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      標(biāo)簽　>　功率密度

      功率密度

      +關(guān)注0人關(guān)注

      功率密度在不同的場(chǎng)合有不同的含義：照明功率密度。單位面積的照明安裝功率，用LPD表示，單位是瓦/平方米。

      文章：84個(gè) 瀏覽：17283次 帖子：10個(gè)

      功率密度技術(shù)

      天線方向圖的特征參數(shù)與天線的方向圖作圖

      天線方向圖的特征參數(shù)與天線的方向圖作圖

      天線方向圖可以用極坐標(biāo)繪制，也可以用直角坐標(biāo)繪制。極坐標(biāo)方向圖的特點(diǎn)是直觀、簡(jiǎn)單，從方向圖可以直接看出天線輻射場(chǎng)強(qiáng)的空間分布特性。但當(dāng)天線方向圖的主瓣窄...

      2018-07-13 標(biāo)簽：天線功率密度方向圖 4.3萬(wàn) 0

      感應(yīng)電機(jī)、永磁電機(jī)、開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)三類的優(yōu)缺點(diǎn)對(duì)比

      永磁電機(jī)由于其效率和功率因數(shù)高及轉(zhuǎn)速范圍大等優(yōu)點(diǎn)，在高速應(yīng)用領(lǐng)域備受青睞。相對(duì)于外轉(zhuǎn)子永磁電機(jī)，內(nèi)轉(zhuǎn)子永磁電機(jī)具有轉(zhuǎn)子半徑小及可靠性強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn)，成為高速電機(jī)首選。

      2019-03-20 標(biāo)簽：永磁電機(jī)感應(yīng)電機(jī)功率密度 4.0萬(wàn) 0

      如何解決功率密度問(wèn)題

      如何解決功率密度問(wèn)題

      集成是固態(tài)電子產(chǎn)品的基礎(chǔ)，將類似且互補(bǔ)的功能匯集到單一器件中的能力驅(qū)動(dòng)著整個(gè)行業(yè)的發(fā)展。隨著封裝、晶圓處理和光刻技術(shù)的發(fā)展，功能密度不斷提高，在物理尺寸...

      2018-05-25 標(biāo)簽：安森美半導(dǎo)體功率密度同步降壓穩(wěn)壓器 1.4萬(wàn) 0

      永磁電機(jī)和勵(lì)磁電機(jī)的區(qū)別

      勵(lì)磁電機(jī)是指使用電流激勵(lì)來(lái)形成磁場(chǎng)的電機(jī)。當(dāng)電流通過(guò)繞組時(shí)，會(huì)在鐵芯中產(chǎn)生磁場(chǎng)，從而產(chǎn)生電磁力，驅(qū)動(dòng)電機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn)。相對(duì)于永磁電機(jī)，勵(lì)磁電機(jī)的磁極數(shù)更靈活，更...

      2023-08-26 標(biāo)簽：永磁電機(jī)勵(lì)磁功率密度 1.3萬(wàn) 0

      使用寬帶隙技術(shù)最大限度地提高高壓轉(zhuǎn)換器的功率密度

      使用寬帶隙技術(shù)最大限度地提高高壓轉(zhuǎn)換器的功率密度

      提高功率密度和縮小電源并不是什么新鮮事。預(yù)計(jì)這一趨勢(shì)將持續(xù)下去，從而實(shí)現(xiàn)新的市場(chǎng)、應(yīng)用和產(chǎn)品。這篇博客向設(shè)計(jì)工程師介紹了意法半導(dǎo)體（ST）的電源解決方案...

      2023-11-16 標(biāo)簽：晶體管氮化鎵GaN 9.9k 0

      詳解雷達(dá)散射截面（RCS)

      雷達(dá)散射截面（RCS)是雷達(dá)隱身技術(shù)中最關(guān)鍵的概念，它表征了目標(biāo)在雷達(dá)波照射下所產(chǎn)生回波強(qiáng)度的一種物理量。雷達(dá)目標(biāo)和散射的能量可以表示為一個(gè)有效面積和入...

      2023-02-28 標(biāo)簽：雷達(dá)截面雷達(dá)系統(tǒng) 8.3k 0

      凸極電機(jī)是什么意思

      凸極電機(jī)是一種電機(jī)類型，其特點(diǎn)是定子上的磁極為凸出形狀，而不是平面形狀。與平極電機(jī)相比，凸極電機(jī)具有更高的功率密度和更高的效率，因?yàn)橥箻O形式增加了定子和...

