近期,2家臺(tái)灣企業(yè)正在加速推進(jìn)其SiC模塊工廠的建設(shè)
2024-03-18 10:52:32
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利用 SiC 功率器件開關(guān)頻率高、開關(guān)損耗低等優(yōu)點(diǎn), 將 SiC MOSFET 應(yīng)用于水下航行器大功率高速電機(jī)逆變器模塊, 對(duì)軟硬件進(jìn)行設(shè)計(jì)。
2024-03-13 14:31:46
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為滿足快速發(fā)展的電動(dòng)汽車行業(yè)對(duì)高功率密度 SiC 功率模塊的需求,進(jìn)行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全橋 SiC 功率模塊設(shè)計(jì)與開發(fā),提出了一種基于多疊層直接鍵合銅單元的功率模塊封裝方法來并聯(lián)更多的芯片。
2024-03-13 10:34:03
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近日,東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(以下簡稱“東芝”)宣布,位于日本西部兵庫縣姬路市的半導(dǎo)體工廠已啟動(dòng)新的功率半導(dǎo)體后端生產(chǎn)設(shè)施建設(shè)。這一舉措標(biāo)志著東芝在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的進(jìn)一步擴(kuò)展,以滿足日益增長的市場需求。據(jù)悉,新工廠預(yù)計(jì)將于2025年春季開始量產(chǎn)。
2024-03-12 10:23:57
247 SiC器件的核心優(yōu)勢在于其寬禁帶、高熱導(dǎo)率、以及高擊穿電壓。具體來說,SiC的禁帶寬度是硅的近3倍,這意味著在高溫下仍可保持良好的電性能;其熱導(dǎo)率是硅的3倍以上,有利于高功率應(yīng)用中的熱管理。
2024-03-08 10:27:15
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東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(東芝)近期宣布,已開始在位于日本西部兵庫縣的姬路運(yùn)營 - 半導(dǎo)體工廠建設(shè)功率半導(dǎo)體后端生產(chǎn)設(shè)施。新工廠將于2025年春季開始量產(chǎn)。
2024-03-07 18:26:21
585 和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓 大、開關(guān)頻率高等諸多優(yōu)點(diǎn),因而適用于更高工作頻 率的功率器件。但這些優(yōu)點(diǎn)同時(shí)也給SiC功率器件的互連封裝帶來了挑戰(zhàn)。
2024-03-07 14:28:43
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共讀好書 杜隆純 何勇 劉洪偉 劉曉鵬 (湖南國芯半導(dǎo)體科技有限公司 湖南省功率半導(dǎo)體創(chuàng)新中心) 摘要: 針對(duì)SiC功率器件封裝的高性能和高可靠性要求,文章研究了芯片雙面銀燒結(jié)技術(shù)與粗銅線超聲鍵合
2024-03-05 08:41:47
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采用多芯片并聯(lián)的SiC功率模塊,會(huì)產(chǎn)生較嚴(yán)重的電磁干擾和額外損耗,無法發(fā)揮SiC器件的優(yōu)良性能;SiC功率模塊雜散參數(shù)較大,可靠性不高。 (2)SiC功率高溫封裝技術(shù)發(fā)展滯后。
2024-03-04 10:35:49
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自2017年起就在國際空間站上服役的尼康D5相機(jī)將由Z 9接任,這意味著自阿波羅15號(hào)任務(wù)以來,已有超過50年的時(shí)間里尼康相機(jī)和鏡頭一直為NASA的太空探索活動(dòng)提供支持。
2024-03-01 14:24:23
213 摘要:隨著儲(chǔ)能變流器向大容量、模塊化發(fā)展,碳化硅(SiC)器件由于其低損耗、耐高溫的特性,逐漸成為研究熱點(diǎn)。然而SiC器件過高的開關(guān)速度使其對(duì)電路中雜散電感更加敏感,并且高溫運(yùn)行環(huán)境也會(huì)對(duì)器件長期
2024-02-22 09:39:26
