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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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適用微型逆變器500-1000W控制板應(yīng)用方案,包含MCU設(shè)計(jì)參考例程,上海貝嶺功率mos,igbt,ldo,運(yùn)放,比較器,存儲(chǔ)器等在逆變器產(chǎn)品應(yīng)用的方案。
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(九)——功率半導(dǎo)體模塊的熱擴(kuò)散
樣品活動(dòng)進(jìn)行中,掃碼了解詳情/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì)...
2024-12-16 標(biāo)簽:功率器件測(cè)量功率半導(dǎo)體 1153 0
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(八)——利用瞬態(tài)熱阻計(jì)算二極管浪涌電流
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低...
隨著第三代半導(dǎo)體材料如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)的快速發(fā)展,功率器件的性能要求日益提高。傳統(tǒng)的封裝材料已無法滿足功率器件在高功率密度和高溫環(huán)境下...
2024-12-07 標(biāo)簽:封裝功率器件半導(dǎo)體材料 1553 0
SiC(碳化硅)功率器件正逐漸成為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的重要技術(shù),其相較于傳統(tǒng)的硅(Si)器件,特別是在高功率、高效率和高頻率應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)日益顯現(xiàn)。Wol...
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(七)——熱等效模型
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、SiCMOSFET高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率...
2024-12-03 標(biāo)簽:功率器件熱設(shè)計(jì)等效模型 1405 0
功率器件在多次循環(huán)雙脈沖測(cè)試中的應(yīng)用
隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,功率器件在電動(dòng)汽車、可再生能源、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。這些應(yīng)用對(duì)功率器件的性能和可靠性提出了更高的要求。特別是在電動(dòng)...
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(六)——瞬態(tài)熱測(cè)量
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本...
2024-11-26 標(biāo)簽:功率器件測(cè)量熱設(shè)計(jì) 1432 0
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(五)——功率半導(dǎo)體熱容
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低...
2024-11-19 標(biāo)簽:功率器件功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì) 735 0
基于環(huán)流系統(tǒng)的碳化硅功率器件可靠性研究
近日,在西安·曲江國際會(huì)議中心舉辦的2024中國電力電子與能量轉(zhuǎn)換大會(huì)暨中國電源學(xué)會(huì)第二十七屆學(xué)術(shù)年會(huì)及展覽會(huì)(CPEEC & CPSSC 20...
GaN功率器件的應(yīng)用在消費(fèi)類產(chǎn)品電源近年相當(dāng)普及,大大提升了電源的效率和功率密度,其優(yōu)點(diǎn)和用量遞增,也逐漸延伸到服務(wù)器和工業(yè)電源領(lǐng)域。 安森美(onse...
與Si材料相比,SiC半導(dǎo)體材料在物理特性上優(yōu)勢(shì)明顯,比如擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、耐高溫、熱傳導(dǎo)性好等,使其適合于制造高耐壓、低損耗功率器件。本篇章帶你詳細(xì)了解...
SiC外延生長(zhǎng)技術(shù)的生產(chǎn)過程及注意事項(xiàng)
SiC外延生長(zhǎng)技術(shù)是SiC功率器件制備的核心技術(shù)之一,外延質(zhì)量直接影響SiC器件的性能。目前應(yīng)用較多的SiC外延生長(zhǎng)方法是化學(xué)氣相沉積(CVD),本文簡(jiǎn)...
隨著全球?qū)稍偕茉春颓鍧嶋娏ο到y(tǒng)的需求不斷增長(zhǎng),光儲(chǔ)充一體化市場(chǎng)為實(shí)現(xiàn)能源的高效利用和優(yōu)化配置提供了創(chuàng)新解決方案。在此趨勢(shì)引領(lǐng)下,碳化硅(SiC)產(chǎn)業(yè)...
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(四)——功率半導(dǎo)體芯片溫度和測(cè)試方法
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本...
2024-11-12 標(biāo)簽:芯片功率器件功率半導(dǎo)體 1539 0
上海貝嶺功率器件在電動(dòng)輕便摩托車控制器的應(yīng)用解析
在中國電動(dòng)兩輪車已經(jīng)成為人們?nèi)粘I钪斜夭豢缮俚慕煌üぞ?。隨著電動(dòng)自行車國家標(biāo)準(zhǔn)的不斷改進(jìn),電動(dòng)自行車向著低速、高安全性和長(zhǎng)續(xù)航里程等方向逐漸演進(jìn)。與此...
先積產(chǎn)品在家用電器領(lǐng)域的應(yīng)用
先積產(chǎn)品在家用電器中的應(yīng)用PRODUCTAPPLICATION據(jù)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)分析,2023年家電板塊整體實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健增長(zhǎng),毛利率持續(xù)提升下利潤增速更快。2023...
浮思特 | 第四代場(chǎng)阻止型IGBT的抗鎖定能力和超越硅材極限的性能
由于其低導(dǎo)通損耗和開關(guān)能量損耗,IGBT廣泛應(yīng)用于高功率應(yīng)用領(lǐng)域,如電源、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)逆變器和電動(dòng)汽車等。對(duì)更先進(jìn)功率器件的需求促使了新型硅基開發(fā)及寬禁帶材...
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