏電流ICEs/lGEs
2023-02-15 15:58:030 1.設(shè)備基本參數(shù)1.1設(shè)備名稱：半導(dǎo)體功率器件測試系統(tǒng)設(shè)備型號：EN-3020B設(shè)備數(shù)量： 1 臺外接設(shè)備：筆記本電腦1臺設(shè)備規(guī)格：600mm×800mm×1600mm測試夾具： 5 個
2023-02-15 15:50:311 功率器件的選擇應(yīng)根據(jù)電路的要求，考慮功率器件的功率、電壓、電流、溫度、頻率等參數(shù)，以及功率器件的尺寸、重量、成本等因素，以確保功率器件的可靠性和性能。
2023-02-15 15:39:181125 EN-6500A功率器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)是由西安易恩電氣科技有限公司自主研制、生產(chǎn)的半導(dǎo)體分立器件動態(tài)參數(shù)測試的專用設(shè)備，通過使用更換不同的測試工裝可
以對不同封裝的半導(dǎo)體器件進行非破壞性瞬態(tài)測試
2023-02-16 15:38:103 MOSFET及IGBT的發(fā)展，尤其應(yīng)用于電氣設(shè)備、光電、航天、鐵路、電力轉(zhuǎn)換…等領(lǐng)域，使半導(dǎo)體開發(fā)技術(shù)人員在市場需求下，對
大功率元件的發(fā)展技術(shù)，持續(xù)在突破。
EN—3020C測試系統(tǒng)是西安易恩電氣科技有限公司推出的功率器件靜態(tài)測試系統(tǒng)，該系統(tǒng)符合國軍標(biāo)GJB128-86和
2023-02-16 16:06:271 功率器件的選擇要根據(jù)應(yīng)用環(huán)境、工作條件和性能要求等因素進行綜合考慮。首先，要考慮功率器件的工作溫度范圍，以確定功率器件的耐溫性能。其次，要考慮功率器件的電壓等級，以確定功率器件的耐壓性能。此外，還要考慮功率器件的封裝形式，以確定功率器件的散熱性能。最后，要考慮功率器件的成本，以確定功率器件的性價比。
2023-02-16 14:11:101189 前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點進行介紹。
2023-02-22 09:15:30926 
功率IC和分立器件都是電子元器件，但是它們之間有很多不同之處。我們來具體地看看它們的各個方面，以便更好地了解它們之間的差異。
1. 工作原理
2023-02-26 17:35:032900 上海伯東美國 inTEST 熱測產(chǎn)品搭配 Keysight 機臺, 提供 IGBT, RF Device, MOSFET, Hi Power LED 等功率器件 -50℃ - 250℃ 自動化熱測試解決方案. Keysight 機臺完美兼容 inTEST 軟件, 操作簡單.
2022-06-13 15:54:411867 
碳化硅功率半導(dǎo)體器件具有耐壓高、熱穩(wěn)定好、開關(guān)損耗低、功率密度高等特點，被廣泛應(yīng)用在電動汽車、風(fēng)能發(fā)電、光伏發(fā)電等新能源領(lǐng)域。近年來，全球半導(dǎo)體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國轉(zhuǎn)移。目前,我國
2023-05-15 10:04:532963 
對功率器件動態(tài)參數(shù)進行測試是器件研發(fā)工程師、電源工程師工作中的重要一環(huán)，測試結(jié)果用于驗證、評價、對比功率器件的動態(tài)特性。
2023-07-10 16:28:081089 進行雙脈沖測試的主要目的是獲得功率半導(dǎo)體的開關(guān)特性，可以說它伴隨著功率器件從研發(fā)制造到應(yīng)用的整個生命周期。
2023-07-12 16:09:105853 
速度，能夠顯著提升功率變換器的性能，受到電源工程師的青睞。同時，極快的開關(guān)速度又對其動態(tài)特性的測試提出了更高的要求，稍有不慎就會得到錯誤結(jié)果。 為了能夠?qū)崿F(xiàn)對GaN HEMT功率器件動態(tài)特性進行精準(zhǔn)測試，對應(yīng)的測試系統(tǒng)往往需要 注意以下幾
2023-07-17 18:45:022345 
力測試機的時候，都不會注意一些弊端，導(dǎo)致推拉測試機很容易損壞，所以為了延長推拉力測試機的使用壽命，我們都要學(xué)會正確使用推拉力測試機，那么該如何正確使用推拉力測試呢？那就要先了解他的工作原理，和使用的零件。
2023-08-17 15:06:381365 功率循環(huán)測試-簡介功率循環(huán)測試是一種功率半導(dǎo)體器件的可靠性測試方法，被列為AEC-Q101與AQG-324等車規(guī)級測試標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)的必測項目。相對于溫度循環(huán)測試，功率循環(huán)通過在器件內(nèi)運行的芯片發(fā)熱使器件
2023-09-10 08:27:592842 
