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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體材料
半導(dǎo)體材料(semiconductor material)是一類具有半導(dǎo)體性能(導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間,電阻率約在1mΩ·cm~1GΩ·cm范圍內(nèi))、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。
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基于電阻的溫度傳感器,即電阻式溫度傳感器(RTD,Resistance Temperature Detector),其原理是利用導(dǎo)體或半導(dǎo)體材料的電阻值...
2024-10-31 標(biāo)簽:電阻溫度傳感器半導(dǎo)體材料 1285 0
碳化硅材料以其優(yōu)異的性能被行業(yè)列為第三代半導(dǎo)體材料,其擊穿場強(qiáng)是硅的10倍,熱導(dǎo)率是硅的2.5倍。用碳化硅材料制作的MOS器件可在大于200度的高溫環(huán)境...
2023-02-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料碳化硅MOS器件 1276 0
溫度測量是科學(xué)研究和工業(yè)生產(chǎn)中非常重要的一個環(huán)節(jié),它涉及到各種物理量和化學(xué)性質(zhì)的測量。在不同的領(lǐng)域和應(yīng)用場景中,人們采用了多種不同的溫度測量原理和方法。...
2024-08-27 標(biāo)簽:傳感器熱電偶半導(dǎo)體材料 1269 0
霍爾式傳感器是一種利用霍爾效應(yīng)原理工作的傳感器,廣泛應(yīng)用于各種工業(yè)和科研領(lǐng)域,如位置檢測、速度測量、電流檢測等。 霍爾式傳感器的構(gòu)成 霍爾元件 : 霍爾...
2024-09-23 標(biāo)簽:霍爾式傳感器電流檢測半導(dǎo)體材料 1258 0
氮化鎵(GaN)技術(shù)創(chuàng)新概況 氮化鎵襯底技術(shù)是什么
氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導(dǎo)體材料,禁帶寬度大于2.3eV,也稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料 ?氮化鎵材料為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表,是研制微電...
2023-09-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料氮化鎵GaN 1252 0
選擇開關(guān)電路中的晶體管時,最好選擇哪一種晶體管是一個復(fù)雜而多面的問題。選擇適合的晶體管需要考慮到多個因素,包括轉(zhuǎn)換效率、速度、功耗、功率承受能力、可靠性...
2024-02-25 標(biāo)簽:開關(guān)電路電子設(shè)備晶體管 1225 0
隨著全球能源危機(jī)和環(huán)境污染問題的日益嚴(yán)重,可再生能源的開發(fā)利用受到了廣泛關(guān)注。太陽能作為一種清潔、可再生的能源,具有巨大的發(fā)展?jié)摿?。光伏發(fā)電系統(tǒng)作為太陽...
2024-04-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料MPPT光伏發(fā)電系統(tǒng) 1222 0
結(jié)果表明:GaN基LED芯片在20mA以下的I-V特性和P-I特性與尺寸大小關(guān)系不大,但與電極的位置有關(guān),p焊線電極遠(yuǎn)離n電極的芯片20mA下的光輸出功...
2019-10-04 標(biāo)簽:ledCAN半導(dǎo)體材料 1178 0
屬于無源型傳感器的類型眾多,這些傳感器在信號采集過程中不需要外部能量輸入,而是直接利用環(huán)境中的能量或被測對象自身的能量進(jìn)行工作。 一、熱敏電阻 1. 定...
2024-08-19 標(biāo)簽:電阻器信號采集半導(dǎo)體材料 1160 0
半導(dǎo)體靶材:推動半導(dǎo)體技術(shù)飛躍的核心力量
半導(dǎo)體靶材是半導(dǎo)體材料制備過程中的重要原料,它們在薄膜沉積、物理氣相沉積(PVD)、化學(xué)氣相沉積(CVD)等多種技術(shù)中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。本文將詳細(xì)介紹半導(dǎo)...
2024-09-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體器件 1157 0
光敏電阻是一種特殊的電阻器,其電阻值會隨著光照強(qiáng)度的變化而變化。這種電阻器通常由半導(dǎo)體材料制成,如硫化鎘(CdS)、硒化鎘(CdSe)或硒化鉛(PbSe...
2024-10-12 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料光電效應(yīng)光敏電阻 1123 0
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)和MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是兩種常見的功率半導(dǎo)體器件,它們在許多應(yīng)用中都有廣泛的應(yīng)用。 工作原理 IGB...
2024-08-07 標(biāo)簽:MOS半導(dǎo)體材料雙極晶體管 1120 0
而芯片,是一個更宏觀、更產(chǎn)品化的概念。經(jīng)過設(shè)計、制造、封裝和測試后,形成的可直接使用的產(chǎn)品形態(tài),被認(rèn)為是芯片。在強(qiáng)調(diào)用途的時候,人們會更多采用“芯片”的...
2023-12-10 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料 1112 0
集成芯片是由一種或多種半導(dǎo)體材料制成的微小電子元件。這些半導(dǎo)體材料主要包括硅、鍺、砷化鎵等。其中,硅是最常用的材料,因為它具有良好的半導(dǎo)體特性,易于提取...
2024-03-18 標(biāo)簽:電子元件半導(dǎo)體材料集成芯片 1080 0
新進(jìn)展 化合積電攜手廈大團(tuán)隊攻關(guān)單晶金剛石薄膜異質(zhì)外延生長技術(shù)突破性進(jìn)展綜述
來源:化合積電 近日,廈門大學(xué)張洪良教授課題組和化合積電在Electron發(fā)表了題為 “Recent progress on heteroepitaxi...
2024-12-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料 1034 0
太原理工在二維鈣鈦礦激光領(lǐng)域取得重要進(jìn)展
鈣鈦礦由于具有高光學(xué)增益、平衡的載流子遷移率以及可溶液加工等特性,成為一種具有前景光明的激光增益半導(dǎo)體材料。目前,基于鈣鈦礦材料已成功研制出具有高相干性...
2023-04-17 標(biāo)簽:激光電子器件半導(dǎo)體材料 1022 0
首次實現(xiàn)二維氮化物基寬禁帶半導(dǎo)體的室溫鐵磁性
二維磁性半導(dǎo)體是一種兼具鐵磁性和半導(dǎo)體性的材料,有望將信息存儲和邏輯運算機(jī)集成為一個單元,是下一代低能耗集成電路、自旋電子學(xué)與部分自旋量子器件的基礎(chǔ)。
2023-02-22 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料 1021 0
磁敏電阻是一種利用半導(dǎo)體材料的磁阻效應(yīng)制成的傳感器,它能夠?qū)⒋艌龅淖兓D(zhuǎn)換為電阻值的變化。磁敏電阻廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中,如磁卡讀卡器、磁條閱讀器、磁...
2024-09-27 標(biāo)簽:傳感器半導(dǎo)體材料電阻值 1003 0
功率半導(dǎo)體和寬禁半導(dǎo)體是兩種不同類型的半導(dǎo)體材料,它們在電子器件中的應(yīng)用有著很大的不同。以下是它們之間的一些主要區(qū)別: 材料類型:功率半導(dǎo)體通常由硅(S...
2024-07-31 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料功率半導(dǎo)體寬禁半導(dǎo)體 969 0
1月5日,比亞迪發(fā)布會重磅發(fā)布了2款新的SiC電控的車型:比亞迪發(fā)布2款仰望車型搭載SiC電控,時隔2年,比亞迪再次公布了2款SiC電控的車型。正式發(fā)布...
2023-06-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料SiC碳化硅 953 0
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