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日本知名半導(dǎo)體制造設(shè)備制造商Disco近日宣布,將在日本廣島縣新建一座工廠,專注于生產(chǎn)用于晶圓生產(chǎn)的關(guān)鍵零部件。此舉旨在抓住客戶需求的增長,進(jìn)一步加快生產(chǎn)進(jìn)度,以滿足全球半導(dǎo)體市場的持續(xù)擴(kuò)張。
2024-01-18 15:52:15
431 ,硅基IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和碳化硅(SiC)功率器件是兩種主流的解決方案,它們?cè)谛履茉雌囍杏兄髯元?dú)特的應(yīng)用特點(diǎn)。
2024-01-15 09:51:54
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傳統(tǒng)的硅基功率器件在應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)時(shí),其性能已經(jīng)接近極限。碳化硅(SiC)功率器件的出現(xiàn),為電力電子行業(yè)帶來了革新性的改變,成為了解決這一問題的關(guān)鍵所在。
2024-01-06 11:06:57
130 隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,碳化硅(SiC)作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,因其獨(dú)特的物理特性,如高擊穿場強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高熱導(dǎo)率等,在功率器件領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。本文將對(duì)SiC功率器件的優(yōu)勢、應(yīng)用及發(fā)展進(jìn)行深入探討。
2023-12-28 09:25:56
152 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)在我們談?wù)摰谌雽?dǎo)體的時(shí)候,常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET(金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT(高電子
2023-12-27 09:11:36
1219 與存儲(chǔ)株式會(huì)社("東芝電子設(shè)備與存儲(chǔ)")合作生產(chǎn)和增加功率器件產(chǎn)量的計(jì)劃得到了經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省的認(rèn)可,并將作為支持日本政府實(shí)現(xiàn)安全穩(wěn)定的半導(dǎo)體供應(yīng)目標(biāo)的一項(xiàng)措施得到支持。ROHM 公司和東芝電子器件和存儲(chǔ)公司將分別在碳化硅(SiC)和硅(Si)功率器件方面加大投資力度,有效
2023-12-26 15:45:38
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功率等級(jí)的功率轉(zhuǎn)換、更快的開關(guān)速度、傳熱效率上也優(yōu)于硅材料。 本篇博客探討了SiC材料如何提升產(chǎn)品性能以超越基于硅材料的領(lǐng)域,從而為我們?nèi)碌臄?shù)字世界創(chuàng)造下一代解決方案。 硅基MOSFET、碳化硅(SiC)MOSFET、氮化鎵(GaN)HEMT或
2023-12-21 10:55:02
182 SiC材料具有兩倍于Si的電子飽和速度,使得SiC 器件具有極低的導(dǎo)通電阻(1/100 于Si),導(dǎo)通損耗低;SiC材料具有3倍于Si 的禁帶寬度,泄漏電流比Si 器件減少了幾個(gè)數(shù)量級(jí),從而可以減少功率器件的功率損耗。
2023-12-20 15:47:44
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隨著科技的快速發(fā)展,碳化硅(SiC)功率器件作為一種先進(jìn)的電力電子設(shè)備,已經(jīng)廣泛應(yīng)用于能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、電網(wǎng)保護(hù)等多個(gè)領(lǐng)域。本文將詳細(xì)介紹碳化硅功率器件的原理、應(yīng)用、技術(shù)挑戰(zhàn)以及未來發(fā)展趨勢。
2023-12-16 10:29:20
359 SiC 功率 MOSFET 和肖特基二極管正在快速應(yīng)用于電力電子轉(zhuǎn)換半導(dǎo)體 (PECS) 應(yīng)用,例如電動(dòng)汽車充電和牽引、儲(chǔ)能系統(tǒng)和工業(yè)電源。SiC 功率 MOSFET 已在電動(dòng)汽車車載充電器中得到