      2023-03-24 標(biāo)簽：電機(jī)磁通功率密度 5.8k 0

      CCM和CRM的圖騰柱PFC哪個(gè)效率更高？

      派恩杰在在報(bào)告中闡述了他們的圖騰柱PFC設(shè)計(jì)在CRM比設(shè)計(jì)在CCM獲得了更高的效率和功率密度，也得到更好的EMI特性，軟開(kāi)關(guān)的實(shí)現(xiàn)可以提高頻率。

      2022-11-17 標(biāo)簽：emiPFCCRM 5.4k 0

      Vicor創(chuàng)新電源成就您的設(shè)計(jì)！

      電路板空間太窄, 電源架構(gòu)太佔(zhàn)位置….您正在為這些問(wèn)題而煩惱嗎 ? 我們擁有跨越三代的電源設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn), 善於解決各設(shè)計(jì)難題. Vicor以創(chuàng)新的功率架...

      2018-06-19 標(biāo)簽：電源設(shè)計(jì)功率轉(zhuǎn)換電源系統(tǒng) 5.1k 0

      提高功率密度的利弊權(quán)衡及所需技術(shù)

      提高功率密度的利弊權(quán)衡及所需技術(shù)

      多年來(lái)，工程師和研究人員一直致力于尋找提高功率密度的方法。這是一項(xiàng)艱巨的任務(wù)。大多數(shù)公司將研究重點(diǎn)集中在減小用于能量轉(zhuǎn)換的無(wú)源組件的尺寸上。

      2020-08-25 標(biāo)簽：電感器ti反激式轉(zhuǎn)換器 5.1k 0

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      功率密度資料下載

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      功率密度資訊

      硬核拆解！華為無(wú)散熱片3000W服務(wù)器電源，功率密度竟高達(dá)6.114W/mm3

      電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李誠(chéng)）隨著產(chǎn)業(yè)的數(shù)字化轉(zhuǎn)型，通信基站、數(shù)據(jù)中心逐漸增多，能源壓力愈發(fā)緊張。據(jù)相關(guān)資料顯示，預(yù)計(jì)至2025年通信站點(diǎn)數(shù)量將增至700...

      2021-12-16 標(biāo)簽：華為服務(wù)器電源功率密度 2.3萬(wàn) 0

      超越國(guó)際巨頭：微碧半導(dǎo)體VBGQTA1101以頂尖TOLT封裝重塑功率密度標(biāo)桿

      超越國(guó)際巨頭：微碧半導(dǎo)體VBGQTA1101以頂尖TOLT封裝重塑功率密度標(biāo)桿

      近日，國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域迎來(lái)突破性進(jìn)展——微碧半導(dǎo)體（VBsemi）正式推出新品VBGQTA1101，采用創(chuàng)新TOLT-16封裝。這不僅是中國(guó)首款采用頂...

      2025-10-11 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體功率密度VBsemi 1.4萬(wàn) 0

      5G基站電源設(shè)計(jì)面臨的挑戰(zhàn)及優(yōu)化策略

      可是最近的一篇報(bào)道，引起了人們對(duì)5G基站能源消耗的關(guān)注。新聞的內(nèi)容是為了減少能耗，節(jié)約電費(fèi)，中國(guó)聯(lián)通在洛陽(yáng)某地的5G基站在每天21點(diǎn)到次日9點(diǎn)就將關(guān)閉。...

      2020-08-07 標(biāo)簽：電源氮化鎵功率密度 1.2萬(wàn) 0

      提高開(kāi)關(guān)電源功率密度和效率的方法

      開(kāi)關(guān)型電源（SMPS）在通常便攜式計(jì)算機(jī)中占總重量的10%以上，因此，廠商們致力于提高功率密度和效率。

      2020-10-02 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源功率密度 9.1k 0

      重磅發(fā)布！TI發(fā)布首款汽車級(jí)GaN FET：功率密度翻倍，效率達(dá)99%！

      (電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道 文/章鷹)近日，著名調(diào)研機(jī)構(gòu)Omdia 的《2020 年 SiC 和 GaN 功率半導(dǎo)體報(bào)告》顯示，在混合動(dòng)力及電動(dòng)汽車、電源和光伏...

      2020-11-18 標(biāo)簽：TIADAS功率密度 7.9k 0

      PQFN封裝技術(shù)提高能效和功率密度

      用改進(jìn)的PQFN器件一對(duì)一替換標(biāo)準(zhǔn)SO-8 MOSFET可提升總體工作效率。電流處理能力也能夠得以增強(qiáng)，并實(shí)現(xiàn)更高的功率密度。在以并聯(lián)方式使用的傳統(tǒng)MO...

      2011-03-09 標(biāo)簽：封裝技術(shù)功率密度PQFN 6.8k 0

      你們要的電源模塊解決方案來(lái)了！

      TI為 100,000 多名客戶提供約 80,000 種產(chǎn)品，幫助客戶高效地管理電源、準(zhǔn)確地感應(yīng)和傳輸數(shù)據(jù)并在其設(shè)計(jì)中提供核心控制或處理，從而打入工業(yè)、...

