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標簽 > 半導體器件
半導體器件是導電性介于良導電體與絕緣體之間,利用半導體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件,可用來產生、控制、接收、變換、放大信 號和進行能量轉換。
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SiC器件是一種新型的硅基 MOSFET,特別是 SiC功率器件具有更高的開關速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由 MOSFET和 PN結組成。 ...
電力二極管屬于半導體器件,通常也被稱為功率二極管。它們主要用于高功率、高電壓和高頻率的電路中,用于控制和轉換電能。電力二極管具有低導通電阻、高擊穿電壓和...
晶閘管導通條件:門極G加觸發(fā)信號,主端子A、K之間加正向電壓,且使得主端子間的正向電流大于擎住電流。
功率模塊一般指的是將功率MOSFET、IGBT等功率半導體器件與其驅動電路、散熱器等部分集成在一起的電路模塊。這種模塊具有集成度高、可靠性好、穩(wěn)定性強等...
氮化鎵納米線是一種基于氮化鎵材料制備的納米結構材料,具有許多優(yōu)異的電子、光學和機械性質,因此受到了廣泛關注。氮化鎵材料是一種寬禁帶半導體材料,具有優(yōu)異的...
具有自關斷能力的電力半導體器件稱為全控性器件,全控型器件又稱為自關斷器件,是指通過控制信號既可以控制其導通,又可以控制其關斷的電力電子器件。
三腳二極管,也稱為雙向可控硅(thyristor),是一種常見的半導體器件,它具有三個引腳,分別為陽極(A)、陰極(K)和控制極(G),通常用于交流電路...
從 20 世紀 80 年代 IGBT 被首次提出至今,IGBT 器件不斷朝著更低的正向導通壓降、更小的開關損 耗方向發(fā)展;但是,鑒于 IGBT 器件的各...
本文首先介紹了 IGBT 技術的研究現狀,并對 IGBT 不同結構的特點和電學特性做了簡要闡述;最 后列舉了一些最新的研究成果,并探討了 IGBT 的 ...
功率二極管,也叫做肖特基勢壘二極管,是一種常見的半導體器件。它的主要作用是在電路中起到電流的整流、穩(wěn)壓和開關控制等功能。
首先,晶體管是一種半導體器件,它的核心部件是PN結。PN結是一種正負半導體材料的結合,其中P型半導體和N型半導體形成一個電子和空穴流動的界面。當PN結被...
三極管,全稱應為半導體三極管,也稱雙極型晶體管、晶體三極管,是一種控制電流的半導體器件,其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號,也用作無觸點開關。
微波半導體器件在微波系統(tǒng)中能發(fā)揮各方面性能,歸納起來,即在微波功率產生及放大,控制、接收三個方面。而微波功率器件要求有盡可能大的輸出功率和輸出效率及功率...
變頻器是利用電力半導體器件的通斷作用將工頻電源變換為另一頻率的電能控制裝置。我們現在使用的變頻器主要采用交—直—交方式,先把工頻交流電通過整流器轉換成直...
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