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標(biāo)簽 > 功率器件

功率器件

功率器件

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功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

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功率器件資訊

SiC功率器件的柵極驅(qū)動(dòng)器電路優(yōu)化?

SiC功率器件的柵極驅(qū)動(dòng)器電路優(yōu)化?

隨著新型功率晶體管(例如 SiC Mosfets)越來(lái)越多地用于電力電子系統(tǒng),因此有必要使用特殊的驅(qū)動(dòng)器。隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器通過(guò)提供對(duì) IGBT 和 MO...

2022-08-09 標(biāo)簽:功率器件SiC柵極驅(qū)動(dòng)器 2727 0

碳化硅功率器件面臨的挑戰(zhàn)

碳化硅功率器件面臨的挑戰(zhàn)

碳化硅 (SiC) 器件與高功率應(yīng)用中常用的硅器件相比具有多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)。SiC 功率器件仍然面臨一些大規(guī)模生產(chǎn)的挑戰(zhàn),包括縮放的限制因素、與 SiC 器件較...

2022-08-09 標(biāo)簽:功率器件碳化硅sic器件 2274 0

寬禁帶半導(dǎo)體的潛力

寬禁帶半導(dǎo)體的潛力

追求更高效的電子產(chǎn)品以功率器件為中心,而半導(dǎo)體材料則處于研發(fā)活動(dòng)的前沿。硅的低成本和廣泛的可用性使其在幾年前超越鍺成為主要的功率半導(dǎo)體材料。然而,今天,...

2022-08-08 標(biāo)簽:功率器件半導(dǎo)體材料寬禁帶半導(dǎo)體 1535 0

寬帶隙半導(dǎo)體提高新型功率器件的效率

寬帶隙半導(dǎo)體提高新型功率器件的效率

效率是所有工業(yè)部門(mén)的驅(qū)動(dòng)力,包括消費(fèi)部門(mén)。在電子系統(tǒng)中,效率會(huì)導(dǎo)致性能限制以及使用壽命縮短。然而,更高的效率推動(dòng)行業(yè)朝著更高的功率密度發(fā)展,并有可能擁有...

2022-08-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件寬帶隙半導(dǎo)體 909 0

用于下一代功率器件的金剛石基 GaN

用于下一代功率器件的金剛石基 GaN

由佐治亞理工學(xué)院機(jī)械工程學(xué)院領(lǐng)導(dǎo)的一個(gè)團(tuán)隊(duì)實(shí)施了一系列基于室溫表面活化鍵合(SAB)的結(jié)果,以鍵合具有不同夾層厚度的 GaN 和單晶金剛石。新開(kāi)發(fā)的技術(shù)...

2022-08-08 標(biāo)簽:工業(yè)功率器件GaN 2737 0

IGBT瑕疵事件影響現(xiàn)代“明星汽車(chē)”交付?亂局之下,國(guó)產(chǎn)IGBT迎來(lái)黃金期

日前,全球最大的汽車(chē)芯片供應(yīng)商英飛凌出現(xiàn)產(chǎn)品瑕疵問(wèn)題,致使該公司放棄了這批從今年4月初到6月初生產(chǎn)的IGBT芯片。據(jù)悉,這批芯片原計(jì)劃將被用于韓國(guó)現(xiàn)代汽...

2022-08-08 標(biāo)簽:英飛凌IGBT功率器件 2337 0

GaN下游:功率、射頻市場(chǎng)格局;國(guó)內(nèi)外產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

【核芯觀察】是電子發(fā)燒友編輯部出品的深度系列專(zhuān)欄,目的是用最直觀的方式令讀者盡快理解電子產(chǎn)業(yè)架構(gòu),理清上、中、下游的各個(gè)環(huán)節(jié),同時(shí)迅速了解各大細(xì)分環(huán)節(jié)中...

2022-08-07 標(biāo)簽:功率器件氮化鎵GaN 7605 0

簡(jiǎn)要介紹篩選后器件經(jīng)過(guò)馬拉松(Marathon)實(shí)驗(yàn)的典型結(jié)果

目前針對(duì)SiC的研究已相當(dāng)深入,仍有不少人關(guān)注SiC材料的柵氧能力,本文對(duì)此再做一個(gè)簡(jiǎn)要介紹。如圖1所示,相較于Si基材料,SiC與SiO2柵氧層界面缺...

2022-08-05 標(biāo)簽:功率器件SiC派恩杰 2356 0

GaN和SiC等寬帶隙技術(shù)的挑戰(zhàn)

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對(duì)硅替代品的探索始于上個(gè)世紀(jì)的最后二十年,當(dāng)時(shí)研究人員和大學(xué)對(duì)幾種寬帶隙材料進(jìn)行了試驗(yàn),這些材料顯示出在射頻、發(fā)光、傳感器和功率半導(dǎo)體等領(lǐng)域替代現(xiàn)有硅材...

2022-08-05 標(biāo)簽:二極管功率器件GaN 1032 0

功率器件市場(chǎng)演變及相關(guān)技術(shù)發(fā)展

功率器件市場(chǎng)演變及相關(guān)技術(shù)發(fā)展

如今,我們生活在一個(gè)由電氣化和自動(dòng)化驅(qū)動(dòng)的時(shí)代,特別注重減少污染和提高效率,電力電子市場(chǎng)正在朝著這些目標(biāo)發(fā)展。需要減少高 CO 2排放量以實(shí)現(xiàn)更清潔的環(huán)...

2022-08-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體工業(yè)功率器件 2027 0

羅姆阿波羅工廠新建 SiC 功率器件生產(chǎn)設(shè)施

羅姆阿波羅工廠新建 SiC 功率器件生產(chǎn)設(shè)施

日本筑后羅門(mén)阿波羅工廠增建了一座新廠房,旨在提高碳化硅(SiC)功率器件的生產(chǎn)能力。這個(gè)新工廠包括工廠自動(dòng)化和可再生節(jié)能技術(shù),以實(shí)現(xiàn)更綠色的制造過(guò)程。 ...

