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標(biāo)簽 > 功率半導(dǎo)體
功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件,是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ),也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。
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功率半導(dǎo)體器件,簡稱功率器件,又稱電力電子器件,屬于半導(dǎo)體產(chǎn)品中的分立器件。功率集成電路也就是如下圖的【功率IC】,典型產(chǎn)品有【電源管理芯片】和【各類驅(qū)...
2023-06-27 標(biāo)簽:MOS功率半導(dǎo)體功率IC 1570 0
開關(guān)損耗一直困惑著開關(guān)電源設(shè)計者,由于功率半導(dǎo)體器件在開關(guān)過程中,器件上同時存在電流、電壓,因而不可避免地存在開關(guān)損耗,如果開關(guān)電源中開關(guān)管和輸出整流二...
2023-06-24 標(biāo)簽:開關(guān)電源整流二極管功率半導(dǎo)體 674 0
一輛汽車需要哪些半導(dǎo)體器件?車規(guī)級芯片分類介紹
當(dāng)finFET被提出時,相對于互連層而言,晶體管及相關(guān)邏輯單元制作工藝復(fù)雜度成比例增加。隨著更多晶體管技術(shù)被提出,這一差別有望延續(xù)至5nm,3nm和更低。
2023-06-16 標(biāo)簽:汽車電子晶體管功率半導(dǎo)體 2503 0
概述安森美M 1 1200 V SiC MOSFET的關(guān)鍵特性及驅(qū)動條件
SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場中正迅速普及,因為它最初的一些可靠性問題已得到解決,并且價位已達到非常有吸引力的水平。
2023-06-16 標(biāo)簽:MOSFETSiC功率半導(dǎo)體 697 0
安森美M1 1200 V SiC MOSFET動態(tài)特性分析
SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場中正迅速普及,因為它最初的一些可靠性問題已得到解決,并且價位已達到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多,必...
近年來,SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)等寬帶隙(WBG)功率半導(dǎo)體的開發(fā)和市場導(dǎo)入速度加快,但與硅相比成本較高的問題依然存在。
2023-06-15 標(biāo)簽:功率器件GaN功率半導(dǎo)體 1037 0
近日,韓國企業(yè)EQ TechPlus宣布,他們開發(fā)了一種下一代氧化膜沉積設(shè)備,用于大規(guī)模生產(chǎn)SiC功率半導(dǎo)體,與采用傳統(tǒng)高溫?zé)嵫趸O(shè)備相比,該設(shè)備可以將...
2023-06-13 標(biāo)簽:MOSFETSiC功率半導(dǎo)體 1120 0
功率半導(dǎo)體器件或模塊是電機控制器的心臟。電機控制器、電機和減速器一起組 成電動汽車的電力驅(qū)動總成。
2023-06-09 標(biāo)簽:電力電子器件功率開關(guān)電機控制器 4366 0
作為一款專門針對電子器件/設(shè)備熱設(shè)計而開發(fā)的仿真軟件,F(xiàn)loTHERM可以實現(xiàn)從元器件級、PCB板和模塊級、系統(tǒng)整機級到環(huán)境級的熱分析。FloTHERM...
2023-06-09 標(biāo)簽:CAD仿真軟件功率半導(dǎo)體 1420 0
B1506A功率器件分析儀在車規(guī)級大功率半導(dǎo)體測試中的應(yīng)用
“降價了降價了?。?!某某汽車又降價了,最近的汽車交易市場價格戰(zhàn)打的火熱啊,趕緊抓住機會,搞一輛新車,到底是買傳統(tǒng)車還是新能源呢?別急,我們講一下新能源新在哪里。
近年來,功率半導(dǎo)體用戶深刻地意識到不確定的半導(dǎo)體供應(yīng)鏈帶來挑戰(zhàn)相當(dāng)棘手。因此,在設(shè)計變頻器時,"多元采購 "一直是用戶的需求。賽米控...
功率半導(dǎo)體分立器件的應(yīng)用十分廣泛,幾乎覆蓋了所有的電子制造業(yè),傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域包括消費電子、網(wǎng)絡(luò)通信、工業(yè)電機等。近年來,新能源汽車及充電系統(tǒng)、軌道交通、智...
2023-05-26 標(biāo)簽:分立器件SiC功率半導(dǎo)體 1264 0
作為電子系統(tǒng)中的最基本單元,半導(dǎo)體功率器件在包括汽車電子、消費電子、網(wǎng)絡(luò)通信、電子設(shè)備、航空航天、武器裝備、儀器儀表、工業(yè)自動化、醫(yī)療電子等各行業(yè)都起著...
公開資料顯示,功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件,是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ),也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。
2023-05-10 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 517 0
由三個端子組成的器件,可通過控制三端的電流或電壓實現(xiàn)器件的導(dǎo)通或關(guān)斷,包括雙極型(BJT)、場效應(yīng)型如MOSFET 及絕緣柵型如IGBT 等器件。
2023-05-10 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 1967 0
大功率半導(dǎo)體技術(shù)現(xiàn)狀及其進展
功率半導(dǎo)體技術(shù)經(jīng)過 60 余年發(fā)展,器件阻斷能力和通態(tài)損耗的折衷關(guān)系已逐漸逼近硅基材料物理極限,因此寬禁帶材料與器件越來越受到重視,尤其是以碳化硅(Si...
2023-05-09 標(biāo)簽:晶閘管IGBT功率半導(dǎo)體 4608 0
按照器件結(jié)構(gòu),分為二極管、功率晶體管、晶閘管等,其中功率晶體管分為雙極性結(jié)型晶體管(BJT)、結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JFET)、金屬氧化物場效應(yīng)晶體管(MO...
2023-05-06 標(biāo)簽:IGBT晶體管功率半導(dǎo)體 6421 0
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