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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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移相全橋拓?fù)渥鳛橐环N在電力電子領(lǐng)域廣泛應(yīng)用的電路結(jié)構(gòu),其工作原理和特性對(duì)于深入理解DC-DC變換器的設(shè)計(jì)和優(yōu)化至關(guān)重要。 一、基本原理 移相全橋拓?fù)涫且?..
24W電源模塊的設(shè)計(jì)涉及到多個(gè)方面,包括電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、功率器件選擇、控制策略、保護(hù)機(jī)制等。 電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu) 24W電源模塊通常采用開關(guān)電源技術(shù),其拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)...
2024-07-08 標(biāo)簽:開關(guān)電源電源模塊功率器件 1159 0
三相PWM逆變電路是一種將直流電能轉(zhuǎn)換為三相交流電能的電力電子裝置,廣泛應(yīng)用于工業(yè)、電力、交通等領(lǐng)域。本文將詳細(xì)介紹三相PWM逆變電路的特點(diǎn)、工作原理、...
2024-07-05 標(biāo)簽:數(shù)字信號(hào)功率器件直流電 1468 0
在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)技術(shù)對(duì)于推動(dòng)向電動(dòng)移動(dòng)性的轉(zhuǎn)變和提高可再生能源系統(tǒng)的效率至關(guān)重要。隨著市場需求的增加,功率半導(dǎo)體公司面臨著迅速擴(kuò)大生產(chǎn)能...
金屬封裝形式的氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管( VDMOS ), 在經(jīng)歷篩選試驗(yàn)后,管殼表面的金屬層出現(xiàn)了腐蝕形貌, 通過顯微鏡觀察、 掃描電鏡、 EDS 能...
? 氮化鎵(GaN)功率器件中千伏特?fù)舸╇妷旱难菔鹃L期以來一直激勵(lì)著電力電子和其他應(yīng)用的優(yōu)化。這是由于電力系統(tǒng)中轉(zhuǎn)換效率的潛力大大提高。GaN器件可分為...
過去十年,碳化硅(SiC)功率器件因其在功率轉(zhuǎn)換器中的高功率密度和高效率而備受關(guān)注。制造商們已經(jīng)開始采用碳化硅技術(shù)來開發(fā)基于各種半導(dǎo)體器件的功率模塊,如...
導(dǎo)熱硅脂作為一種散熱材料,在電子設(shè)備和其他應(yīng)用中發(fā)揮著重要的作用。主要起到以下幾個(gè)方面的功能:1、傳導(dǎo)熱量:導(dǎo)熱硅脂是一種導(dǎo)熱材料,其主要作用是加強(qiáng)熱量...
英飛凌CoolSiC? MOSFET G2,助力下一代高性能電源系統(tǒng)
所有現(xiàn)代硅功率器件都基于溝槽技術(shù),并已取代了平面技術(shù),那么碳化硅呢?就碳化硅而言,溝槽設(shè)計(jì)在性能優(yōu)勢方面與Si功率MOSFET技術(shù)的發(fā)展有許多相似之處。...
碳化硅(SiC)功率器件市場的爆發(fā)與行業(yè)展望
隨著全球?qū)﹄妱?dòng)汽車接納度的逐漸提高,碳化硅(SiC)在未來的十年里將迎來全新的增長機(jī)遇。預(yù)計(jì),將來功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)商和汽車行業(yè)的運(yùn)作商會(huì)更積極地參與到這...
2024-04-30 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車功率器件SiC 1553 0
SiC與GaN 功率器件中的離子注入技術(shù)挑戰(zhàn)
碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體預(yù)計(jì)將在電力電子器件中發(fā)揮越來越重要的作用。與傳統(tǒng)硅(Si)設(shè)備相比,它們具有更高的效率、功率...
Tanner L-Edit在功率器件設(shè)計(jì)中的應(yīng)用
像GaN、SiC,、第三代半導(dǎo)體、車用功率器件等功率器件是處理高電壓、大電流的半導(dǎo)體分立器件,常用在電子電力系統(tǒng)中進(jìn)行變壓、變頻、變流及功率管理等。功率...
2024-04-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電力系統(tǒng)功率器件 1365 0
在現(xiàn)代電子行業(yè),隨著能源效率要求的不斷提高和高溫、高頻、高壓應(yīng)用的增多,傳統(tǒng)的硅(Si)基功率器件正逐漸顯露出性能上的局限性。
2024-04-29 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車功率器件SiC 933 0
功率PCB設(shè)計(jì)要點(diǎn)詳細(xì)整理
功率器件在工作時(shí)會(huì)產(chǎn)生大量熱量,因此熱管理是功率PCB設(shè)計(jì)的首要任務(wù)。 散熱設(shè)計(jì):設(shè)計(jì)合適的散熱結(jié)構(gòu),如散熱片、熱導(dǎo)管等,以提高熱量的傳導(dǎo)效率。 ...
Tanner L-Edit在功率器件設(shè)計(jì)中的應(yīng)用有哪些呢?
像GaN、SiC,、第三代半導(dǎo)體、車用功率器件等功率器件是處理高電壓、大電流的半導(dǎo)體分立器件,常用在電子電力系統(tǒng)中進(jìn)行變壓、變頻、變流及功率管理等。
功率循環(huán)對(duì)IGBT 壽命的影響——準(zhǔn)確估算功率器件的壽命
內(nèi)容摘要供應(yīng)商們正在努力提高絕緣柵雙極晶體管(IGBT)、Si和SiCMOSFET以及其他功率器件的最大功率水平和電流負(fù)載能力,并同時(shí)保持高質(zhì)量a和可靠...
2024-04-26 標(biāo)簽:功率器件IGBTS功率循環(huán)測試 1618 0
在當(dāng)今追求高效能、高耐用性的電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)功率器件憑借其卓越性能,成為了領(lǐng)域內(nèi)的明星產(chǎn)品,它的出現(xiàn)預(yù)示著一次技術(shù)革命的悄然到來。
功率循環(huán)對(duì)IGBT壽命有何影響?如何準(zhǔn)確估算功率器件的壽命呢?
運(yùn)行過程中產(chǎn)生的高結(jié)溫和高溫度梯度會(huì)引起機(jī)械應(yīng)力,尤其是在具有不同熱膨脹系數(shù)的材料之間的接觸面上,這可能導(dǎo)致這些器件性能退化甚至完全失效。
晶體管級(jí)異質(zhì)集成技術(shù)及其實(shí)用案例分析
化合物半導(dǎo)體微波器件的典型特點(diǎn)是不同結(jié)型器件性能差異明顯,表1給出了幾種常用的化合物半導(dǎo)體微波器件與Si CMOS性能對(duì)比,另外化合物半導(dǎo)體還擁有GaA...
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