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      標(biāo)簽　>　功率開(kāi)關(guān)器件

      功率開(kāi)關(guān)器件

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      功率開(kāi)關(guān)器件技術(shù)

      TRINNO特瑞諾 TGAN25N120ND N溝槽IGBT：感應(yīng)加熱和軟開(kāi)關(guān)領(lǐng)域新標(biāo)桿

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      在現(xiàn)代電力電子行業(yè)中，IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為一種高效的功率開(kāi)關(guān)器件，廣泛應(yīng)用于各類電力轉(zhuǎn)換設(shè)備。TRINNO(特瑞諾)旗下的TGAN25N1...

      2025-03-13 標(biāo)簽：IGBT晶體管功率開(kāi)關(guān)器件 498 0

      GD3162柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析：提供動(dòng)態(tài)柵極強(qiáng)度控制，提升EV牽引逆變器性能

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      作為汽車電動(dòng)牽引逆變器柵極驅(qū)動(dòng)器的領(lǐng)先供應(yīng)商之一，恩智浦不斷推動(dòng)逆變器效率、功能安全和汽車性能的提升。恩智浦發(fā)布的GD3162具有動(dòng)態(tài)柵極驅(qū)動(dòng)功能，能夠...

      2024-12-06 標(biāo)簽：恩智浦Ev柵極驅(qū)動(dòng)器 2022 0

      移相全橋不能做大功率的原因

      移相全橋是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率轉(zhuǎn)換器，具有高效率、高功率密度和良好的電磁兼容性等優(yōu)點(diǎn)。然而，移相全橋在大功率應(yīng)用中存在一些局限性，限制了其在...

      2024-07-16 標(biāo)簽：大功率電力電子移相全橋 1091 0

      mos管的選型主要考慮哪些因素

      MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的功率開(kāi)關(guān)器件。選型時(shí)需要考慮多種因素，以確保MOSFET的性能滿足特定應(yīng)用的需求...

      2024-07-11 標(biāo)簽：MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管電子電路 1441 0

      單相全橋逆變電路移相調(diào)壓方式的工作原理? 單相全橋逆變器的模式

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      2024-07-08 標(biāo)簽：電子設(shè)備電力設(shè)備功率開(kāi)關(guān)器件 5986 0

      逆變電路有哪些類型?其最基本的應(yīng)用領(lǐng)域有哪些

      逆變電路是一種將直流電轉(zhuǎn)換為交流電的電子電路。它廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域，如電力系統(tǒng)、通信、工業(yè)控制、家用電器等。本文將介紹逆變電路的類型及其應(yīng)用領(lǐng)域。 一、...

      2024-07-05 標(biāo)簽：逆變電路電子電路直流電 2831 0

      igbt啟動(dòng)最低電壓多少伏正常

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      逆變電路中的功率開(kāi)關(guān)器件介紹

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      igbt與igct的區(qū)別

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      2023-12-25 標(biāo)簽：晶閘管IGBT電力電子 3839 0

      晶閘管應(yīng)用電路分析

      晶閘管作為一種功率開(kāi)關(guān)器件，因其與繼電器相比有無(wú)觸點(diǎn)、使用壽命長(zhǎng)的優(yōu)點(diǎn)，常替代繼電器用于大功率電路控制中

      2023-03-13 標(biāo)簽：三極管二極管晶閘管 2232 0

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      功率開(kāi)關(guān)器件資訊

      橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為：導(dǎo)通時(shí)

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      2023-12-05 標(biāo)簽：柵極源極功率開(kāi)關(guān)器件 628 0

      三款功率變換電路圖詳解

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      變壓器連接在四橋臂中間，相對(duì)的兩對(duì)功率開(kāi)關(guān)器件VT1-VT4和VT2-VT3交替導(dǎo)通或截止，使變壓器的二次側(cè)有功率輸出。

      2020-04-02 標(biāo)簽：功率開(kāi)關(guān)器件功率變換電路 1.4萬(wàn) 0

      Si襯底GaN基功率開(kāi)關(guān)器件的發(fā)展?fàn)顩r

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      在電力電子控制系統(tǒng)中，為了保證系統(tǒng)失效安全，器件必須具備常關(guān)型的工作特性。

      2019-08-01 標(biāo)簽：GaN功率開(kāi)關(guān)器件 4357 0

      英飛凌推出IGBT系列RC-D功率開(kāi)關(guān)器件

      英飛凌RC-D功率開(kāi)關(guān)器件系列在單一芯片上融合了市場(chǎng)領(lǐng)先的英飛凌專有技術(shù)TrenchSTOP? IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和續(xù)流二極管，具有很低的開(kāi)...

      2011-05-31 標(biāo)簽：英飛凌IGBTRC-D 1914 0

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      功率開(kāi)關(guān)器件數(shù)據(jù)手冊(cè)

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