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英飛凌推出IGBT系列RC-D功率開關(guān)器件

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2025-05-21 10:00:44804

IGBT模塊吸收回路分析模型

盡管開關(guān)器件內(nèi)部工作機理不同,但對于吸收電路的分析而言,則只需考慮器件的外特性,IGBT關(guān)斷時模型可以等效為電壓控制的電流源,開通時可以等效為電壓控制的電壓源。下面以下圖所示的斬波器為例提出一般
2025-05-21 09:45:301051

什么是功率器件?特性是什么?包含哪些?

、整流及逆變等功能。其典型特征為處理功率通常大于1W,在高壓、大電流工況下保持穩(wěn)定性能。 一、主要分類 ? 按器件結(jié)構(gòu)劃分 ? ? 二極管 ?:如整流二極管、快恢復二極管,用于單向?qū)щ娕c電壓鉗位; ? 晶體管 ?:含雙極結(jié)型晶體管(BJT)、MOSFET、IGBT等,兼具開關(guān)
2025-05-19 09:43:181297

IGBT器件的防靜電注意事項

IGBT作為功率半導體器件,對靜電極為敏感。我將從其靜電敏感性原理入手,詳細闡述使用過程中防靜電的具體注意事項與防護措施,確保其安全穩(wěn)定運行。
2025-05-15 14:55:081426

功率器件開關(guān)功耗測試詳細步驟 HD3示波器輕松搞定MOSFET開關(guān)損耗測試

功率器件(MOSFET/IGBT) 是開關(guān)電源最核心的器件同時也是最容易損壞的器件之一。在開關(guān)電源設計中,功率器件的測試至關(guān)重要,主要包括開關(guān)損耗測試,Vds peak電壓測試以及Vgs驅(qū)動波形測試
2025-05-14 09:03:011260

風華電阻RC系列特征解析:以RC-01W510JT為例

RC-01W510JT這款電阻為例,深入探討風華電阻RC系列的特征。 一、RC-01W510JT的基本參數(shù) RC-01W510JT是風華電阻RC系列中的一款經(jīng)典產(chǎn)品,其基本參數(shù)如下: 阻值:51Ω 精度:±5% 功率:50mW 最大工作電壓:25V 溫度系數(shù):±200ppm/℃ 工作溫度范圍:-55℃~+155℃ 封裝:0
2025-05-13 14:45:58664

芯干線GaN/SiC功率器件如何優(yōu)化開關(guān)損耗

功率器件的世界里,開關(guān)損耗是一個繞不開的關(guān)鍵話題。
2025-05-07 13:55:181050

英飛凌2EP EiceDRIVER? Power系列全橋變壓器驅(qū)動器產(chǎn)品全員到齊,收藏這篇就夠了!

英飛凌憑借其高性能功率開關(guān)器件和EiceDRIVER列的隔離柵極驅(qū)動器而聞名,每個功率開關(guān)都需要驅(qū)動器,對于驅(qū)動器的選擇,英飛凌共有441個不同的型號(截止2025年1月16日),分別屬于非隔離型
2025-05-06 17:04:28796

新型IGBT和SiC功率模塊用于高電壓應用的新功率模塊

。英飛凌發(fā)布了新一代的IGBTRC-IGBT裸芯片,特別針對400V和800V電動汽車架構(gòu)的電驅(qū)動系統(tǒng)。其EDT3系列模塊適用于750V和1200V的電力系統(tǒng),相
2025-05-06 14:08:48714

同軸分流器SC-CS10在功率器件(IGBT、MOSFET等)動態(tài)雙脈沖測試中的應用

1. 產(chǎn)品概述 產(chǎn)品簡介 本同軸分流器SC-CS10是一種用于射頻/微波信號功率分配的無源器件,常用于功率器件(IGBT、MOSFET等)動態(tài)雙脈沖測試,可將輸入信號按特定比例分流至多個輸出端口
2025-04-30 12:00:12761

