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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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SiC功率器件的柵極驅(qū)動(dòng)器電路優(yōu)化?
隨著新型功率晶體管(例如 SiC Mosfets)越來(lái)越多地用于電力電子系統(tǒng),因此有必要使用特殊的驅(qū)動(dòng)器。隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器通過(guò)提供對(duì) IGBT 和 MO...
2022-08-09 標(biāo)簽:功率器件SiC柵極驅(qū)動(dòng)器 2727 0
碳化硅 (SiC) 器件與高功率應(yīng)用中常用的硅器件相比具有多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)。SiC 功率器件仍然面臨一些大規(guī)模生產(chǎn)的挑戰(zhàn),包括縮放的限制因素、與 SiC 器件較...
追求更高效的電子產(chǎn)品以功率器件為中心,而半導(dǎo)體材料則處于研發(fā)活動(dòng)的前沿。硅的低成本和廣泛的可用性使其在幾年前超越鍺成為主要的功率半導(dǎo)體材料。然而,今天,...
2022-08-08 標(biāo)簽:功率器件半導(dǎo)體材料寬禁帶半導(dǎo)體 1535 0
效率是所有工業(yè)部門(mén)的驅(qū)動(dòng)力,包括消費(fèi)部門(mén)。在電子系統(tǒng)中,效率會(huì)導(dǎo)致性能限制以及使用壽命縮短。然而,更高的效率推動(dòng)行業(yè)朝著更高的功率密度發(fā)展,并有可能擁有...
2022-08-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件寬帶隙半導(dǎo)體 909 0
由佐治亞理工學(xué)院機(jī)械工程學(xué)院領(lǐng)導(dǎo)的一個(gè)團(tuán)隊(duì)實(shí)施了一系列基于室溫表面活化鍵合(SAB)的結(jié)果,以鍵合具有不同夾層厚度的 GaN 和單晶金剛石。新開(kāi)發(fā)的技術(shù)...
IGBT瑕疵事件影響現(xiàn)代“明星汽車(chē)”交付?亂局之下,國(guó)產(chǎn)IGBT迎來(lái)黃金期
日前,全球最大的汽車(chē)芯片供應(yīng)商英飛凌出現(xiàn)產(chǎn)品瑕疵問(wèn)題,致使該公司放棄了這批從今年4月初到6月初生產(chǎn)的IGBT芯片。據(jù)悉,這批芯片原計(jì)劃將被用于韓國(guó)現(xiàn)代汽...
GaN下游:功率、射頻市場(chǎng)格局;國(guó)內(nèi)外產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
【核芯觀察】是電子發(fā)燒友編輯部出品的深度系列專(zhuān)欄,目的是用最直觀的方式令讀者盡快理解電子產(chǎn)業(yè)架構(gòu),理清上、中、下游的各個(gè)環(huán)節(jié),同時(shí)迅速了解各大細(xì)分環(huán)節(jié)中...
簡(jiǎn)要介紹篩選后器件經(jīng)過(guò)馬拉松(Marathon)實(shí)驗(yàn)的典型結(jié)果
目前針對(duì)SiC的研究已相當(dāng)深入,仍有不少人關(guān)注SiC材料的柵氧能力,本文對(duì)此再做一個(gè)簡(jiǎn)要介紹。如圖1所示,相較于Si基材料,SiC與SiO2柵氧層界面缺...
對(duì)硅替代品的探索始于上個(gè)世紀(jì)的最后二十年,當(dāng)時(shí)研究人員和大學(xué)對(duì)幾種寬帶隙材料進(jìn)行了試驗(yàn),這些材料顯示出在射頻、發(fā)光、傳感器和功率半導(dǎo)體等領(lǐng)域替代現(xiàn)有硅材...
功率器件市場(chǎng)演變及相關(guān)技術(shù)發(fā)展
如今,我們生活在一個(gè)由電氣化和自動(dòng)化驅(qū)動(dòng)的時(shí)代,特別注重減少污染和提高效率,電力電子市場(chǎng)正在朝著這些目標(biāo)發(fā)展。需要減少高 CO 2排放量以實(shí)現(xiàn)更清潔的環(huán)...
羅姆阿波羅工廠新建 SiC 功率器件生產(chǎn)設(shè)施
日本筑后羅門(mén)阿波羅工廠增建了一座新廠房,旨在提高碳化硅(SiC)功率器件的生產(chǎn)能力。這個(gè)新工廠包括工廠自動(dòng)化和可再生節(jié)能技術(shù),以實(shí)現(xiàn)更綠色的制造過(guò)程。 ...
意法半導(dǎo)體?在PCIM Europe?虛擬會(huì)議上首次向業(yè)界展示了該公司用于汽車(chē)應(yīng)用的集成式?STi 2 GaN系列 GaN 功率器件?。利用臺(tái)積電的 G...
中國(guó)視角下MOSFET行業(yè)供應(yīng)狀況簡(jiǎn)析
近期,由于東南亞持續(xù)爆發(fā)新冠病毒疫情,全球IDM(Integrated Devices Manufactures)工廠紛紛調(diào)整晶圓廠產(chǎn)能,減少消費(fèi)類(lèi)電子...
寬禁帶材料是指禁帶寬度大于2.3eV的半導(dǎo)體材料,以Ⅲ-Ⅴ族材料,SiC等最為常見(jiàn)。隨著電子電力的發(fā)展,功率器件的使用越來(lái)越多,SiC、GaN等被廣泛應(yīng)...
世強(qiáng)硬創(chuàng)已獲545家全球知名原廠授權(quán)代理
近日,世強(qiáng)先進(jìn)(深圳)科技股份有限公司(下稱(chēng)“世強(qiáng)先進(jìn)”)與三家芯片供應(yīng)商——沁恒、中科億海微、恒沁微,一家集成電路供應(yīng)商——華冠半導(dǎo)體,以及一家功率器...
最近在推進(jìn)寬帶隙 (WBG) 電力電子器件方面取得了顯著進(jìn)展,這主要是由于其與 Si 器件相比具有更高的開(kāi)關(guān)頻率,以及它們因此能夠提高開(kāi)關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器...
2022-07-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體設(shè)計(jì)功率器件 2020 0
當(dāng)硅和寬禁帶器件(如碳化硅和垂直 GaN)的溫度下降時(shí),會(huì)出現(xiàn)兩個(gè)重要現(xiàn)象,如文章中所述:載流子遷移率隨著高性能參數(shù)電子-聲子相互作用的降低而上升。此外...
包括汽車(chē)、工業(yè)、數(shù)據(jù)中心和能源行業(yè)在內(nèi)的多種電子應(yīng)用對(duì)大功率設(shè)備的需求正在增加。如今,功率器件必須滿(mǎn)足高效率、高功率密度、低功耗和出色的熱管理等嚴(yán)格要求...
在電氣領(lǐng)域,漏極和源極之間的漏電流 (I DSS ) 或柵極和源極之間的漏電流 (I GSS ) 是功率 MOSFET 故障的一般類(lèi)別。將故障分析集中在...
2022-07-29 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管功率器件 1163 0
適用于CSP GaN FET的簡(jiǎn)單且高性能的熱管理解決方案?
本文將展示芯片級(jí)封裝 (CSP) GaN FET 如何提供至少與硅 MOSFET 相同(如果不優(yōu)于)的熱性能。由于其卓越的電氣性能,GaN FET 的尺...
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