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標簽 > 功率場效應管
功率場效應管一般指功率MOS場效應晶體管,功率MOS場效應晶體管,即MOSFET,其原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體),F(xiàn)ET(Field Effect Transistor場效應晶體管),即以金屬層(M)的柵極隔著氧化層(O)利用電場的效應來控制半導體(S)的場效應晶體管。
功率MOS場效應晶體管的種類:按導電溝道可分為P溝道和N溝道。按柵極電壓幅值可分為;耗盡型;當柵極電壓為零時漏源極之間就存在導電溝道,增強型;對于N(P)溝道器件,柵極電壓大于(小于)零時才存在導電溝道,功率MOSFET主要是N溝道增強型。
功率場效應管的基本特性,如何提高功率MOSFET的動態(tài)性能
MOSFET的漏伏安特性(輸出特性):截止區(qū)(對應GTR的截止區(qū));飽和區(qū)(對應于GTR的放大區(qū));非飽和區(qū)(對應于GTR的飽和區(qū))。功率MOSFET在...
功率場效應管是一種可控硅晶體管,它是一種由金屬氧化物半導體構成的三極管,具有較低的額定電壓、較大的漏電流和較慢的開關速度等特點。
CIS(CMOS圖像傳感器)廠商:深圳比亞迪微電子有限公司簡介
深圳比亞迪微電子有限公司是比亞迪集團旗下的獨立子公司,自2003年開始致力于集成電路及功率器件的開發(fā),并提供產品應用的整套解決方案。比亞迪微電子立足于自...
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日前,集設計,開發(fā)和全球銷售的功率半導體供應商AOS半導體有限公司(AOS),發(fā)布了具有行業(yè)領先標準的高功率密度和高效能的功率MOSFET,它們的DFN...
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