龍騰半導體推出1200V 50A IGBT

功率器件快速發(fā)展的當下,如何實現(xiàn)更低的損耗、更強的可靠性與更寬的應用覆蓋,成為行業(yè)關(guān)注焦點。龍騰半導體推出**1200V 50A Field Stop Trench IGBT**新品,專為高頻應用場景設計。依托先進工藝平臺與系統(tǒng)化設計能力,為工業(yè)逆變、UPS、新能源等場景注入高效驅(qū)動力。
2025-04-29 14:43:471042

全球首款!英飛凌推出集成SBD的GaN FET產(chǎn)品

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 近日英飛凌推出全球首款集成SBD(肖特基二極管)的工業(yè)用GaN晶體管產(chǎn)品系列CoolGaN G5,該產(chǎn)品系列通過減少不必要的死區(qū)損耗提高功率系統(tǒng)的性能,進一步提升整體系統(tǒng)效率
2025-04-28 00:19:003055

向電源行業(yè)的功率器件專家致敬:拆穿海外IGBT模塊廠商失效報告造假!

中國電力電子逆變器變流器的功率器件專家以使用者身份拆穿國外IGBT模塊失效報告廠商造假的事件,是中國技術(shù)實力與產(chǎn)業(yè)鏈話語權(quán)提升的標志性案例。通過技術(shù)創(chuàng)新與嚴謹?shù)目茖W態(tài)度,成功揭露了國外廠商在IGBT
2025-04-27 16:21:50564

IGBT 柵極驅(qū)動器:電力電子系統(tǒng)的核心組件

在電力電子行業(yè),隨著對功率電平和開關(guān)頻率要求的不斷提升,半導體器件的性能面臨更高的挑戰(zhàn)。金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)憑借其高效性和可靠性,成為中高功率
2025-04-27 15:45:02693

SiC MOSFET 開關(guān)模塊RC緩沖吸收電路的參數(shù)優(yōu)化設計

0? 引言SiC-MOSFET 開關(guān)模塊(簡稱“SiC 模塊”)由于其高開關(guān)速度、高耐壓、低損耗的特點特別適合于高頻、大功率的應用場合。相比 Si-IGBT, SiC-MOSFET 開關(guān)速度更快
2025-04-23 11:25:54

雜散電感對IGBT開關(guān)過程的影響(1)

IGBT開關(guān)損耗特性研究對IGBT變流器設計具有重要的意義,在有結(jié)構(gòu)緊湊性要求或可靠性要求較高或散熱條件特殊的場合,都需要嚴格按器件損耗特性進行大余量熱設計以保證IGBTIGBT變流器的溫升在
2025-04-22 10:30:151796

Microchip推出BR235和BR235D系列功率繼電器

MIL-PRF-83536規(guī)范和ISO-9001認證標準的BR235和BR235D系列25A QPL氣密封裝機電功率繼電器。該系列新型功率繼電器專為任務關(guān)鍵型商用航空、防務和航天應用而設計。這些設備提供可靠的供貨和全球技術(shù)支持,為航空航天和防務客戶提供其執(zhí)行任務所需的可靠性和長期保障。
2025-04-21 14:48:451247

科士達與英飛凌深入合作,全棧創(chuàng)新方案引領高頻大功率UPS市場新趨勢

?MOSFET器件以及EiceDRIVER?系列單通道磁隔離驅(qū)動器等全套功率半導體解決方案,助力科士達大功率高頻UPS系統(tǒng)實現(xiàn)技術(shù)突破。英飛凌與科士達已共同攜手三十余年,
2025-04-16 10:26:26826

功率半導體器件IGBT模塊:PPS注塑加工案例

IGBT模塊是一種重要的功率半導體器件,具有結(jié)構(gòu)簡單、容量大、損耗低等優(yōu)點,被廣泛應用于各種高功率電子設備中。絕緣柵極雙極晶體管(IGBT功率模塊將MOSFET的高效和快速開關(guān)能力與雙極晶體管
2025-04-16 08:06:431298

電機控制中IGBT驅(qū)動為什么需要隔離?

