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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體材料
半導(dǎo)體材料(semiconductor material)是一類具有半導(dǎo)體性能(導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間,電阻率約在1mΩ·cm~1GΩ·cm范圍內(nèi))、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。
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“半導(dǎo)體”是一種特性介于“導(dǎo)體”和“絕緣體”之間的物質(zhì),前者像金屬一樣導(dǎo)電,后者幾乎不導(dǎo)電。電流流動的容易程度與物質(zhì)電阻的大小有關(guān)。如果電阻高,電流很難...
固體中電子的能量是不可以連續(xù)取值的,而是一些不連續(xù)的能帶,要導(dǎo)電就要有自由電子或者空穴存在,自由電子存在的能帶稱為導(dǎo)帶(能導(dǎo)電)。被束縛的電子要成為自由...
2023-10-26 標(biāo)簽:三極管二極管半導(dǎo)體材料 1627 0
在上周的推文中,我們回顧了半導(dǎo)體材料發(fā)展的前兩個階段:以硅(Si)和鍺(Ge)為代表的第一代和以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)為代表的第二代。(了...
2023-09-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料氮化鎵 1957 0
作為“二十世紀(jì)最重要的新四大發(fā)明”之一,半導(dǎo)體的重要性不言而喻。從電子產(chǎn)品到航空航天,從人工智能到生物醫(yī)學(xué),半導(dǎo)體無處不在,深刻地塑造著我們生活的方方面面。
2023-09-07 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料SiC 1563 0
氮化鎵(GaN)技術(shù)創(chuàng)新概況 氮化鎵襯底技術(shù)是什么
氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導(dǎo)體材料,禁帶寬度大于2.3eV,也稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料 ?氮化鎵材料為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表,是研制微電...
2023-09-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料氮化鎵GaN 1252 0
在了解雙向晶閘管的工作原理之前,需要先了解一下普通的晶閘管的工作原理。晶閘管是一種半導(dǎo)體器件,它是由四層PNPN型的晶體管結(jié)構(gòu)組成,晶體管結(jié)構(gòu)中有兩個P...
2023-08-26 標(biāo)簽:晶閘管PN結(jié)半導(dǎo)體材料 4450 0
在ebased6e7b68dec56a74322a889d8bae7e的工作中,穩(wěn)壓管的一個重要特性是它的電流和電壓之間的變化。這種變化給穩(wěn)壓管帶來了一...
2023-08-26 標(biāo)簽:PN結(jié)穩(wěn)壓管半導(dǎo)體材料 2400 0
氮化鎵襯底和外延片哪個技術(shù)高 襯底為什么要做外延層
氮化鎵襯底是一種用于制造氮化鎵(GaN)基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件的基板材料。GaN是一種III-V族化合物半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的電子特性和高頻特性,適用于高功率、...
2023-08-22 標(biāo)簽:功率放大器半導(dǎo)體材料氮化鎵 5009 1
功率模塊納米銀燒結(jié)技術(shù)研究進(jìn)展
以SiC、GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料具有高 擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密 度、高遷移率、可承受大功率等特點,非常適合 制作應(yīng)用于高頻、...
2023-08-18 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體材料SiC 3287 0
在電路中,二極管(diode)是一種最簡單的電子元件之一,它通常由半導(dǎo)體材料制成。二極管具有兩個電極,一個是陽極(anode),另一個是陰極(catho...
2023-08-16 標(biāo)簽:二極管電子元件半導(dǎo)體材料 4050 0
什么是半導(dǎo)體材料?半導(dǎo)體材料的發(fā)展之路
半導(dǎo)體材料是制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料,是半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ)。利用半導(dǎo)體材料制作的各種各樣的半導(dǎo)體器件和集成電路,促進(jìn)了現(xiàn)代信息社會的飛速發(fā)展。
2023-08-07 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體材料SiC 4455 0
氮化硅是一種半導(dǎo)體材料。氮化硅具有優(yōu)異的熱穩(wěn)定性、機(jī)械性能和化學(xué)穩(wěn)定性,被廣泛應(yīng)用于高溫、高功率和高頻率電子器件中。它具有較寬的能隙(大約3.2電子伏特...