在當(dāng)今的高科技社會中，氮化鎵（GaN）功率器件已成為電力電子技術(shù)領(lǐng)域的明星產(chǎn)品，其具有的高效、高頻、高可靠性以及高溫工作能力等優(yōu)勢在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。然而，為了確保氮化鎵功率器件的性能和可靠性，制定一套科學(xué)、規(guī)范的測試方案至關(guān)重要。
2023-10-08 15:13:231900 
探頭與示波器被稱為工程師的眼睛，是工程師進行電信號測量時必不可少的工具。探頭在功率領(lǐng)域的應(yīng)用是其發(fā)揮作用的重要方面，包括功率器件測試和變換器測試兩個方面。
2023-10-17 14:37:101049 
網(wǎng)分的射頻輸出功率如何設(shè)置？改動射頻輸出功率，對測試參數(shù)有什么影響？ 網(wǎng)分器是一種常用的高頻器件，它可以將輸入的高頻信號分成兩個或多個輸出端口，用于進行不同的測試或應(yīng)用。網(wǎng)分器的射頻輸出功率是指在
2023-10-20 14:44:202882 ，某個元器件良率很低，產(chǎn)品質(zhì)量不穩(wěn)定等等各種各樣的問題。 所以在實際的電子元器件選型的時候，是有很多工作需要進行的 那對于實際的電子元器件的選型要如何進行呢，需要做到哪些工作呢？ 具體的工作內(nèi)容會包括了解項目需
2023-11-06 15:30:031630 如何使用電壓加速進行器件的ELF(早期失效)測試？ 電壓加速法是一種常用于測試電子器件早期失效（Early Life Failure，ELF）的方法。該方法通過增加電壓施加在器件上，模擬器件在正常
2023-11-17 14:35:541165 功率器件 (Power Devices) 通常也稱為電力電子器件，是專門用來進行功率處理的半導(dǎo)體器件。功率器件具有承受高電壓、通過大電流的能力，處理電壓的范圍可以從幾十伏到幾千伏，通過電流的能力最高
2024-01-09 09:38:523295 電子元器件的封裝測試是確保元器件在正常工作條件下能夠穩(wěn)定運行的重要環(huán)節(jié)。
2024-02-23 18:17:172209 1.檢查電子元器件外觀。通過對元器件外觀的檢查，可以確保元器件沒有明顯的損壞或缺陷，例如裂紋、氧化等。外觀檢查還能夠幫助確定元器件的型號和封裝形式，為后續(xù)的測試做好準(zhǔn)備。
2024-02-26 14:50:441413 HUSTEC-DC-2010分立器件測試儀，是我司團隊結(jié)合多年半導(dǎo)體器件測試經(jīng)驗而研發(fā)的，可以應(yīng)用于多種場景，如： ? 測試分析（功率器件研發(fā)設(shè)計階段的初始測試） 失效分析（對失效器件進行測試分析
2024-05-20 16:50:331467 
碳化硅功率器件制造與應(yīng)用測試大會將于2024年6月26-28日在無錫錫山舉行，貝思科爾將攜功率器件測試解決方案亮相本次大會，誠摯歡迎您的到來?；顒右浴按┰街芷趞韌性增長”為主題，大會邀請了全國功率
2024-06-18 08:35:20691 
PMST系列功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)是武漢普賽斯正向設(shè)計，精益打造的高精密電壓/電流測試分析系統(tǒng)，是一致能夠提供IV，CV、跨導(dǎo)等豐富功能的綜合測試系統(tǒng)，具有高精度、寬測量范圍、模塊化設(shè)計、輕松升級
2024-07-23 15:43:311610 
功率半導(dǎo)體器件，特別是絕緣柵雙極型晶體管（IGBT），在新能源、軌道交通、電動汽車、工業(yè)應(yīng)用和家用電器等諸多應(yīng)用中都是不可或缺的核心部件。尤其在新能源電動汽車行業(yè)的迅猛崛起下，功率半導(dǎo)體器件市場迎來
2024-08-12 16:31:014599 
功率半導(dǎo)體器件是各類電子產(chǎn)品線路中不可或缺的重要組件。近年來，我國功率半導(dǎo)體器件制造企業(yè)通過持續(xù)的引進消化吸收再創(chuàng)新以及自主創(chuàng)新，產(chǎn)品技術(shù)含量及性能水平大幅提高。部分優(yōu)質(zhì)企業(yè)在細分產(chǎn)品領(lǐng)域的技術(shù)
2024-09-12 09:46:501601 
功率循環(huán)測試是一種功率半導(dǎo)體器件的可靠性測試方法，被列為AEC-Q101與AQG-324等車規(guī)級測試標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)的必測項目。與溫度循環(huán)測試相比，功率循環(huán)是通過器件內(nèi)部工作的芯片產(chǎn)生熱量，使得器件達到既定的溫度；而溫度循環(huán)則是通過外部環(huán)境強制被測試器件達到測試溫度。
2024-10-09 18:11:471596 
場效應(yīng)晶體管）是一種基于MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）結(jié)構(gòu)的功率晶體管。它具有較寬的通道和漏極區(qū)域，能夠承受更大的電流和功率，并具備電壓阻斷功能。以下是VDMOS器件的具體應(yīng)用： 一、電子設(shè)備
2024-09-29 09:43:531751 隨著電力電力電子技術(shù)逐漸向高壓大電流方向發(fā)展，傳統(tǒng)的 Si 基器件由于損耗大、開關(guān)速度慢、耐壓低等缺點逐漸被 SiC（碳化硅）器件所取代。其中 1200V碳化硅功率器件應(yīng)用最為廣泛，小電流器件主要