結(jié)構(gòu)與雙極性晶體管特性的復合型功率開關(guān)器件,兼具功率MOSFET的高速、高輸入阻抗與雙極性晶體管的低導通電阻性能。這使得IGBT在高壓、大電流功率變換應用中成為主要的功率半導體器件。在電機控制器中,IGBT的主要作用是將直流電轉(zhuǎn)換為交流電,以驅(qū)動
2025-04-15 18:27:451075

開關(guān)電源環(huán)路開關(guān)電源技術(shù)的十個關(guān)注點

”(Super-Junction)結(jié)構(gòu),故又稱超結(jié)功率MOSFET。工作電壓600V~800V,通態(tài)電阻幾乎降低了一個數(shù)量級,仍保持開關(guān)速度快的特點,是一種有發(fā)展前途的高頻功率半導體器件。 IGBT剛出現(xiàn)時,電壓、電流額定值
2025-04-09 15:02:01

碳化硅VS硅基IGBT:誰才是功率半導體之王?

在半導體技術(shù)的不斷演進中,功率半導體器件作為電力電子系統(tǒng)的核心組件,其性能與成本直接影響著整個系統(tǒng)的效率與可靠性。碳化硅(SiC)功率模塊與硅基絕緣柵雙極型晶體管(IGBT功率模塊作為當前市場上
2025-04-02 10:59:415531

英飛凌推出用于超高功率密度設計的全新E型XDP混合反激控制器IC

【2025年3月26日, 德國慕尼黑訊】 繼推出業(yè)界首款PFC和混合反激(HFB)組合IC后,全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼
2025-03-28 16:42:13758

MOSFET與IGBT的區(qū)別

做很大功率,電流和電壓都可以,就是一點頻率不是太高,目前英飛凌的新一代IGBT開關(guān)速度可以到100KHZ,那已經(jīng)是不錯了.不過相對于MOSFET的工作頻率還是九牛一毛,MOSFET可以工作到幾百
2025-03-25 13:43:17

英飛凌與富士等外資品牌IGBT模塊價格戰(zhàn)策略的本質(zhì)與深層危機分析

英飛凌與富士等外資品牌IGBT模塊大幅度降價策略的本質(zhì)與深層危機分析 英飛凌、富士等外資品牌IGBT模塊在中國市場掀起了降價超過30%的IGBT模塊價格戰(zhàn),其背后的邏輯不僅是市場份額爭奪的“回光返照
2025-03-21 13:18:121053

國產(chǎn)SiC模塊如何應對25年英飛凌富士IGBT模塊瘋狂的價格絞殺戰(zhàn)

進入2025年伊始,外資品牌IGBT模塊比如英飛凌,富士等大幅度降價超過30%來絞殺國產(chǎn)功率模塊,面對外資功率模的瘋狂價格絞殺,國產(chǎn)SiC碳化硅功率模塊需通過技術(shù)、成本、產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同等多維度策略應對
2025-03-21 07:00:50933

英飛凌iSSI固態(tài)隔離器評估板免費申領

英飛凌iSSI系列固態(tài)隔離器通過電氣隔離屏障提供強大的能量傳輸能力,采用無磁芯變壓器技術(shù),體積小巧,無需隔離電源就能驅(qū)動非高頻調(diào)制工況的MOS型功率晶體管,IGBT或MOSFET,適用于固態(tài)開關(guān)
2025-03-17 16:06:23605

全球功率半導體變革:SiC碳化硅功率器件中國龍崛起

SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級! 傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然,勇立功率半導體器件變革潮頭: 傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必
2025-03-13 00:27:37767

人形機器人設計中,哪些關(guān)鍵部位需要功率器件?典型電壓/電流參數(shù)如何設計?