      2023-03-03 標(biāo)簽：集成電路電源模塊功率密度 5.4k 0

      上海神力科技自主開(kāi)發(fā)的C290－30燃料電池模塊通過(guò)國(guó)家強(qiáng)制檢測(cè)認(rèn)證，電堆功率密度實(shí)現(xiàn)2．0kW／L

      近日，電池中國(guó)網(wǎng)從國(guó)家轎車質(zhì)量監(jiān)督檢測(cè)中心獲悉，上海神力科技有限公司（下稱神力科技）自主開(kāi)發(fā)的C290－30燃料電池模塊通過(guò)國(guó)家強(qiáng)制檢測(cè)認(rèn)證。其低溫／高...

      2018-06-04 標(biāo)簽：燃料電池功率密度 4.6k 0

      碳化硅功率模塊封裝中的4個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題

      耐溫更高：可以廣泛地應(yīng)用于溫度超過(guò)600 ℃的高溫工況下，而 Si 基器件在 600 ℃左右時(shí)，由于超過(guò)其耐熱能力而失去阻斷作用。碳化硅極大提高了功率器...

      2022-05-06 標(biāo)簽：封裝功率密度碳化硅 4.4k 0

      淺談混合超級(jí)電容的功率與儲(chǔ)能效果

      一直以來(lái)，鋰電池以化學(xué)形式存儲(chǔ)能量，由于其能量密度較高而被廣泛使用，但是，鋰電池的充電速度相當(dāng)緩慢。

      2021-03-08 標(biāo)簽：功率密度能量密度 3.9k 0

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      功率密度數(shù)據(jù)手冊(cè)

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      • Arduino
        Arduino
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        Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開(kāi)源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號(hào)的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
      • 28nm
        28nm
        +關(guān)注
        從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
      • FinFET
        FinFET
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        FinFET全稱叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚(yú)鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長(zhǎng)。
      • 20nm
        20nm
        +關(guān)注
      • 村田
        村田
        +關(guān)注
        村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料，設(shè)計(jì)、制造最先進(jìn)的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機(jī)、家電，汽車相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等，都有村田公司的身影。
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        TI公司
        +關(guān)注
        TI是富有遠(yuǎn)見(jiàn)的企業(yè)，我們是敢于開(kāi)拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)覆蓋 35 個(gè)國(guó)家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無(wú)論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過(guò)35個(gè)國(guó)家、服務(wù)全球各地超過(guò)10萬(wàn)家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過(guò)10萬(wàn)種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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        羅姆
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        提供最新的羅姆公司產(chǎn)品，最活躍的羅姆工程師社區(qū)
      • 工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)
        工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)
        +關(guān)注
        一般情況，IIoT往往有更結(jié)構(gòu)化的連接環(huán)境，因?yàn)榕c典型的IoT應(yīng)用相比，IIoT 系統(tǒng)履行的職責(zé)更事關(guān)重大。響應(yīng)時(shí)間往往是個(gè)問(wèn)題，像健身跟蹤那樣的IoT應(yīng)用通?？梢韵仍诒镜卮鎯?chǔ)數(shù)據(jù)，無(wú)線鏈路可用時(shí)再行處理。
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        +關(guān)注
        廣州金升陽(yáng)科技有限公司，成立于1998年7月，是國(guó)內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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        　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
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        　　柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來(lái)自微控制器或其他來(lái)源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
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        深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊(cè)資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來(lái)單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
      • 32位單片機(jī)
        32位單片機(jī)
        +關(guān)注
        ARM，其中ARM7，9，10是公開(kāi)的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國(guó)內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
      • 驍龍
        驍龍
        +關(guān)注
        驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
      • Cortex-A
        Cortex-A
        +關(guān)注
        　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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        Mobileye
        +關(guān)注
        Mobileye在單目視覺(jué)高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS） 的開(kāi)發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺(jué)算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告 （LDW）、基于雷達(dá)視覺(jué)融合的車輛探測(cè)、前部碰撞警告 （FCW）、車距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制 （IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別 （TSR）、僅視覺(jué)自適應(yīng)巡航控制 （ACC） 等。
      • CC2541
        CC2541
        +關(guān)注
        CC2541 是一款針對(duì)低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) （SoC） 解決方案。
      • STM32F4
        STM32F4
        +關(guān)注
        STM32F4是由ST（意法半導(dǎo)體）開(kāi)發(fā)的一種高性能微控制器。其采用了90 納米的NVM 工藝和ART（自適應(yīng)實(shí)時(shí)存儲(chǔ)器加速器，Adaptive Real-Time MemoryAccelerator?）。
      • PFM
        PFM
        +關(guān)注
        壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測(cè)樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào)，通常會(huì)對(duì)探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號(hào)，通過(guò)鎖相放大器對(duì)PFM信號(hào)進(jìn)行提取。
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