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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是電子工...
2024-10-06 標(biāo)簽:MOSFET電壓場(chǎng)效應(yīng)晶體管 9.3k 0
CoolGaN和增強(qiáng)型GaN區(qū)別是什么
CoolGaN和增強(qiáng)型GaN(通常指的是增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管,即e-mode HEMT)在概念上有所重疊,但具體來(lái)說(shuō),它們之間的區(qū)別主要體現(xiàn)在以下幾...
如何通過(guò)創(chuàng)新封裝技術(shù)提升功率器件性能
由于對(duì)提高功率密度的需求,功率器件、封裝和冷卻技術(shù)面臨獨(dú)特的挑戰(zhàn)。在功率轉(zhuǎn)換過(guò)程中,高溫和溫度波動(dòng)限制了設(shè)備的最大功率能力、系統(tǒng)性能和可靠性。本文將總結(jié)...
第一代半導(dǎo)體材料以硅(Si)和鍺(Ge)為代表,它們?yōu)榘雽?dǎo)體行業(yè)奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。隨著技術(shù)的發(fā)展,第二代半導(dǎo)體材料以砷化鎵(GaAs)和銻化銦(InSb...
探究電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中碳化硅功率器件封裝的三大核心技術(shù)
在電動(dòng)汽車(chē)、風(fēng)力發(fā)電等電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,碳化硅功率器件以其優(yōu)異的性能逐漸取代了傳統(tǒng)的硅基功率器件。然而,要充分發(fā)揮碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì),其封裝技術(shù)尤為關(guān)鍵。...
2024-08-19 標(biāo)簽:電感驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)功率器件 1k 0
雪崩耐量是功率器件性能評(píng)估的關(guān)鍵指標(biāo),那么什么是雪崩耐量呢?即向半導(dǎo)體的接合部施加較大的反向衰減偏壓時(shí),電場(chǎng)衰減電流的流動(dòng)會(huì)引起雪崩衰減,此時(shí)元件可吸收...
推挽式開(kāi)關(guān)電源的優(yōu)勢(shì)及工作原理
推挽式開(kāi)關(guān)電源是一種常見(jiàn)的電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。在推挽式開(kāi)關(guān)電源中,MOS管是核心的功率器件之一,其性能直接影響到整個(gè)電源系統(tǒng)的穩(wěn)定性...
2024-08-15 標(biāo)簽:電子設(shè)備功率器件電源拓?fù)?/a> 3k 0
DTS技術(shù)提高功率模塊可靠性方面發(fā)揮的關(guān)鍵作用
派恩杰半導(dǎo)體,中國(guó)第三代半導(dǎo)體功率器件的領(lǐng)先品牌,主營(yíng)碳化硅MOSFET、碳化硅SBD和氮化鎵HEMT等功率器件產(chǎn)品。在新能源汽車(chē)、光伏儲(chǔ)能、白色家電、...
功率半導(dǎo)體器件,特別是絕緣柵雙極型晶體管(IGBT),在新能源、軌道交通、電動(dòng)汽車(chē)、工業(yè)應(yīng)用和家用電器等諸多應(yīng)用中都是不可或缺的核心部件。尤其在新能源電...
pwm變換器驅(qū)動(dòng)電路的特點(diǎn)有哪些
PWM變換器驅(qū)動(dòng)電路是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的技術(shù),它通過(guò)調(diào)節(jié)脈沖寬度來(lái)控制功率器件的開(kāi)關(guān)狀態(tài),從而實(shí)現(xiàn)對(duì)輸出電壓和電流的精確控制。 PWM變換器驅(qū)...
2024-08-08 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)電路功率器件輸出信號(hào) 1.9k 0
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率器件。IGBT的寄生電容是指在IGBT內(nèi)部由于結(jié)構(gòu)原因產(chǎn)生的電容,這些電容會(huì)影響IGBT的...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極晶體管)是現(xiàn)代電力電子設(shè)備中常用的功率器件,廣泛應(yīng)用于焊機(jī)、變頻...
大功率IGBT和SiC MOSFET的并聯(lián)設(shè)計(jì)方案
隨著新能源技術(shù)的快速發(fā)展,對(duì)大功率半導(dǎo)體器件的需求日益增加。特別是在可再生能源領(lǐng)域,需要能夠承載巨大電流的功率器件。然而,由于生產(chǎn)成本、技術(shù)難度以及市場(chǎng)...
MOSFET超過(guò)耐壓值的原因、影響及檢測(cè)方法
在電子電路設(shè)計(jì)中,MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種常用的功率器件,具有高速開(kāi)關(guān)、低導(dǎo)通電阻、低驅(qū)動(dòng)功耗等優(yōu)點(diǎn)。然而,如果MOSFE...
2024-08-01 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管功率器件 2.5k 0
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的功率器件,其耐壓性能是其重要參數(shù)之一。 MOSFET耐壓測(cè)試的重要性 MOSFE...
2024-08-01 標(biāo)簽:MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管功率器件 4.7k 0
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率器件,其性能和可靠性在很大程度上取決于柵極電阻的選擇。如果IGBT的柵極電阻過(guò)小,可能會(huì)對(duì)...
三菱電機(jī)從事功率半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)已有六十多年的歷史,從早期的二極管、晶閘管,到MOSFET、IGBT和SiC器件,三菱電機(jī)一直致力于功率半導(dǎo)體芯片技術(shù)和...
安森美GaN功率器件iGaN NCP5892x系列更簡(jiǎn)單容易
GaN功率器件的應(yīng)用在消費(fèi)類產(chǎn)品電源近年相當(dāng)普及,大大提升了電源的效率和功率密度,其優(yōu)點(diǎn)和用量遞增,也逐漸延伸到服務(wù)器和工業(yè)電源領(lǐng)域。? 安森美(ons...
2024-07-23 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器安森美功率器件 1.3k 0
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