我們正在研究人形機器人,想了解在關(guān)節(jié)驅(qū)動、電源管理、熱控制等子系統(tǒng)中使用功率器件(如MOSFET、IGBT、IPM)。目前遇到以下問題: ? 功率器件分布不明確 :不清楚哪些關(guān)鍵部位必須使用高功率
2025-03-12 14:05:28

英飛凌推出新款輻射耐受P溝道MOSFET,助力低地球軌道應用

英飛凌(Infineon)近日宣布,擴大其輻射耐受功率MOSFET系列,新增P溝道功率MOSFET,以滿足日益增長的低地球軌道(LEO)空間應用需求。這一新產(chǎn)品的推出,標志著英飛凌在為新一代“新空間
2025-03-11 11:39:53736

金屬基板 | 全球領先技術(shù)DOH工藝與功率器件IGBT熱管理解決方案

DOH:DirectonHeatsink,熱沉。DOH工藝提升TEC、MOSFET、IPM、IGBT功率器件性能提升,解決孔洞和裂紋問題提升產(chǎn)品良率及使用壽命。金屬基板
2025-03-09 09:31:372315

國巨RC系列電阻的精度如何?

用戶更好地了解這一系列產(chǎn)品。 一、國巨RC系列電阻的精度范圍 國巨RC系列電阻提供了多種精度等級供用戶選擇,以滿足不同應用場景的需求。具體而言,該系列電阻的精度等級包括: B級 :±0.1% D級 :±0.5% F級 :±1.0% J級 :±5.0% 這些精
2025-03-07 14:29:13791

汽車48V、AI數(shù)據(jù)中心驅(qū)動,英飛凌OptiMOS 7系列器件解析

英飛凌的OptiMOS 7系列產(chǎn)品。 ? 官網(wǎng)產(chǎn)品列表 來源:英飛凌 OptiMOS系列英飛凌面向中低壓領域的產(chǎn)品,產(chǎn)品覆蓋10V到300V區(qū)間,主打一個高性能和高性價比。OptiMOS系列的特點包括極低的RDS(on)以及高效率和高功率密度,適合于較高開關(guān)頻率的應用,像通信應
2025-02-27 00:58:002676

英飛凌車規(guī)級IGBT功率模塊FF300R08W2P2_B11A產(chǎn)品概述

英飛凌車規(guī)級IGBT功率模塊FF300R08W2P2_B11A,這款750V模塊是英飛凌著名的“EasyPACK?”產(chǎn)品家族中的最新成員,它基于EDT2技術(shù),封裝形式為EasyPACK? 2B半橋
2025-02-20 17:52:392919

英飛凌發(fā)布全新高性能PSOC Control微控制器系列

英飛凌推出基于Arm Cortex-M33的最新高性能微控制器(MCU)系列PSOC Control。在ModusToolbox系統(tǒng)設計工具和軟件的支持下,這款綜合全面的解決方案使開發(fā)人員能夠輕松創(chuàng)建高性能、高效率且安全的電機控制和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。
2025-02-20 09:22:201192

中微愛芯推出CBTLVD系列模擬開關(guān)

中微愛芯推出四款CBTLVD系列模擬開關(guān)
2025-02-12 14:21:301117

高頻感應電源國產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代英飛凌IGBT模塊損耗計算對比

模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然,勇立功率半導體器件變革潮頭: 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊的必然趨勢! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管的必然趨勢! 傾佳
2025-02-10 09:41:151007

英飛凌推出PSOC? Control MCU,提升電機控制與功率轉(zhuǎn)換效能

全球功率系統(tǒng)及物聯(lián)網(wǎng)半導體領導者英飛凌科技股份公司,近期推出了基于Arm?Cortex?-M33的高性能微控制器(MCU)系列——PSOC? Control。這款MCU系列專為電機控制和功率轉(zhuǎn)換
2025-02-06 11:16:381238

功率器件熱設計基礎知識

功率器件熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC等高功率密度器件可靠運行的基礎。掌握功率半導體的熱設計基礎知識,不僅有助于提高功率器件的利用率和系統(tǒng)可靠性,還能有效降低系統(tǒng)成本。本文將從熱設計的基本概念、散熱形式、熱阻與導熱系數(shù)、功率模塊的結(jié)構(gòu)和熱阻分析等方面,對功率器件熱設計基礎知識進行詳細講解。
2025-02-03 14:17:001354

