量子點(diǎn)發(fā)光原理

量子點(diǎn)的發(fā)光原理主要與電子和空穴的相互作用以及它們與周圍環(huán)境的相互作用有關(guān)。當(dāng)量子點(diǎn)受到外來能量(例如光子)的激發(fā)時(shí)，電子從價(jià)帶躍遷到導(dǎo)帶，然后在導(dǎo)帶上...

2023-11-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料光譜量子點(diǎn) 3.8k 0

電阻式溫度計(jì)是利用什么原理

電阻式溫度計(jì)是一種利用物體電阻隨溫度變化的特性來測量溫度的儀器。它的原理基于金屬導(dǎo)體的電阻率隨溫度的升高而增加，而半導(dǎo)體材料的電阻率則隨溫度的升高而降低...

2024-08-27 標(biāo)簽：電阻半導(dǎo)體材料溫度計(jì) 3.7k 0

mos的開啟電壓怎么測試

MOS（Metal-Oxide-Semiconductor，金屬氧化物半導(dǎo)體）是一種廣泛應(yīng)用于電子器件的半導(dǎo)體材料，其開啟電壓（Threshold Vo...

2024-07-14 標(biāo)簽：電壓電子器件MOS 3.6k 0

氮化鎵芯片生產(chǎn)工藝有哪些

氮化鎵芯片是一種新型的半導(dǎo)體材料，由于其優(yōu)良的電學(xué)性能，廣泛應(yīng)用于高頻電子器件和光電器件中。在氮化鎵芯片的生產(chǎn)工藝中，主要包括以下幾個(gè)方面：材料準(zhǔn)備、芯...

2024-01-10 標(biāo)簽：芯片電子器件半導(dǎo)體材料 3.6k 0

熱電偶的工作原理是基于什么效應(yīng)

熱電偶的工作原理是基于塞貝克效應(yīng)（Seebeck effect），也稱為熱電效應(yīng)。塞貝克效應(yīng)是指在兩種不同金屬或半導(dǎo)體材料的接觸點(diǎn)上，當(dāng)存在溫度差時(shí)，會...

2024-07-23 標(biāo)簽：熱電偶電極半導(dǎo)體材料 3.6k 0

碳化硅相對傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體有什么有缺點(diǎn)

碳化硅（SiC）和傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體（Si）是兩種常見的半導(dǎo)體材料，它們在電子器件制造中具有廣泛的應(yīng)用。然而，碳化硅相對于傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體具有一定的優(yōu)缺點(diǎn)。 優(yōu)點(diǎn)...

2024-01-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料器件碳化硅 3.5k 0

溫度傳感器三線和兩線區(qū)別在哪

溫度傳感器是一種測量溫度的傳感器，廣泛應(yīng)用于工業(yè)、科研、醫(yī)療等領(lǐng)域。根據(jù)接線方式的不同，溫度傳感器可以分為三線制和兩線制兩種。下面本文將詳細(xì)介紹這兩種溫...

2024-06-19 標(biāo)簽：電阻溫度傳感器半導(dǎo)體材料 3.5k 0

砷化鎵的應(yīng)用及技術(shù)工藝

砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料，它具有優(yōu)異的電子特性，廣泛應(yīng)用于電子器件的制造。砷化鎵具有良好的電子性能，具有高電子遷移率、低漏電流、高熱穩(wěn)定性和高熱導(dǎo)率...

2023-02-14 標(biāo)簽：電子器件半導(dǎo)體材料砷化鎵 3.4k 0

外延片和拋光片區(qū)別在哪

外延片和拋光片是兩種不同的半導(dǎo)體材料加工工藝，它們在制造過程中有著不同的應(yīng)用和特點(diǎn)。本文將介紹外延片和拋光片的區(qū)別。 一、外延片的定義和制備方法 外延片...