2023-12-15 09:42:45
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隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新型的半導(dǎo)體材料,在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比,碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高耐壓、高耐流等優(yōu)點(diǎn)
2023-12-14 09:14:46
240 半導(dǎo)體器件,這一計(jì)劃得到了日本政府的支持。 ROHM和東芝將分別對(duì)SiC和Si功率器件進(jìn)行密集投資,兩者將依據(jù)對(duì)方生產(chǎn)力優(yōu)勢進(jìn)行互補(bǔ),有效提高供應(yīng)能力。 兩家公司計(jì)劃在合作項(xiàng)目上花費(fèi)3883億日元(折合人民幣約193億元),其中日本政府可提供最高1294億日
2023-12-11 13:46:15
174 由于其寬帶隙和優(yōu)異的材料特性, SiC基功率電子器件現(xiàn)在正成為許多殺手級(jí)應(yīng)用的后起之秀,例如汽車、光伏、快速充電、PFC等。
2023-12-08 14:33:47
513 隨著科技的不斷進(jìn)步,電力電子設(shè)備在我們的日常生活和工業(yè)生產(chǎn)中發(fā)揮著越來越重要的作用。然而,隨著電力電子設(shè)備向著更高效、更小型化以及更可靠的方向發(fā)展,傳統(tǒng)的硅基功率器件已經(jīng)逐漸暴露出其局限性。此時(shí),碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的電力電子器件,以其獨(dú)特的優(yōu)勢逐漸受到人們的關(guān)注。
2023-12-06 09:53:18
381 大家元老們好,菜鳥想咨詢下,我明年想開一個(gè)生產(chǎn)傳感器的工廠,現(xiàn)在想了解一下生產(chǎn)傳感器需要的設(shè)備,和技術(shù),一般小型的工廠,需要投資多少錢。生產(chǎn)技術(shù)在哪里能拿到?
2023-11-29 10:07:42
了解SiC器件的命名規(guī)則
2023-11-27 17:14:49
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SiC 器件如何顛覆不間斷電源設(shè)計(jì)?
2023-11-23 16:17:41
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SiC驅(qū)動(dòng)器模塊具有較低的功耗、高溫運(yùn)行能力和快速開關(guān)速度等優(yōu)勢,使其在下一代功率器件中有著廣闊的應(yīng)用前景。SiC驅(qū)動(dòng)器模塊可以用于電動(dòng)車的電力系統(tǒng)、可再生能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)、工業(yè)電力電子裝置和航空航天
2023-11-16 15:53:30
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11月8日,百度阿波羅智行(西南)人工智能基礎(chǔ)數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)基地(以下簡稱“百度自貢數(shù)據(jù)基地”)在自貢市數(shù)據(jù)標(biāo)注產(chǎn)業(yè)基地現(xiàn)場工作推進(jìn)會(huì)上揭牌, 標(biāo)志百度Apollo西南首個(gè)數(shù)據(jù)標(biāo)注基地正式啟動(dòng)運(yùn)營 。這是
2023-11-13 18:00:02
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燒錄到75%就斷開了,是什么問題
2023-11-03 07:49:07
MCT 是一種新型MOS 與雙極復(fù)合型器件。如上圖所示。MCT是將 MOSFET 的高阻抗、低驅(qū)動(dòng)圖 MCT 的功率、快開關(guān)速度的特性與晶閘管的高壓、大電流特型結(jié)合在一起,形成大功率、高壓、快速全控型器件。
2023-11-01 15:25:16
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工廠生產(chǎn)過程中,電力是不可或缺的重要資源。為了提高生產(chǎn)效率和生產(chǎn)質(zhì)量,工廠需要確保充足的電力供應(yīng),并采取一系列措施來提高有功功率。那么,哪有有效的措施可以提高工廠生產(chǎn)用電的有功功率呢?