高壓護航,性能領先!納芯微推出智能隔離驅(qū)動NSI67X0系列

納芯微正式推出具有隔離模擬采樣功能的智能隔離驅(qū)動 NSI67X0 系列,該系列適用于驅(qū)動 SiC、IGBT 和 MOSFET 等功率器件,兼具車規(guī)等級(滿足 AEC-Q100 標準)和工規(guī)等級,可廣泛適用于新能源汽車、空調(diào)、電源、光伏等應用場景。
2025-01-24 15:44:06867

納芯微推出車規(guī)級D類音頻功率放大器

納芯微今日宣布推出可用于汽車音頻系統(tǒng)的數(shù)字輸入車規(guī)級D類(Class D)音頻功率放大器NSDA6934-Q1,可實現(xiàn)四個通道音頻輸出,每通道可輸出最大75W功率,支持低延遲模式和最高192kHz的采樣率,具備靈活的開關(guān)頻率、調(diào)制方式和多種保護功能,可適配不同的汽車音頻系統(tǒng)設計。
2025-01-24 09:10:472425

英飛凌推出新型MOTIX BTM90xx系列全橋IC

英飛凌科技股份公司近期推出了專為有刷直流電機應用設計的全新全橋/H橋集成電路(IC)產(chǎn)品系列——MOTIX? Bridge BTM90xx。這一創(chuàng)新產(chǎn)品的問世,不僅進一步豐富了英飛凌的產(chǎn)品陣容,還完善了其從驅(qū)動器IC到高度集成化系統(tǒng)級芯片(SoC)的MOTIX?低壓電機控制IC產(chǎn)品組合。
2025-01-22 17:07:061019

Si IGBT和SiC MOSFET混合器件特性解析

大電流 Si IGBT 和小電流 SiC MOSFET 兩者并聯(lián)形成的混合器件實現(xiàn)了功率器件性能和成本的折衷。 但是SIC MOS和Si IGBT器件特性很大不同。為了盡可能在不同工況下分別利用
2025-01-21 11:03:572634

功率器件熱設計基礎(十三)——使用熱系數(shù)Ψth(j-top)獲取結(jié)溫信息

/前言/功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件
2025-01-20 17:33:501975

英飛凌IGBT7系列芯片大解析

上回書(英飛凌芯片簡史)說到,IGBT自面世以來,歷經(jīng)數(shù)代技術(shù)更迭,標志性的技術(shù)包括平面柵+NPT結(jié)構(gòu)的IGBT2,溝槽柵+場截止結(jié)構(gòu)的IGBT3和IGBT4,表面覆銅及銅綁定線的IGBT5等?,F(xiàn)今
2025-01-15 18:05:212260

功率器件熱設計基礎(十二)——功率半導體器件的PCB設計

/前言/功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件
2025-01-13 17:36:111819

雙面散熱IGBT功率器件 | DOH 封裝工藝

IGBT全稱為絕緣柵雙極型晶體管,特點是可以使用電壓控制、耐壓高、飽和壓降小、切換速度快、節(jié)能等。功率模塊是電動汽車逆變器的核心部件,其封裝技術(shù)對系統(tǒng)性能和可靠性有著至關(guān)重要的影響。傳統(tǒng)的單面冷卻
2025-01-11 06:32:432272

多維精密測量:半導體微型器件的2D&3D視覺方案

精密視覺檢測技術(shù)有效提升了半導體行業(yè)的生產(chǎn)效率和質(zhì)量保障。友思特自研推出基于深度學習平臺和視覺掃描系統(tǒng)的2D和3D視覺檢測方案,通過9種深度學習模型、60+點云處理功能,實現(xiàn)PCB元器件IGBT質(zhì)量檢測等生產(chǎn)過程中的精密測量。
2025-01-10 13:54:191362

功率器件熱設計基礎(十一)——功率半導體器件功率端子

設計基礎系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識,相關(guān)標準和工程測量方法。功率器件的輸出電流能力器件的輸出電流能力首先是由芯片決定的,但是IGBT芯片的關(guān)斷電流能力很強,
2025-01-06 17:05:481328

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