2024-07-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料金屬外延片 3.4k 0

氮化鎵芯片的應(yīng)用及比較分析

隨著信息技術(shù)和通信領(lǐng)域的不斷發(fā)展，對高性能芯片的需求也越來越大。作為半導(dǎo)體材料中的重要組成部分，氮化鎵芯片因其優(yōu)異的性能在近年來受到了廣泛關(guān)注。本文將詳...

2024-01-10 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體材料氮化鎵 3.4k 0

固態(tài)照明的新型半導(dǎo)體材料

固態(tài)照明（SSL）技術(shù)由于其在節(jié)能和減少環(huán)境污染方面的優(yōu)勢，正逐漸取代傳統(tǒng)的照明光源。因此，開發(fā)可應(yīng)用在SSL設(shè)備的高性能發(fā)光材料成為近十年來的一個(gè)非常...

2020-01-28 標(biāo)簽：固態(tài)照明半導(dǎo)體材料有機(jī)發(fā)光二極管 3.4k 0

半導(dǎo)體二極管的主要特點(diǎn)是具有什么

半導(dǎo)體二極管是一種由半導(dǎo)體材料制成的電子元件，具有單向?qū)щ娦?。這種特性使得二極管在電子電路中扮演著重要的角色，如整流、開關(guān)、信號調(diào)制等。 半導(dǎo)體二極管的...

2024-10-15 標(biāo)簽：電流電子元件半導(dǎo)體材料 3.4k 0

霍爾傳感器和磁電式傳感器的區(qū)別是什么

霍爾傳感器和磁電式傳感器是兩種不同類型的傳感器，它們在工作原理、應(yīng)用領(lǐng)域和性能特點(diǎn)上有所區(qū)別。 霍爾傳感器 工作原理 ： 霍爾傳感器是基于霍爾效應(yīng)工作的...

2024-09-23 標(biāo)簽：磁場磁電式傳感器霍爾傳感器 3.4k 0

pmos開關(guān)條件怎么控制電流大小

PMOS晶體管是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的半導(dǎo)體器件，具有許多優(yōu)點(diǎn)，如低功耗、高速度和良好的集成性。然而，要充分利用PMOS晶體管的性能，我們需要了解其...

2024-08-01 標(biāo)簽：電流半導(dǎo)體材料PMOS 3.3k 0

氮化鎵的應(yīng)用及如何制備

進(jìn)入90年代以后，第二代半導(dǎo)體砷化鎵、磷化銦等具有高遷移率的半導(dǎo)體材料逐漸出現(xiàn)，使得有線通訊技術(shù)迅速發(fā)展。隨后在本世紀(jì)初，碳化硅，氮化鎵等具有寬禁帶的第...

2023-02-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵碳化硅 3.3k 0

氮化鋁的研究歷史

氮化鋁(AlN)是一種六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)的共價(jià)鍵化合物，晶格參數(shù)為a=3.114，c=4.986。純氮化鋁呈藍(lán)白色，通常為灰色或灰白色，是典型的III-Ⅴ族...

2022-03-23 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體材料陶瓷材料 3.1k 0

開關(guān)電源場管電流計(jì)算公式

開關(guān)電源場效應(yīng)管電流計(jì)算主要是通過場效應(yīng)管工作狀態(tài)來確定的。場效應(yīng)管是一種基于半導(dǎo)體材料的電子元件，它可以控制電流的流動，適用于高頻和高功率的電路應(yīng)用。...

2024-01-04 標(biāo)簽：電流開關(guān)電源場效應(yīng)管 3.1k 0

半導(dǎo)體空調(diào)制冷原理 半導(dǎo)體空調(diào)制冷量與流量關(guān)系

半導(dǎo)體空調(diào)制冷原理： 半導(dǎo)體空調(diào)是一種利用半導(dǎo)體材料自身特性進(jìn)行制冷的空調(diào)系統(tǒng)。它不需要使用傳統(tǒng)的壓縮循環(huán)制冷劑，而是直接通過電能來提供制冷效果。半導(dǎo)體...

2024-02-04 標(biāo)簽：模塊半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料 3.1k 0