2023-10-30 14:43:38
415 1、SiC MOSFET對(duì)器件封裝的技術(shù)需求
2、車規(guī)級(jí)功率模塊封裝的現(xiàn)狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來模塊封裝發(fā)展趨勢及看法
2023-10-27 11:00:52
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多達(dá)1,000名當(dāng)?shù)毓と耍饕钛a(bǔ)高技術(shù)職位 - 比目前的約2,300名員工增加了40%以上。 碳化硅器件對(duì)于電動(dòng)汽車 (EV)、能源基礎(chǔ)設(shè)施和大功率電動(dòng)汽車插座的功率轉(zhuǎn)換不可或缺。在可預(yù)見的未來,由于對(duì)SiC芯片的需求迅速增加,對(duì)這些產(chǎn)品的需求將超過供應(yīng)。富
2023-10-26 17:26:58
746 SiC器件的主要用途是車載設(shè)備。SiC器件可以使純電動(dòng)汽車、混合動(dòng)力車的電機(jī)控制系統(tǒng)損失的功率降低到1/10,實(shí)現(xiàn)低功耗化;同時(shí),能將新能源汽車的效率提高10%,使用SiC工藝生產(chǎn)的功率器件的導(dǎo)通電
2023-10-25 09:40:33
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安森美(onsemi)宣布,其位于韓國富川的先進(jìn)碳化硅 (SiC) 超大型制造工廠的擴(kuò)建工程已經(jīng)完工。全負(fù)荷生產(chǎn)時(shí),該晶圓廠每年將能生產(chǎn)超過一百萬片 200?mm SiC 晶圓。為了支持 SiC
2023-10-24 15:55:22
780 在商業(yè)應(yīng)用中利用寬帶隙碳化硅(SiC)的獨(dú)特電氣優(yōu)勢需要解決由材料機(jī)械性能引起的可靠性挑戰(zhàn)。憑借其先進(jìn)的芯片粘接技術(shù),Vincotech 處于領(lǐng)先地位。 十多年前首次推出的SiC功率模塊可能會(huì)
2023-10-23 16:49:36
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三菱電機(jī)將投資Coherent的新SiC業(yè)務(wù); 旨在通過與Coherent的縱向合作來發(fā)展SiC功率器件業(yè)務(wù)。 三菱電機(jī)集團(tuán)近日(2023年10月10日)宣布已與Coherent達(dá)成協(xié)議,將SiC
2023-10-18 19:17:17
368 sic功率半導(dǎo)體上市公司 sic功率半導(dǎo)體上市公司有三安光電、露笑科技、楚江新材、天通股份、東尼電子、華潤微、揚(yáng)杰科技、捷捷微電、華微電子、斯達(dá)半導(dǎo)、聞泰科技等公司,注意以上信息僅供參考,如果想了
2023-10-18 16:14:30
586 航天器的重要組成部分——供配電系統(tǒng)和二次電源的發(fā)展面臨兩方面的挑戰(zhàn),一方面是小型化和輕量化,另一方面是大功率和超大功率航天器的需求。在超大功率方面,目前硅基功率器件的功率容量和工作頻率已不能滿足設(shè)計(jì)要求,限制了宇航電源技術(shù)的發(fā)展,因此SiC功率器件的替代應(yīng)用已勢在必行。
2023-10-18 10:34:31
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碳化硅(SiC)功率器件是由硅和碳制成的半導(dǎo)體,用于制造電動(dòng)汽車、電源、電機(jī)控制電路和逆變器等高壓應(yīng)用的功率器件。
2023-10-17 09:43:16
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除牽引逆變器外,輔助轉(zhuǎn)換器、鐵路電池充電器和DC-DC轉(zhuǎn)換器尤其受益于SiC功率模塊帶來的開關(guān)頻率提升。開關(guān)頻率的增加通常允許減小無源元件(如變壓器、電感器或電容器)的尺寸。此外,較高的開關(guān)頻率可能允許使用不同的軟磁芯材料。它提供了提高效率和降低成本的潛力。
2023-10-15 11:40:03
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英飛凌如何控制和保證基于 SiC 的功率半導(dǎo)體器件的可靠性
2023-10-11 09:35:49
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電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)AD9084: 阿波羅MxFE Quad, 16比特, 28 普普惠戰(zhàn)略(普惠戰(zhàn)略)RF 發(fā)援會(huì)和夸德, 12比特, 20 普惠戰(zhàn)略(普惠戰(zhàn)略)RF ADC初步