2022-08-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件SiC 803 0

集成汽車(chē) GaN 功率器件

集成汽車(chē) GaN 功率器件

意法半導(dǎo)體?在PCIM Europe?虛擬會(huì)議上首次向業(yè)界展示了該公司用于汽車(chē)應(yīng)用的集成式?STi 2 GaN系列 GaN 功率器件?。利用臺(tái)積電的 G...

2022-08-03 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件GaN 1022 0

中國(guó)視角下MOSFET行業(yè)供應(yīng)狀況簡(jiǎn)析

近期,由于東南亞持續(xù)爆發(fā)新冠病毒疫情,全球IDM(Integrated Devices Manufactures)工廠紛紛調(diào)整晶圓廠產(chǎn)能,減少消費(fèi)類(lèi)電子...

2022-08-03 標(biāo)簽:MOSFET晶體管功率器件 1414 0

寬禁帶材料測(cè)試

寬禁帶材料是指禁帶寬度大于2.3eV的半導(dǎo)體材料,以Ⅲ-Ⅴ族材料,SiC等最為常見(jiàn)。隨著電子電力的發(fā)展,功率器件的使用越來(lái)越多,SiC、GaN等被廣泛應(yīng)...

2022-08-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件SiC 1333 0

世強(qiáng)硬創(chuàng)已獲545家全球知名原廠授權(quán)代理

近日,世強(qiáng)先進(jìn)(深圳)科技股份有限公司(下稱(chēng)“世強(qiáng)先進(jìn)”)與三家芯片供應(yīng)商——沁恒、中科億海微、恒沁微,一家集成電路供應(yīng)商——華冠半導(dǎo)體,以及一家功率器...

2022-07-30 標(biāo)簽:芯片功率器件世強(qiáng) 2529 0

垂直GaN功率器件的最新進(jìn)展

垂直GaN功率器件的最新進(jìn)展

最近在推進(jìn)寬帶隙 (WBG) 電力電子器件方面取得了顯著進(jìn)展,這主要是由于其與 Si 器件相比具有更高的開(kāi)關(guān)頻率,以及它們因此能夠提高開(kāi)關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器...

2022-07-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體設(shè)計(jì)功率器件 2020 0

用于低溫應(yīng)用的GaN

用于低溫應(yīng)用的GaN

當(dāng)硅和寬禁帶器件(如碳化硅和垂直 GaN)的溫度下降時(shí),會(huì)出現(xiàn)兩個(gè)重要現(xiàn)象,如文章中所述:載流子遷移率隨著高性能參數(shù)電子-聲子相互作用的降低而上升。此外...

2022-07-29 標(biāo)簽:功率器件PID控制器HEMT 1376 0

深硅蝕刻技術(shù)使下一代功率器件成為可能

深硅蝕刻技術(shù)使下一代功率器件成為可能

包括汽車(chē)、工業(yè)、數(shù)據(jù)中心和能源行業(yè)在內(nèi)的多種電子應(yīng)用對(duì)大功率設(shè)備的需求正在增加。如今,功率器件必須滿(mǎn)足高效率、高功率密度、低功耗和出色的熱管理等嚴(yán)格要求...

2022-07-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件蝕刻 1665 0

提高寬帶隙功率器件的故障分析精度?

提高寬帶隙功率器件的故障分析精度?

在電氣領(lǐng)域,漏極和源極之間的漏電流 (I DSS ) 或柵極和源極之間的漏電流 (I GSS ) 是功率 MOSFET 故障的一般類(lèi)別。將故障分析集中在...

2022-07-29 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管功率器件 1163 0

適用于CSP GaN FET的簡(jiǎn)單且高性能的熱管理解決方案?

適用于CSP GaN FET的簡(jiǎn)單且高性能的熱管理解決方案?

本文將展示芯片級(jí)封裝 (CSP) GaN FET 如何提供至少與硅 MOSFET 相同(如果不優(yōu)于)的熱性能。由于其卓越的電氣性能,GaN FET 的尺...

2022-07-29 標(biāo)簽:pcbMOSFET功率器件 896 0

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    工業(yè)4.0是由德國(guó)政府《德國(guó)2020高技術(shù)戰(zhàn)略》中所提出的十大未來(lái)項(xiàng)目之一。該項(xiàng)目由德國(guó)聯(lián)邦教育局及研究部和聯(lián)邦經(jīng)濟(jì)技術(shù)部聯(lián)合資助,投資預(yù)計(jì)達(dá)2億歐元。旨在提升制造業(yè)的智能化水平,建立具有適應(yīng)性、資源效率及基因工程學(xué)的智慧工廠,在商業(yè)流程及價(jià)值流程中整合客戶(hù)及商業(yè)伙伴。
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    MMU是中文名是內(nèi)存管理單元,有時(shí)稱(chēng)作分頁(yè)內(nèi)存管理單元,它是一種負(fù)責(zé)處理中央處理器(CPU)的內(nèi)存訪問(wèn)請(qǐng)求的計(jì)算機(jī)硬件。它的功能包括虛擬地址到物理地址的轉(zhuǎn)換(即虛擬內(nèi)存管理)、內(nèi)存保護(hù)、中央處理器高速緩存的控制,在較為簡(jiǎn)單的計(jì)算機(jī)體系結(jié)構(gòu)中,負(fù)責(zé)總線(xiàn)的仲裁以及存儲(chǔ)體切換。
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編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專(zhuān)題

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時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開(kāi)關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線(xiàn)性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線(xiàn)充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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