2024-10-17 13:44:091 環(huán)境下穩(wěn)定工作，這對器件的耐久性和可靠性是一個巨大的挑戰(zhàn)。同時，隨著SiC等寬禁帶半導(dǎo)體材料的興起，功率器件的性能得到了顯著提升，但同時也帶來了新的測試需求。如何在保證測試效率的同時，準(zhǔn)確評估這些先進功率器件的性能和壽命，成為了行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵。
2024-11-26 10:58:211261 
樣品活動進行中，掃碼了解詳情/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證
2024-12-23 17:31:081709 
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-06 17:05:481329 ???? 本文主要介紹功率器件晶圓測試及封裝成品測試。?????? ? 晶圓測試（CP）???? 如圖所示為典型的碳化硅晶圓和分立器件電學(xué)測試的系統(tǒng)，主要由三部分組成，左邊為電學(xué)檢測探針臺阿波羅
2025-01-14 09:29:132360 
功率器件熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC等高功率密度器件可靠運行的基礎(chǔ)。掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，不僅有助于提高功率器件的利用率和系統(tǒng)可靠性，還能有效降低系統(tǒng)成本。本文將從熱設(shè)計的基本概念、散熱形式、熱阻與導(dǎo)熱系數(shù)、功率模塊的結(jié)構(gòu)和熱阻分析等方面，對功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)知識進行詳細講解。
2025-02-03 14:17:001357 ，同時保持阻抗匹配。適用于通信系統(tǒng)、測試設(shè)備及雷達等領(lǐng)域。 典型應(yīng)用 常用于監(jiān)測脈沖發(fā)生器系統(tǒng)，穩(wěn)態(tài)電流負載產(chǎn)生的極高峰值功率和電流輸入，瞬態(tài)電流監(jiān)測；器件的動態(tài)性能(雙脈沖)評價需要對器件導(dǎo)通和關(guān)斷瞬間的電流波形進行高精度的捕獲，同時盡量減少探
2025-04-30 12:00:12762 
深度等優(yōu)點，在功率器件動態(tài)特性測試中具有廣泛的應(yīng)用前景。本文旨在研究利用普源示波器進行功率器件動態(tài)特性測試的方法，為相關(guān)領(lǐng)域的研究和應(yīng)用提供參考。 功率器件動態(tài)特性的重要性 ? 功率器件的動態(tài)特性主要包括開關(guān)
2025-06-12 17:03:15539 
半導(dǎo)體分立器件測試是對二極管、晶體管、晶閘管等獨立功能半導(dǎo)體器件的性能參數(shù)進行系統(tǒng)性檢測的過程，旨在評估其電氣特性、可靠性和適用性。以下是主要測試內(nèi)容與方法的總結(jié)： 1. ? 測試對象與分類
2025-07-22 17:46:32826 
主要的功率半導(dǎo)體器件特性分為靜態(tài)特性、動態(tài)特性、開關(guān)特性。這些測試中最基本的測試就是靜態(tài)參數(shù)測試。靜態(tài)參數(shù)主要是指本身固有的，與其工作條件無關(guān)的相關(guān)參數(shù)。主要包括：柵極開啟電壓、柵極擊穿電壓、源極漏
2025-08-05 16:06:15649 
摘要隨著SiC、GaN等新型功率器件的廣泛應(yīng)用，功率器件動態(tài)參數(shù)測試對系統(tǒng)響應(yīng)速度、同步精度和靈活性提出了更高要求。本文基于LiquidInstruments的Moku平臺，提出一種可重構(gòu)、高集成度
2025-10-31 14:09:44325 
DGS & DRB是功率器件可靠性測試中的關(guān)鍵內(nèi)容。DGS評估器件檢測碳化硅功率MOSFET 的柵極開關(guān)不穩(wěn)定性，DRB評估器件芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)因高dv/dt 導(dǎo)致的快速充電老化現(xiàn)象。因此，季豐電子引入業(yè)內(nèi)先進設(shè)備為廣大客戶提供檢測服務(wù)，為產(chǎn)品質(zhì)量把關(guān)，創(chuàng)造共贏。
2025-11-19 11:19:10504 
適配器、LED、半導(dǎo)體芯片等器件的研發(fā)、生產(chǎn)與質(zhì)檢環(huán)節(jié)。 ? 電阻 想要完成電子元器件的IV曲線測試，我們首先要確定使用的設(shè)備?？勺冸娮琛⒍O管、三極管等器件的IV曲線測試一般都使用源表進行測試。源表集精準(zhǔn)電壓源 + 精準(zhǔn)電流源
2026-01-05 17:32:49646 
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