2023-10-09 18:45:52

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)AD9088: 阿波羅MxFE Octal, 16Bit, 16PSS RF DAC和Octal, 12Bit, 8 PSS RF ADC初步數(shù)據(jù)表相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)
2023-10-09 18:45:25

傳統(tǒng)的功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)是采用鉛或無鉛焊接合金把器件的一個(gè)端面貼合在熱沉襯底上,另外的端面與10-20mil鋁線楔或金線鍵合在一起。這種方法在大功率、高溫工作條件下缺乏可靠性,而且不具備足夠的堅(jiān)固性。
2023-10-09 15:20:58
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原子提供了很多的例程,真的非常棒emwin測試也是找的例程,阿波羅stm32f767 資料盤(a盤)4,程序源碼3,擴(kuò)展例程3,emwin擴(kuò)展例程emwin實(shí)驗(yàn)1 stemwin無操作系統(tǒng)移植,新建了application文件夾,添加了自己的顯示代碼以上
2023-10-09 08:57:50
長電科技在功率器件封裝領(lǐng)域積累了數(shù)十年的技術(shù)經(jīng)驗(yàn),具備全面的功率產(chǎn)品封裝外形,覆蓋IGBT、SiC、GaN等熱門產(chǎn)品的封裝和測試。
2023-10-07 17:41:32
398 前言
碳化硅(SiC)材料是功率半導(dǎo)體行業(yè)主要進(jìn)步發(fā)展方向,用于制作功率器件,可顯著提高電能利用率。SiC器件的典型應(yīng)用領(lǐng)域包括:新能源汽車、5G通訊、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)等現(xiàn)代工業(yè)領(lǐng)域,在
2023-10-07 10:12:26
碳化硅(silicon carbide,SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件,具有耐高壓、高溫,導(dǎo)通電阻低,開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。
2023-09-27 10:08:55
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機(jī)械保護(hù)和使用不同半導(dǎo)體器件實(shí)現(xiàn)的固態(tài)斷路器(SSCB)的優(yōu)缺點(diǎn),還將討論為什么SiC固態(tài)斷路器日益受到人們青睞。一、保護(hù)電力基礎(chǔ)設(shè)施和設(shè)備輸配電系統(tǒng)以及靈敏設(shè)備都
2023-09-26 17:59:09
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碳化硅(SiC)MOS管作為一種新型功率器件,與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比,在某些特定條件下具有獨(dú)特的優(yōu)勢,但也存在一定的不足。KeepTops告訴你碳化硅MOS管的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。
2023-09-26 16:59:07
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SiC器件是一種新型的硅基MOSFET,特別是SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結(jié)組成。
在眾多的半導(dǎo)體器件中,碳化硅材料具有低熱導(dǎo)率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29
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本文研究SiC碳化硅功率模塊及分立器件,功率模塊主要包括碳化硅MOSFET模塊(SiC MOSFET Module),分立器件包括碳化硅MOSFET分立器件和碳化硅二極管(主要是碳化硅肖特二極管)。
2023-09-08 11:30:45
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,該組件是電動(dòng)汽車的關(guān)鍵組件。 碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體應(yīng)用于控制電動(dòng)汽車 (EV)、電子產(chǎn)品和5G通信網(wǎng)絡(luò)中的電流和功率轉(zhuǎn)換方向。由于其耐用性和穩(wěn)定性,SiC功率半導(dǎo)體正在迅速取代硅 (Si) 功率半導(dǎo)體。 在一份聲明中釜山市表示,該工廠將用于生產(chǎn)晶圓等功率半導(dǎo)體材料