2023-07-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料氮化硅寬帶隙半導(dǎo)體 7472 0
中山大學(xué)王鋼教授團(tuán)隊在NiO/β-Ga?O?異質(zhì)結(jié)在功率器件領(lǐng)域的研究進(jìn)展
該綜述總結(jié)了NiO/β-Ga2O3異質(zhì)結(jié)在功率器件領(lǐng)域的發(fā)展現(xiàn)狀,為之后設(shè)計高性能的NiO/β-Ga2O3異質(zhì)結(jié)器件提供了參考,對β-Ga2O3雙極型器...
2023-06-30 標(biāo)簽:功率器件半導(dǎo)體材料氧化鎵 2502 0
有機(jī)半導(dǎo)體材料研究現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢
自1990年代末至2000年代初以來,有機(jī)半導(dǎo)體材料的研究引起了相關(guān)領(lǐng)域的高度關(guān)注,大大提高了實驗室環(huán)境中有機(jī)半導(dǎo)體器件的制造水平。目前,有機(jī)半導(dǎo)體器件...
2023-06-30 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料有機(jī)半導(dǎo)體 4775 0
1月5日,比亞迪發(fā)布會重磅發(fā)布了2款新的SiC電控的車型:比亞迪發(fā)布2款仰望車型搭載SiC電控,時隔2年,比亞迪再次公布了2款SiC電控的車型。正式發(fā)布...
2023-06-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料SiC碳化硅 948 0
新能源汽車時代的半導(dǎo)體材料寵兒——SiC(碳化硅)
新能源汽車相比于傳統(tǒng)燃油汽車,其中所使用的功率半導(dǎo)體器件成倍增加,根據(jù)Strategy Analytics的數(shù)據(jù),傳統(tǒng)燃油車的車均半導(dǎo)體用量為338美元...
2023-06-15 標(biāo)簽:新能源汽車半導(dǎo)體材料碳化硅 4692 0
湖北大學(xué)研制超穩(wěn)定納米卷軸,用于食品安全光電傳感
基于此,湖北大學(xué)化學(xué)化工學(xué)院電化學(xué)與電分析化學(xué)團(tuán)隊通過溶劑輔助法驅(qū)動還原氧化石墨烯(rGO)發(fā)生自卷曲行為,將溴化銫鉛(CsPbBr3)量子點卷入其內(nèi)部...
2023-05-04 標(biāo)簽:納米半導(dǎo)體材料光電傳感 856 0
太原理工在二維鈣鈦礦激光領(lǐng)域取得重要進(jìn)展
鈣鈦礦由于具有高光學(xué)增益、平衡的載流子遷移率以及可溶液加工等特性,成為一種具有前景光明的激光增益半導(dǎo)體材料。目前,基于鈣鈦礦材料已成功研制出具有高相干性...
2023-04-17 標(biāo)簽:激光電子器件半導(dǎo)體材料 1016 0
BeO為纖鋅礦型結(jié)構(gòu),單胞為立方晶系。其熱傳導(dǎo)能力極高,BeO質(zhì)量分?jǐn)?shù)為99%的BeO陶瓷,室溫下其熱導(dǎo)率(熱導(dǎo)系數(shù))可達(dá)310W/(m·K),為同等純...
2023-04-12 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料碳化硅陶瓷基板 5352 0
不是線性的,加上正向電壓時,P區(qū)的空穴與N區(qū)的電子在正向電壓所建立的電場下相互吸引產(chǎn)生復(fù)合現(xiàn)象,導(dǎo)致阻擋層變薄,正向電流隨電壓的增長按指數(shù)規(guī)律增長,宏觀...
2023-04-06 標(biāo)簽:電流PN結(jié)半導(dǎo)體材料 699 0
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