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標簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導體器件基礎。
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GaN基功率開關(guān)器件能實現(xiàn)優(yōu)異的電能轉(zhuǎn)換效率和工作頻率,得益于平面型AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)中高濃度、高遷移率的二維電子氣(2DEG)。圖1示出絕緣柵...
2023-04-29 標簽:功率器件GaN開關(guān)器件 2040 0
通過對現(xiàn)有功率器件封裝方面文獻的總結(jié),從器件封裝結(jié)構(gòu)散熱路徑的角度可以將功率器件分為單面散熱器件、雙面散熱器件和多面散熱器件。
2023-04-26 標簽:pcb半導體技術(shù)功率器件 2162 0
SimpleFOC之多路PWM驅(qū)動,相電流監(jiān)測2
開關(guān)元器件的和嚴格意義并不是相同的。IGBT,MOS并不是理想開關(guān)器件,其開通時間和關(guān)斷時間不是嚴格一致的,如果兩端有電壓,將導致直流電源短路,損壞橋臂...
SimpleFOC之多路PWM驅(qū)動,相電流監(jiān)測1
開關(guān)元器件的和嚴格意義并不是相同的。IGBT,MOS并不是理想開關(guān)器件,其開通時間和關(guān)斷時間不是嚴格一致的,如果兩端有電壓,將導致直流電源短路,損壞橋臂...
陶瓷覆銅板是在高溫,流動氣氛下銅帶與陶瓷基片通過高溫熔煉和擴散過程而形成的一種高導熱、高絕緣強度的復合材料,既具有陶瓷的高導熱性、高電絕緣性、高機械強度...
在有限的封 裝空間內(nèi),如何把芯片的耗散熱及時高效的釋放到外界環(huán)境中以降低芯片結(jié)溫及器件內(nèi)部各封裝材料的工作溫度,已成 為當前功率器件封裝設計階段需要考慮...
MOSFET作為主要的開關(guān)功率器件之一,被大量應用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對其分析,有利于優(yōu)化MOSFET損耗,提高模塊電源的功率;但是...
我國擁有世界最大的汽車消費市場,為堅持可持續(xù)發(fā)展基本國策,需大力發(fā)展環(huán)保?節(jié)能?經(jīng)濟的電動汽車[1]?車主因擔心駕駛電動汽車突然沒電引起的焦慮問題主要有...
順應逆變器高頻化和集成化發(fā)展,針對開關(guān)頻率提高所帶來嚴重的電磁干擾問題,采用平面磁集成結(jié)構(gòu)實現(xiàn)雙級EMI濾波器。在EIE型磁芯上實現(xiàn)雙級EMI濾波器所需...
與 Si 器件相比, SiC 器件具有更加優(yōu)異的電氣性能, 新特性給其結(jié)溫評估帶來了新挑 戰(zhàn), 許多適用于 Si 器件的結(jié)溫評估方法可能不再適用于 Si...
今天給兄弟們分享一個infineon的文檔《使用功率MOSFET進行設計,如何避免常見問題和故障模式》,依然是我覺得比較好的。
碳化硅電機驅(qū)動系統(tǒng)電磁兼容建模技術(shù)研究
碳化硅功率器件依托其開關(guān)性能的優(yōu)勢,在電機驅(qū)動系統(tǒng)中得到了廣泛地應用,然而,其過快的開關(guān)響應速度及過大的開關(guān)振蕩給系統(tǒng)帶來了嚴重的EMI問題。通過采用理...
2023-04-07 標簽:電磁兼容驅(qū)動系統(tǒng)功率器件 1938 0
伴隨著功率器件 (包括 LED、LD、IGBT、CPV 等) 不斷發(fā)展,散熱成為影響器件性能與可靠性的關(guān)鍵技術(shù)。對于電子器件而言,通常溫度每升高 10°...
特斯拉車型采用CTC技術(shù)后,續(xù)航里程得到大幅提升、每千瓦時電池生產(chǎn)成本和資本投入也實現(xiàn)有效降低。
對 Ga2O3外延材料、功率二極管和功率晶體管的國內(nèi)外最新研究進行了概括總結(jié),展望了Ga2O3在未來的應用與發(fā)展前景。
低頻紋波是與輸出電路的濾波電容容量相關(guān)。由于開關(guān)電源體積的限制,電解電容的容量不可能無限制地增加,導致輸出低頻紋波的殘留,該輸出紋波頻率隨整流電路方式的...
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