2023-08-30 15:46:01
372 去年,功率 SiC 市場宣布了一系列具有影響力的合作,有趣的是,不僅是在之前看到的晶圓和材料層面,而是在整個(gè)功率 SiC 生態(tài)系統(tǒng)中。
2023-08-25 17:35:49
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范圍內(nèi)控制必要的p型、n型,所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體(結(jié)晶多系),它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作,4H-SiC最為
2023-08-21 17:14:58
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隨著科技發(fā)展,靜電現(xiàn)象已在靜電噴涂、靜電紡織、靜電分選、靜電成像等領(lǐng)域得到廣泛的有效應(yīng)用。但在另一方面,靜電的產(chǎn)生在許多領(lǐng)域會(huì)帶來重大危害和損失。例如在個(gè)阿波羅載人宇宙飛船中,由于靜電放電導(dǎo)致爆炸,使三名宇航員喪生;在火藥制造過程中由于靜電放電(ESD),造成爆炸傷亡的事故時(shí)有發(fā)生。
2023-08-18 14:42:03
379 在汽車行業(yè)的應(yīng)用趨勢碳化硅(SiliconCarbide,簡稱SiC)是一種重要的半導(dǎo)體材料,具有廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。在電動(dòng)汽車中,碳化硅功率器件的應(yīng)用主要為兩個(gè)方向,一個(gè)
2023-08-17 16:41:23
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在功率電子領(lǐng)域,要論如今炙手可熱的器件,SiC要說是第二,就沒有人敢說第一了。隨著原有的Si基功率半導(dǎo)體器件逐漸接近其物理極限,由第三代SiC功率器件接棒來沖刺更高的性能,已經(jīng)是大勢所趨。 與傳統(tǒng)
2023-08-16 08:10:05
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碳化硅(SiC)作為一個(gè)新興的寬帶隙半導(dǎo)體材料,已經(jīng)吸引了大量的研究關(guān)注。其優(yōu)越的電氣性能、高溫穩(wěn)定性和高頻響應(yīng)使其在功率電子器件領(lǐng)域中具有巨大的應(yīng)用潛力。但要完全發(fā)揮SiC功率器件的潛力,封裝技術(shù)同樣至關(guān)重要。本文主要探討碳化硅功率器件封裝的三個(gè)關(guān)鍵技術(shù)。
2023-08-15 09:52:11
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SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG),因?yàn)閷⑦@些材料的電子從價(jià)帶炸毀到導(dǎo)帶所需的能量:而在硅的情況下,該能量為1.1eV,SiC(碳化硅)為3.3eV,GaN(氮化鎵)為3.4eV。這導(dǎo)致了更高的適用擊穿電壓,在某些應(yīng)用中可以達(dá)到1200-1700V。
2023-08-09 10:23:39
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對(duì)于SiC功率MOSFET技術(shù),報(bào)告指出,650-1700V SiC MOSFET技術(shù)快速迭代,單芯片電流可達(dá)200A。提升電流密度同時(shí),解決好特有可靠性問題是提高技術(shù)成熟度關(guān)鍵。
2023-08-08 11:05:57
428 功率器件可靠性
2023-08-07 14:51:53
2 由于應(yīng)用領(lǐng)域特殊,項(xiàng)目對(duì)功率器件的性能和可靠性均提出了極高的要求。而作為第一家獲得導(dǎo)入的中國SiC功率器件企業(yè),利普思以其國際化的專業(yè)團(tuán)隊(duì)、高性能高可靠的產(chǎn)品,贏得了客戶的信任和認(rèn)可。
2023-08-04 15:21:06
431 碳化硅(silicon carbide,SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件,具有耐高壓、高溫,導(dǎo)通電阻低,開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。
