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標簽 > 功率半導(dǎo)體
功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件，是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ)，也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。
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在功率分立器件銷售 2017 年占比中，MOSFET 占比最高，約占 31%，其次是二極管/整流橋占比約 29%，晶閘管和 BJT 等占分立器件約 21...
2023-08-16 標簽：芯片分立器件功率半導(dǎo)體 1.9k 0
請問DIPIPM?的特殊應(yīng)用都有哪些呢？有哪些注意事項？
應(yīng)該很多用戶都注意到了，目前的DIPIPM都是3相橋電路。如果我只需要兩個橋臂做一個H橋的電源，應(yīng)該怎么弄呢？今天我們就來聊聊這個問題。
寬禁帶半導(dǎo)體GaN能夠在更高電壓、更高頻率以及更高的溫度下工作，在高效功率轉(zhuǎn)換，射頻功放，以及極端環(huán)境電子應(yīng)用方面具有優(yōu)異的材料優(yōu)勢。
2023-08-09 標簽：MOSFET功率半導(dǎo)體碳化硅 1.4k 0
近日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計及集成應(yīng)用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)...
2023-08-09 標簽：二極管晶體管功率半導(dǎo)體 1.3k 0
壓敏電阻是一種限壓型保護器件，利用壓敏電阻的非線性特性，當過電壓出現(xiàn)在其兩極時，壓敏電阻可以將電壓鉗位到一個相對固定的電壓值，從而實現(xiàn)對后級電路的保護。...
2023-08-08 標簽：壓敏電阻保護器件功率半導(dǎo)體 2.8k 0
集成電路=IC：一種微型電子器件或部件。具體指采用半導(dǎo)體制備工藝，把一個電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半...
功率半導(dǎo)體的定義和分類 功率器件的應(yīng)用
功率半導(dǎo)體，又稱電力電子器件或功率電子器件，是電子產(chǎn)業(yè)鏈中最核心的一類器件之一。能夠?qū)崿F(xiàn)電能轉(zhuǎn)換和電路控制，在電路中主要起著功率轉(zhuǎn)換、功率放大、功率開關(guān)...
IGBT功率模塊的熱阻網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)和散熱系統(tǒng)設(shè)計研究
隨著絕緣柵雙極晶體管（IGBT ）向高功率和高集成度方向發(fā)展，在結(jié)構(gòu)和性能上有很大的改進，熱產(chǎn)生問題日益突出，對散熱的要求越來越高，IGBT 芯片是產(chǎn)生...
摘要： 負載檢測是電源、通信、蓄電池、能源等領(lǐng)域的重要環(huán)節(jié)。傳統(tǒng)的測試電源負載常將電阻、電感、電容等進行串并聯(lián)組合來模擬實際負載情況，這種方法的缺點是負...
2023-07-26 標簽：放大器蓄電池功率半導(dǎo)體 2.1k 0
功率半導(dǎo)體的知識總結(jié)（MOSFET/IGBT/功率電子器件/半導(dǎo)體分立器件）
功率半導(dǎo)體包括功率半導(dǎo)體分立器件（含模塊）以及功率 IC 等。其中，功率半導(dǎo)體分立器件，按照器件結(jié)構(gòu)劃分，可分為二極管、晶閘管和晶體管等。
2023-07-26 標簽：電力電子器件功率轉(zhuǎn)換功率開關(guān) 1.0萬 0
1940年，貝爾實驗室在研究雷達探測整流器時，發(fā)現(xiàn)硅存在PN結(jié)效應(yīng)，1958年，美國通用電氣（GE）公司研發(fā)出世界上第一個工業(yè)用普通晶閘管，標志著電力電...
散熱基板是IGBT功率模塊的核心散熱功能結(jié)構(gòu)與通道，也是模塊中價值占比較高的重要部件，車規(guī)級功率半導(dǎo)體模塊散熱基板必須具備良好的熱傳導(dǎo)性能、與芯片和覆銅...
2023-07-06 標簽：IGBT功率模塊功率半導(dǎo)體 2.1k 0
功率半導(dǎo)體器件，簡稱功率器件，又稱電力電子器件，屬于半導(dǎo)體產(chǎn)品中的分立器件。功率集成電路也就是如下圖的【功率IC】，典型產(chǎn)品有【電源管理芯片】和【各類驅(qū)...
2023-06-27 標簽：MOS功率半導(dǎo)體功率IC 1.8k 0
開關(guān)損耗一直困惑著開關(guān)電源設(shè)計者，由于功率半導(dǎo)體器件在開關(guān)過程中，器件上同時存在電流、電壓，因而不可避免地存在開關(guān)損耗，如果開關(guān)電源中開關(guān)管和輸出整流二...
2023-06-24 標簽：開關(guān)電源整流二極管功率半導(dǎo)體 797 0
一輛汽車需要哪些半導(dǎo)體器件？車規(guī)級芯片分類介紹
當finFET被提出時，相對于互連層而言，晶體管及相關(guān)邏輯單元制作工藝復(fù)雜度成比例增加。隨著更多晶體管技術(shù)被提出，這一差別有望延續(xù)至5nm，3nm和更低。
2023-06-16 標簽：汽車電子晶體管功率半導(dǎo)體 2.7k 0
概述安森美M 1 1200 V SiC MOSFET的關(guān)鍵特性及驅(qū)動條件
SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場中正迅速普及，因為它最初的一些可靠性問題已得到解決，并且價位已達到非常有吸引力的水平。
2023-06-16 標簽：MOSFETSiC功率半導(dǎo)體 885 0
安森美M1 1200 V SiC MOSFET動態(tài)特性分析
SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場中正迅速普及，因為它最初的一些可靠性問題已得到解決，并且價位已達到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多，必...
近年來，SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）等寬帶隙（WBG）功率半導(dǎo)體的開發(fā)和市場導(dǎo)入速度加快，但與硅相比成本較高的問題依然存在。
2023-06-15 標簽：功率器件GaN功率半導(dǎo)體 1.1k 0
近日，韓國企業(yè)EQ TechPlus宣布，他們開發(fā)了一種下一代氧化膜沉積設(shè)備，用于大規(guī)模生產(chǎn)SiC功率半導(dǎo)體，與采用傳統(tǒng)高溫?zé)嵫趸O(shè)備相比，該設(shè)備可以將...
2023-06-13 標簽：MOSFETSiC功率半導(dǎo)體 1.3k 0
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