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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的開(kāi)關(guān)速度是指其從截止?fàn)顟B(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)(或反之)所需的時(shí)間,這個(gè)時(shí)間包括上升時(shí)間和下降時(shí)間,分別對(duì)應(yīng)輸出電壓從...
在半導(dǎo)體制造過(guò)程中,精確控制溫度是至關(guān)重要的。無(wú)論是晶圓加工、刻蝕、沉積還是電鍍等環(huán)節(jié),溫度的微小波動(dòng)都可能對(duì)最終產(chǎn)品的性能和可靠性產(chǎn)生重大影響。因此,...
在晶圓制造良率部分討論的工藝變化會(huì)影響晶圓分選良率。在制造區(qū)域,通過(guò)抽樣檢查和測(cè)量技術(shù)檢測(cè)工藝變化。檢查抽樣的本質(zhì)是并非所有變化和缺陷都被檢測(cè)到,因此晶...
制造后,晶圓被送到晶圓分選測(cè)試儀。在測(cè)試期間,每個(gè)芯片都會(huì)進(jìn)行電氣測(cè)試,以檢查設(shè)備規(guī)范和功能。每個(gè)電路可能執(zhí)行數(shù)百個(gè)單獨(dú)的電氣測(cè)試。雖然這些測(cè)試測(cè)量設(shè)備...
硅晶圓相對(duì)容易處理,并且良好的實(shí)踐和自動(dòng)設(shè)備已將晶圓斷裂降至低水平。然而,砷化鎵晶圓并不是那么堅(jiān)韌,斷裂是主要的晶圓良率限制因素。在砷化鎵制造線上,電路...
功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一...
? “兵馬未動(dòng),糧草先行”,各路IC英雄是否備好了Hamburger&Chips來(lái)迎接下一次的遠(yuǎn)征。其實(shí),在芯片制造過(guò)程中,每一個(gè)步驟都像是制作...
防爆熱電偶是一種用于測(cè)量高溫環(huán)境(如工業(yè)爐、鍋爐等)中的溫度的傳感器,它具有防爆功能,可以防止由于溫度過(guò)高而引起的爆炸。防爆熱電偶的型號(hào)規(guī)格含義是對(duì)其性...
光伏逆變器,又稱(chēng)太陽(yáng)能逆變器或電源調(diào)整器,是一種在太陽(yáng)能光伏并網(wǎng)發(fā)電過(guò)程中用于將太陽(yáng)能電池產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)化為交流電的器件。它可以將光伏(PV)太陽(yáng)能板產(chǎn)...
半導(dǎo)體激光器的制造過(guò)程需要經(jīng)過(guò)多個(gè)復(fù)雜的工藝步驟,以確保芯片的性能和可靠性,包括硅片生長(zhǎng)——光刻——離子注入——腐蝕和薄膜沉積——封裝——測(cè)試等多個(gè)步驟...
光敏電阻是一種基于內(nèi)光電效應(yīng)的半導(dǎo)體元件,也被稱(chēng)為光電阻或光導(dǎo)體光導(dǎo)管,其英文名稱(chēng)為photoresistor或light-dependent resi...
達(dá)林頓晶體管與三極管在電子學(xué)領(lǐng)域中都是重要的元件,但它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)、性能、應(yīng)用場(chǎng)景等方面存在顯著差異。以下將詳細(xì)探討這兩者之間的區(qū)別。
2024-09-29 標(biāo)簽:三極管半導(dǎo)體達(dá)林頓晶體管 1504 0
Vdmos(垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)和MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)是兩種不同類(lèi)型的半導(dǎo)體器件,它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)、工作原理、應(yīng)用等方面都有所區(qū)別。 1. 結(jié)構(gòu)...
場(chǎng)效應(yīng)晶體管工作機(jī)制和命名方式介紹
場(chǎng)效應(yīng)晶體管以其獨(dú)特的電壓控制特性和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,在電子技術(shù)領(lǐng)域中占據(jù)著舉足輕重的地位。它主要分為兩種類(lèi)型:JFET(結(jié)型)和MOS-FET(金屬-氧...
2024-09-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管電壓 1045 0
晶體三極管,作為電子電路中的核心元件,承擔(dān)著控制電流的重要任務(wù)。它常被稱(chēng)為雙極型晶體管,是電子技術(shù)領(lǐng)域不可或缺的基礎(chǔ)器件之一。 晶體三極管的構(gòu)造獨(dú)特而精...
晶體二極管,作為電子電路中的一種基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件,以其獨(dú)特的非線性伏安特性和單向?qū)щ娦远鴱V受關(guān)注。它通常用符號(hào)D來(lái)表示,其核心部分是一塊由P型和N型半導(dǎo)體...
變?nèi)荻O管(Variable Capacitance Diode,簡(jiǎn)稱(chēng)Varactor Diode),也被稱(chēng)為調(diào)諧二極管或慢波二極管,是一種具有可變電容...
2024-09-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體PN結(jié)變?nèi)荻O管 4190 0
恒流二極管,也稱(chēng)為恒流晶體管,是一種具有恒定電流輸出特性的半導(dǎo)體器件。它在電子電路中具有廣泛的應(yīng)用,如電源管理、信號(hào)處理、光電子學(xué)等領(lǐng)域。以下是對(duì)恒流二...
肖特基二極管,又稱(chēng)熱載流子二極管或肖特基勢(shì)壘二極管(Schottky Barrier Diode,縮寫(xiě)為SBD),是一種基于金屬-半導(dǎo)體結(jié)(M-S結(jié))的...
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