2023-08-03 14:34:59
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路透社20日發(fā)表聲明稱,麥格納設(shè)施將支援福特生產(chǎn)新一代電動(dòng)卡車。福特園區(qū)的一家工廠將生產(chǎn)提供給卡車的電池外殼,另一家工廠將生產(chǎn)聚氨酯泡沫和坐墊。
2023-07-21 11:35:39
848 2023年7月12日,羅姆宣布將收購原Solar Frontier國富工廠(宮崎縣國富町),以擴(kuò)大SiC(碳化硅)功率半導(dǎo)體的產(chǎn)能。
2023-07-13 17:42:17
572 碳化硅(SiC)功率器件是一種基于碳化硅材料的半導(dǎo)體器件,具有許多優(yōu)勢和廣泛的應(yīng)用前景。
2023-06-28 09:58:09
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20+場報(bào)告,涵蓋材料、封裝、應(yīng)用和技術(shù)趨勢4大板塊。 當(dāng)前各大車企及Tier1均已布局或采用SiC功率器件與模塊,以提高補(bǔ)電效率和續(xù)航里程,但同時(shí)也帶來了新的技術(shù)挑戰(zhàn)。如SiC器件導(dǎo)入如何提高效率
2023-06-27 16:06:52
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SiC(碳化硅)功率元器件領(lǐng)域的先進(jìn)企業(yè) ROHM Co., Ltd. (以下簡稱“羅姆”)于2023年6月19日與全球先進(jìn)驅(qū)動(dòng)技術(shù)和電動(dòng)化解決方案大型制造商緯湃科技(以下簡稱“Vitesco
2023-06-21 08:10:02
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SiC(碳化硅)功率元器件領(lǐng)域的先進(jìn)企業(yè)ROHM Co., Ltd. (以下簡稱“羅姆”)于2023年6月19日與全球先進(jìn)驅(qū)動(dòng)技術(shù)和電動(dòng)化解決方案大型制造商緯湃科技(以下簡稱“Vitesco”)簽署
2023-06-20 16:14:54
139 基于SiC器件的電力電子變流器研究
2023-06-20 09:36:23
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GeneSiC高速高壓SiC驅(qū)動(dòng)大功率創(chuàng)新
2023-06-16 11:08:58
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可為各種器件提供高效率的功率傳輸應(yīng)用領(lǐng)域,如電動(dòng)汽車快速充電、數(shù)據(jù)中心電源、可再生能源、能源等存儲(chǔ)系統(tǒng)、工業(yè)和電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
SiC碳化硅器件按照電阻性能不同分為導(dǎo)電型碳化硅功率器件和半絕緣型碳化硅基射頻器件。其中導(dǎo)電型碳化硅功率器件主要用于新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、數(shù)據(jù)中心、充電等領(lǐng)域,而新能源汽車又是SiC碳化硅功率器件的最大應(yīng)用市場,占整個(gè)SiC碳化硅功率器件市場的絕大部分。
2023-06-09 16:29:57
616 SiC(碳化硅)功率器件以其耐高溫、耐高壓、低開關(guān)損耗等特性,能有效實(shí)現(xiàn)電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化、輕量化、高功率密度等要求,受到了新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的追捧。
2023-06-09 15:20:53
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阿波羅(Apollo)是百度發(fā)布的面向汽車行業(yè)及自動(dòng)駕駛領(lǐng)域的合作伙伴提供的軟件平臺(tái)。發(fā)布時(shí)間是2017年4月19日,旨在向汽車行業(yè)及自動(dòng)駕駛領(lǐng)域的合作伙伴提供一個(gè)開放、完整、安全的軟件
2023-06-02 16:18:54
0 三菱電機(jī)和材料、網(wǎng)絡(luò)和激光領(lǐng)域的開拓者Coherent近日(2023年5月26日)宣布,雙方已簽署一份諒解備忘錄,將在擴(kuò)大生產(chǎn)200mm SiC功率器件方面進(jìn)行合作。
2023-06-02 16:03:33
