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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體器件
半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間,利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件,可用來產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號(hào)和進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換。
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光刻機(jī)的鏡頭要實(shí)現(xiàn)納米級(jí)的成像分辨率,就得拼命增大鏡片的數(shù)值孔徑(Numerical Aperture),但這同時(shí)會(huì)導(dǎo)致焦深(DoF)的下降,焦深是指...
2024-01-22 標(biāo)簽:晶圓芯片制造半導(dǎo)體器件 1.4k 0
igbt模塊型號(hào)及參數(shù) igbt怎么看型號(hào)和牌子
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種繼MOSFET和BJT之后的新型功率半導(dǎo)體器件,它的特點(diǎn)是結(jié)合了MO...
二極管接反了會(huì)短路嗎 發(fā)光二極管正負(fù)極接反會(huì)怎樣
二極管接反會(huì)發(fā)生什么? 二極管是一種半導(dǎo)體器件,常用于電子電路中實(shí)現(xiàn)整流、開關(guān)和穩(wěn)壓等功能。在正常工作條件下,二極管是一個(gè)單向?qū)ㄆ骷辉试S電流從正極...
數(shù)字時(shí)代半導(dǎo)體測(cè)試挑戰(zhàn)與智能制造解決方案優(yōu)勢(shì)
集成電路反映了一個(gè)相對(duì)較新的世界秩序,在這個(gè)秩序中,國(guó)家間的貿(mào)易緊張和供應(yīng)鏈中斷是持續(xù)的威脅,大流行病的影響也繼續(xù)影響著這個(gè)行業(yè)。盡管面臨這些挑戰(zhàn),但在...
2024-01-15 標(biāo)簽:集成電路人工智能半導(dǎo)體器件 983 0
發(fā)光二極管(Light Emitting Diode, LED)是一種半導(dǎo)體器件,可以將電能轉(zhuǎn)化為光能的元件。它是由PN結(jié)所組成的,并且具有正負(fù)極。在使...
2024-01-14 標(biāo)簽:發(fā)光二極管引腳半導(dǎo)體器件 4.4k 0
LED燈(Light-Emitting Diode)是一種能夠?qū)㈦娔苻D(zhuǎn)化為光能的半導(dǎo)體器件,被廣泛應(yīng)用于家庭照明、汽車照明、熒光顯示屏、電子設(shè)備等領(lǐng)域。...
固態(tài)繼電器是一種使用半導(dǎo)體器件和電子元件實(shí)現(xiàn)的電子繼電器,可以實(shí)現(xiàn)電氣信號(hào)的隔離和控制功能。相比于傳統(tǒng)的機(jī)械式繼電器,固態(tài)繼電器具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、體積小、壽...
2024-01-11 標(biāo)簽:電磁兼容電子元件固態(tài)繼電器 1.5萬(wàn) 0
發(fā)光二極管(Light Emitting Diode,LED)是一種半導(dǎo)體器件,具有發(fā)出可見光的特性。相比傳統(tǒng)的光源,LED具有低能耗、高亮度、高效率和...
igbt內(nèi)部結(jié)構(gòu)及工作原理分析
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,具有MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的高輸入阻抗和GTR(大功率晶體管)的低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點(diǎn)...
2024-01-10 標(biāo)簽:IGBT晶體管功率半導(dǎo)體 3.1k 0
激光投影儀將移動(dòng)的光轉(zhuǎn)換為更高級(jí)別的信息,用于實(shí)際用途,如標(biāo)志、圖形和視頻。信息本身可以以矢量圖形激光投影(VGLP)模式或光柵模式呈現(xiàn),而MEMS鏡的...
2024-01-05 標(biāo)簽:mems微機(jī)電系統(tǒng)反射鏡 2.2k 0
開關(guān)管和MOS管是電子電路中常見的兩種半導(dǎo)體器件,它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)和工作原理上有很多相似之處,但也存在一些區(qū)別。本文將對(duì)開關(guān)管和MOS管的區(qū)別進(jìn)行詳細(xì)介紹。 ...
2023-12-28 標(biāo)簽:MOS管開關(guān)管半導(dǎo)體器件 7.6k 0
場(chǎng)效應(yīng)管(Field Effect Transistor,F(xiàn)ET)是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件,其主要場(chǎng)效應(yīng)管(Field Effect Tr...
2023-12-28 標(biāo)簽:電子設(shè)備電壓半導(dǎo)體器件 7.3k 0
崩擊穿和齊納擊穿是半導(dǎo)體器件中常見的兩種擊穿現(xiàn)象,它們?cè)谖锢頇C(jī)制、電壓特性和應(yīng)用方面有很大的區(qū)別。本文將對(duì)這兩種擊穿現(xiàn)象進(jìn)行詳細(xì)的介紹和分析。 一、雪崩...
2023-12-30 標(biāo)簽:電壓雪崩擊穿半導(dǎo)體器件 2.7萬(wàn) 0
半導(dǎo)體可靠性測(cè)試主要是為了評(píng)估半導(dǎo)體器件在實(shí)際使用過程中的可靠性和穩(wěn)定性。這些測(cè)試項(xiàng)目包括多種測(cè)試方法和技術(shù),以確保產(chǎn)品的性能、質(zhì)量和可靠性滿足設(shè)計(jì)規(guī)格...
2023-12-20 標(biāo)簽:半導(dǎo)體模擬器件半導(dǎo)體器件 3.9k 0
三極管是一種常見的半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備和電路中。在實(shí)際應(yīng)用中,我們常常會(huì)遇到三極管溫度與Vbe之間的關(guān)系。本文將詳細(xì)討論這兩者之間的關(guān)系,并分...
單向可控硅(Silicon Controlled Rectifier,簡(jiǎn)稱SCR)是一種半導(dǎo)體器件,具有單向?qū)щ娦院涂煽匦浴K梢钥醋魇嵌O管和晶體管的...
2023-12-19 標(biāo)簽:電流單向可控硅半導(dǎo)體器件 5.3k 0
igbt和mos管怎么區(qū)分 igbt和mos管能互換嗎
igbt和mos管怎么區(qū)分 IGBT和MOS管是兩種不同類型的半導(dǎo)體器件,用途廣泛,在各種電子設(shè)備中都會(huì)使用。雖然它們有一些相似之處,但也存在一些顯著的...
“四兩撥千斤”,寬禁帶技術(shù)如何顛覆性創(chuàng)新
在半導(dǎo)體行業(yè),新的材料技術(shù)有“四兩撥千斤”的魔力,輕輕松松帶來顛覆性變革。具有先天性能優(yōu)勢(shì)的寬禁帶半導(dǎo)體材料脫穎而出。在整個(gè)能源轉(zhuǎn)換鏈中,寬禁帶半導(dǎo)體的...
2023-12-16 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體器件 1.2k 0
BTA41600B可控硅(SCR)是一種半導(dǎo)體器件,也稱為雙向晶閘管。它在電力電子領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用,特別是在交流電控制和功率調(diào)節(jié)方面。本文將詳細(xì)介紹BT...
MOSFET (金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管) 和 IGBT (絕緣柵雙極晶體管) 是兩種常見的功率半導(dǎo)體器件。它們?cè)诓煌膽?yīng)用場(chǎng)景中具有不同的特點(diǎn)和優(yōu)...
2023-12-15 標(biāo)簽:MOSFETIGBT場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2.3k 0
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