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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體器件
半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間,利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來(lái)完成特定功能的電子器件,可用來(lái)產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號(hào)和進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換。
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正溫度系數(shù)電壓的推導(dǎo)依賴BJT集電極電流 和 電壓公式,這里把公式重寫(xiě)如下: 假設(shè)兩個(gè)同樣的BJT,偏置電流分別為 和 ,那么,兩個(gè)BJT的 ...
2023-08-21 標(biāo)簽:BJT半導(dǎo)體器件集電極電流 1.4k 0
半導(dǎo)體器件中材料、工藝結(jié)構(gòu)、模型之間的關(guān)系
為了延續(xù)傳統(tǒng)平面型晶體管制造技術(shù)的壽命,彌補(bǔ)關(guān)鍵尺寸縮小給傳統(tǒng)平面型晶體管帶來(lái)的負(fù)面效應(yīng),業(yè)界研究出了很多能夠改善傳統(tǒng)平面型晶體管性能的技術(shù)。
PVP可以在刻蝕過(guò)程中形成一層保護(hù)性的膜,降低刻蝕劑對(duì)所需刻蝕材料的腐蝕作用。它可以填充材料表面的裂縫、孔洞和微小空隙,并防止刻蝕劑侵入。這樣可以減少不...
2023-08-17 標(biāo)簽:芯片封裝半導(dǎo)體器件刻蝕 8k 0
車規(guī)MCU芯片的四大行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)
功能安全I(xiàn)SO-26262是IEC61508 對(duì)電子電氣(E/E )系統(tǒng)在道路車輛方面的功能安全要求的具體應(yīng)用。 ISO 26262是一項(xiàng)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn),...
2023-08-17 標(biāo)簽:集成電路mcu網(wǎng)絡(luò)攻擊 7.2k 0
晶棒截?cái)嚅_(kāi)方(Wafer Dicing)是對(duì)硅晶棒或其它半導(dǎo)體晶體材料進(jìn)行切割的工藝步驟。它的目的是將晶棒切割成單個(gè)的芯片基板(即薄片),用于制造集成電...
mos是什么電子元件 如何建立mos管和電路的關(guān)系
MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)是一種常見(jiàn)的電子元件,特別是在集成電路中廣泛使用。MOS是一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu),其中包括一個(gè)金...
什么叫車規(guī)級(jí) 車規(guī)級(jí)電子元件的分類
對(duì)于組成復(fù)雜的汽車產(chǎn)品來(lái)說(shuō),低可靠性、一致性差的元件無(wú)疑意味著巨大的安全隱患,因此經(jīng)常用PPM(百萬(wàn)分之一)來(lái)描述汽車零部件的要求。
2023-07-23 標(biāo)簽:元器件汽車電子半導(dǎo)體器件 2.9k 0
如何選擇穩(wěn)壓二極管,穩(wěn)壓二極管選型要考慮那些參數(shù)
穩(wěn)壓二極管在電路中具有重要作用,尤其在保護(hù)和穩(wěn)定電壓方面表現(xiàn)突出。本文將介紹穩(wěn)壓二極管基本原理、如何選擇穩(wěn)壓二極管以及它的常見(jiàn)應(yīng)用領(lǐng)域。
2023-07-20 標(biāo)簽:二極管穩(wěn)壓二極管半導(dǎo)體器件 6.8k 0
整流二極管(rectifier diode)一種用于將交流電轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟姷陌雽?dǎo)體器件。二極管最重要的特性就是單方向?qū)щ娦浴T陔娐分?,電流只能從二極管的正...
2023-07-20 標(biāo)簽:二極管整流二極管半導(dǎo)體器件 2.2k 0
IGBT如何選型,在選擇IGBT時(shí)需要考慮的參數(shù)
IGBT是繼MOSFET之后,新一代的開(kāi)關(guān)器件,主要用于高壓和高電流的開(kāi)關(guān)控制。IGBT的全稱是Isolated Gate Bipolar Transi...
2023-07-20 標(biāo)簽:MOSFETIGBT半導(dǎo)體器件 1.1萬(wàn) 0
什么是紅外焦平面探測(cè)器 制冷紅外焦平面探測(cè)器的工作原理
紅外線是電磁波的一種,其波長(zhǎng)范圍介于可見(jiàn)光與無(wú)線電波之間,為0.76~1000μm。根據(jù)大氣窗口、紅外應(yīng)用和探測(cè)器響應(yīng)等,紅外線可以進(jìn)一步劃分為近紅外線...
2023-07-20 標(biāo)簽:紅外線無(wú)線電波探測(cè)系統(tǒng) 5.5k 0
要解釋三極管導(dǎo)電機(jī)理,必須弄明白其基本結(jié)構(gòu)和電子走向。如圖所示,NPN三極管的基極是一段很窄的P型半導(dǎo)體,兩端是由N型半導(dǎo)體組成的發(fā)射極和集電極。這兩個(gè)...
2023-07-15 標(biāo)簽:三極管半導(dǎo)體器件導(dǎo)電機(jī)理 1.9k 0
TechInsights對(duì)于“碳化硅JFETs原子探針層析成像”的探討
去年,TechInsights通過(guò)一系列博客展示了電氣特性的力量,對(duì)于揭示碳化硅器件規(guī)格書(shū)遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能提供的碳化硅器件特性。
2023-07-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件碳化硅TechInsights 1.5k 0
鍺二極管常見(jiàn)型號(hào) 如何判斷二極管是鍺管還是硅管
鍺二極管(Germanium diode)的死區(qū)電壓約為0.2V至0.3V之間。在低電壓下,鍺二極管會(huì)呈現(xiàn)較高的電流流動(dòng)特性,但一旦電壓超過(guò)了死區(qū)電壓,...
2023-07-04 標(biāo)簽:二極管半導(dǎo)體器件鍺二極管 1.1萬(wàn) 0
為什么砷化鎵是半導(dǎo)體材料 砷化鎵晶體的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)
砷化鎵是一種半導(dǎo)體材料。它具有優(yōu)異的電子輸運(yùn)性能和能帶結(jié)構(gòu),常用于制造半導(dǎo)體器件,如光電器件和功率器件等。砷化鎵的禁帶寬度較小,使得它在電子和光學(xué)應(yīng)用中...
硅是地殼中第二豐富的元素(氧是第一-) 。它天然存在于硅酸鹽(含Si-O)巖石和沙子中。半導(dǎo)體器件制造中使用的元素硅是由高純度石英和石英巖砂生產(chǎn)的,這...
2023-06-30 標(biāo)簽:硅晶圓硅片半導(dǎo)體器件 1.6k 0
芯片廠為什么要使用超純水? 普通的水中含有氯,硫等雜質(zhì),會(huì)腐蝕芯片中的金屬。如果水中有Na,K等金屬雜質(zhì),會(huì)造成MIC(可動(dòng)離子污染)等問(wèn)題。因此芯片制...
2023-06-29 標(biāo)簽:芯片制造半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體制造 3k 0
百家爭(zhēng)鳴:Chiplet先進(jìn)封裝技術(shù)哪家強(qiáng)?
Chiplet俗稱“芯粒”或“小芯片組”,通過(guò)將原來(lái)集成于同一 SoC 中的各個(gè)元件分拆,獨(dú)立 為多個(gè)具特定功能的 Chiplet,分開(kāi)制造后再通過(guò)先進(jìn)...
2023-06-25 標(biāo)簽:封裝技術(shù)半導(dǎo)體器件chiplet 3.3k 0
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