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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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存儲(chǔ)器,顧名思義是存儲(chǔ)設(shè)備。在諸多電子設(shè)備中,存儲(chǔ)器是必不可少的重要組件。為增進(jìn)大家對(duì)存儲(chǔ)器的了解,本文將對(duì)存儲(chǔ)器卡以及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的分類予以介紹。如果...
二極管是一種最簡(jiǎn)單的電子器件,它具有許多重要的作用和廣泛的用途。本文將詳細(xì)介紹二極管的工作原理、主要功能以及常見的應(yīng)用領(lǐng)域。 一、二極管的工作原理 PN...
光敏電阻是用硫化隔或硒化隔等半導(dǎo)體材料制成的特殊電阻器,表面還涂有防潮樹脂,具有光電導(dǎo)效應(yīng)。
三極管是最重要的電子元器件之一,成功制作世界上第一只半導(dǎo)體三極管的美國(guó)物理學(xué)家約翰·巴丁(John Bardeen)和他的同事布拉頓(Brattain)...
隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)特點(diǎn):包括DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)和SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器),當(dāng)關(guān)機(jī)或斷電時(shí),其中的 信息都會(huì)隨之丟失。 DRAM主...
2019-01-07 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 1.7萬 0
兩線制變送器的結(jié)構(gòu)與原理說明及設(shè)計(jì)4~20mA變送器電路的資料說明
工業(yè)上普遍需要測(cè)量各類非電物理量,例如溫度、壓力、速度、角度等,都需要轉(zhuǎn)換成模擬量電信號(hào)才能傳輸?shù)綆装倜淄獾目刂剖一蝻@示設(shè)備上。這種將物理量轉(zhuǎn)換成電信號(hào)...
相比較而言,熱敏電阻的溫度系數(shù)更大,常溫下的電阻值更高(通常在數(shù)千歐以上),但互換性較差,非線性嚴(yán)重,測(cè)溫范圍只有-50~300℃左右,大量用于家電和汽...
MOSFET結(jié)構(gòu)和符號(hào)及教程摘要
除了結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)外,還有另一種類型的場(chǎng)效應(yīng)晶體管,其柵極輸入與主載流通道電絕緣,因此被稱為絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管。最常見的絕緣柵FET類型用...
在設(shè)計(jì)mos管開關(guān)電路時(shí),就要充分了解mos管的工作原理。在我上一篇文章中,有詳細(xì)地講解mos管的工作原理。
2023-01-05 標(biāo)簽:開關(guān)電路半導(dǎo)體MOS管 1.6萬 0
對(duì)大多數(shù)人來說,微芯片是一些長(zhǎng)著小小的金屬針、標(biāo)著看似隨機(jī)的字母或數(shù)字的字符串的黑盒子。但是對(duì)那些懂的人來說,有些芯片就像名人一樣站在紅毯上。有許多這樣...
IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入...
三極管,全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管,也稱雙極型晶體管、晶體三極管,是一種控制電流的半導(dǎo)體器件其作用是把微弱信號(hào)放大成幅度值較大的電信號(hào),也用作無觸點(diǎn)開關(guān)。其常...
深度剖析基于光通信系統(tǒng)的VCSEL技術(shù)
VCSEL的迅速發(fā)展和固有優(yōu)點(diǎn)已使其成為光電子應(yīng)用中的關(guān)鍵器件,有強(qiáng)大的生命力。近年來,性能優(yōu)異的VCSEL不斷被研發(fā),主要涉及其低閾值電流,高輸出功率...
2018-02-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體vcsel光通信系統(tǒng) 1.6萬 0
全球半導(dǎo)體封裝載板市場(chǎng)格局研究,基于全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的分析
根據(jù)目前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的商業(yè)模式,可以分為兩大類:IDM(Integrated Device Manufacture,集成器件制造商)和垂直分工模式(半導(dǎo)體...
2018-09-29 標(biāo)簽:電子元器件半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈 1.6萬 0
InP 材料在力學(xué)方面具有軟脆的特性,導(dǎo)致100 mm(4 英寸)InP 晶圓在化合物半導(dǎo)體工藝中有顯著的形變和碎裂的風(fēng)險(xiǎn);同時(shí),InP 基化合物半導(dǎo)體...
2023-06-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓半導(dǎo)體工藝 1.6萬 0
半導(dǎo)體激光器的應(yīng)用原理及需具備哪三個(gè)基本條件
半導(dǎo)體激光器在基本構(gòu)造上,它屬于半導(dǎo)體的P-N接面。后來經(jīng)過改良,開發(fā)出雙異質(zhì)接合型激光及條紋型構(gòu)造的激光二極管(Laser diode)等,廣泛使用于...
半導(dǎo)體制造工藝之快速加熱退火(RTA)系統(tǒng)
離子注入后的快速加熱退火(RTA)工藝是快速加熱步驟 (RTP)中最常使用的一種技術(shù)。當(dāng)離子注入完成后,靠近表面的硅晶體結(jié)構(gòu)會(huì)受到高能離子的轟擊而嚴(yán)重?fù)p...
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