570 三菱電機(jī)事業(yè)本部總經(jīng)理 Takemi 表示:“功率器件和高頻/光學(xué)器件都是強(qiáng)大的業(yè)務(wù),許多產(chǎn)品組在全球市場占有率很高。我們提供實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展社會(huì)不可或缺的關(guān)鍵器件, ”同時(shí)表示,“實(shí)現(xiàn)碳中和的功率器件是高效功率控制和電機(jī)控制的技術(shù)進(jìn)步。
2023-05-31 16:04:40
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據(jù)悉,瑞薩電子將用于處理系統(tǒng)的尖端邏輯半導(dǎo)體的生產(chǎn)外包給代工廠,這些系統(tǒng)的開發(fā)和投資成本很高。功率半導(dǎo)體則在內(nèi)部生產(chǎn),2014年關(guān)閉的甲府工廠也將于2024年上半年重新開始運(yùn)營,開始生產(chǎn)使用硅的功率半導(dǎo)體。
2023-05-24 17:06:24
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Wolfspeed WolfPACK TM 是一款全 SiC 模塊,便于在單個(gè)封裝內(nèi)集成電路拓?fù)洌瑥亩詷?biāo)準(zhǔn)尺寸為功率電路提供更高的安培容量。該模塊體積緊湊,易于安裝啟用,在相同的配置條件下,與多種
2023-05-24 11:07:00
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NASA埃姆斯研究中心時(shí),發(fā)現(xiàn)這種方法能幫助解決阿波羅計(jì)劃的軌道預(yù)測問題,后來NASA在阿波羅飛船的導(dǎo)航系統(tǒng)中確實(shí)也用到了這個(gè)濾波器。最終,飛船正確駛向月球,完成了人類歷史上的第一次登月。
2023-05-18 10:24:54
0 這些挑戰(zhàn)。與硅相比,SiC器件具有更低的導(dǎo)通電阻和更快的開關(guān)速度,并且能夠在更高的結(jié)溫下耐受更大的電壓和電流。這些特性結(jié)合其更小的尺寸以及更高的效率,提高了功率密度,這使SiC成為了許多重要EV應(yīng)用中的關(guān)鍵技術(shù)。據(jù)我們估計(jì)
2023-05-11 20:16:34
224 使用STM32F429阿波羅開發(fā)板,在env中把控制臺(tái)配置成uart2,為什么不能用?
2023-04-27 10:39:20
碳化硅(SiC)器件是一種新興的技術(shù),具有傳統(tǒng)硅所缺乏的多種特性。SiC具有比Si更寬的帶隙,允許更高的電壓阻斷,并使其適用于高功率和高電壓應(yīng)用。此外,SiC還具有比Si更低的熱阻,這意味著它可以更有效地散熱,具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:16
1469 標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品,并與具有高技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)和高品質(zhì)要求的供應(yīng)商合作。在這過程中,ROHM作為ApexMicrotechnology的SiC功率元器件供應(yīng)商脫穎而出。ROHM的服務(wù)和技術(shù)支持都非常出色,使得我們能夠
2023-03-29 15:06:13
阿波羅STM32F429 DEVB_121X160MM 6~24V
2023-03-28 13:06:25
阿波羅STM32F429核心板 DEVB_65X45MM 5V
2023-03-28 13:06:25
阿波羅STM32F767核心板 DEVB_65X45MM 5V
2023-03-28 13:06:25
阿波羅STM32F767 DEVB_121X160MM 6~24V
2023-03-28 13:06:24
阿波羅STM32H743 DEVB_121X160MM 6~24V
2023-03-28 13:06:24
阿波羅STM32H743核心板 DEVB_65X45MM 5V
2023-03-28 13:06:23
ATK-阿波羅STM32H743核心板 DEVB_65X45MM 5V
2023-03-28 13:05:54
尺寸:121mm*160mm,工作電壓:USB 供電/DC6~24V 供電,工作電流:75~175mA@5V(不帶任何其他外設(shè)),工作溫度: -20℃~+70℃
2023-03-28 13:02:27
全球SiC器件產(chǎn)能到2027年將增長兩倍,排名前五的公司是:ST、英飛凌、Wolfspeed、onsemi和ROHM。Yole Intelligence的分析師預(yù)測,未來五年SiC器件市場價(jià)值將達(dá)到60億美元,并可能在2030年代初達(dá)到100億美元。
2023-03-27 11:10:00
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評(píng)論