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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)和應(yīng)用
MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)作為...
GigaModule系列產(chǎn)品特性簡(jiǎn)介
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的精密架構(gòu)中,高性能封裝基板(High-Performance Packaging Substrate)扮演著舉足輕重的角色,它不僅是芯片與...
在基于寬帶隙半導(dǎo)體(例如GaN和SiC器件)的高效經(jīng)濟(jì)型功率轉(zhuǎn)換技術(shù)發(fā)展的推動(dòng)下,許多應(yīng)用現(xiàn)在都看到了轉(zhuǎn)換為直流電能的好處。因此,精確的直流電能計(jì)量變得...
2024-08-21 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車半導(dǎo)體電能計(jì)量 1993 0
隨著道路上出現(xiàn)越來(lái)越多的電動(dòng)汽車,充電站的建設(shè)正在如火如荼的進(jìn)行中,更快的充電速度也成為充電站的發(fā)展重點(diǎn),功能良好且高效的充電器對(duì)于積極建設(shè)中的充電基礎(chǔ)...
2024-08-21 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車半導(dǎo)體熱管理 3401 0
第一代半導(dǎo)體材料以硅(Si)和鍺(Ge)為代表,它們?yōu)榘雽?dǎo)體行業(yè)奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。隨著技術(shù)的發(fā)展,第二代半導(dǎo)體材料以砷化鎵(GaAs)和銻化銦(InSb...
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器在數(shù)據(jù)中心中的應(yīng)用
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器在數(shù)據(jù)中心中的應(yīng)用是極其重要且廣泛的,它們不僅是數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)系統(tǒng)的核心組件,還直接關(guān)系到數(shù)據(jù)處理的效率、可靠性和安全性。以下將詳細(xì)闡述半導(dǎo)體...
2024-08-20 標(biāo)簽:半導(dǎo)體存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)中心 1253 0
簡(jiǎn)述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的應(yīng)用場(chǎng)景
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,作為現(xiàn)代電子系統(tǒng)的核心組成部分,其應(yīng)用場(chǎng)景極為廣泛,幾乎涵蓋了所有需要數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和處理的領(lǐng)域。以下將從多個(gè)方面詳細(xì)闡述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的應(yīng)用場(chǎng)景...
2024-08-20 標(biāo)簽:半導(dǎo)體存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)中心 3089 0
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的基本結(jié)構(gòu)和分類
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,又稱為半導(dǎo)體內(nèi)存,是一種基于半導(dǎo)體技術(shù)制造的電子器件,用于讀取和存儲(chǔ)數(shù)字信息。這種存儲(chǔ)器在現(xiàn)代計(jì)算機(jī)和其他電子設(shè)備中扮演著至關(guān)重要的角色,...
2024-08-20 標(biāo)簽:半導(dǎo)體存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器 2393 0
半導(dǎo)體掩膜版制造工藝及流程 掩膜版(Photomask)又稱光罩,是液晶顯示器、半導(dǎo)體等制造過(guò)程中的圖形“底片”轉(zhuǎn)移用的高精密工具。光掩膜基版是制作微細(xì)...
快恢復(fù)二極管(Fast Recovery Diode,簡(jiǎn)稱FRD)是一種具有快速反向恢復(fù)特性的高速開(kāi)關(guān)二極管,它在現(xiàn)代電子工業(yè)中扮演著至關(guān)重要的角色。以...
2024-08-16 標(biāo)簽:二極管半導(dǎo)體快恢復(fù)二極管 4580 0
快恢復(fù)二極管(Fast Recovery Diode,簡(jiǎn)稱FRD)是一種具有特殊電氣特性的半導(dǎo)體二極管,其核心特點(diǎn)在于其極短的反向恢復(fù)時(shí)間和優(yōu)異的開(kāi)關(guān)性能。
2024-08-16 標(biāo)簽:二極管半導(dǎo)體快恢復(fù)二極管 2949 0
雙向二極管(Bidirectional Diode)是一種特殊類型的二極管,它具有兩個(gè)方向的導(dǎo)電能力。與傳統(tǒng)的二極管不同,雙向二極管沒(méi)有明確的陽(yáng)極和陰極...
肖特基二極管(SBD,Schottky Barrier Diode)是一種特殊的二極管,具有快速開(kāi)關(guān)、低正向電壓降和高效率等特點(diǎn)。在許多電子電路中,正確...
p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體區(qū)別是什么
P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體是半導(dǎo)體材料的兩種基本類型,它們?cè)陔娮悠骷芯哂袕V泛的應(yīng)用。 定義 P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體都是由半導(dǎo)體材料制成的,它們的主要區(qū)別在...
2024-08-16 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電子器件半導(dǎo)體材料 1.2萬(wàn) 0
p型半導(dǎo)體(也稱為空穴半導(dǎo)體)的形成是一個(gè)涉及半導(dǎo)體材料摻雜和物理性質(zhì)變化的過(guò)程。以下是對(duì)p型半導(dǎo)體形成過(guò)程的詳細(xì)解析,包括其定義、摻雜原理、形成機(jī)制、...
2024-08-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料 6201 0
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Junction Field-Effect Transistor,簡(jiǎn)稱JFET)是一種基于場(chǎng)效應(yīng)原理工作的三端有源器件,其特點(diǎn)在于通過(guò)...
集電極電流的形成是半導(dǎo)體器件,特別是三極管和場(chǎng)效應(yīng)管工作過(guò)程中的一個(gè)重要環(huán)節(jié)。它不僅是描述晶體管工作狀態(tài)的關(guān)鍵參數(shù),還直接影響電路的性能和穩(wěn)定性。
單極型晶體管,也被稱為單極性晶體管或場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field-Effect Transistor, FET),是一種在電子學(xué)中廣泛使用的半導(dǎo)體器件。它的...
NPN型和PNP型晶體管是電子學(xué)中的兩種基本且重要的雙極型晶體管(BJT),它們?cè)陔娐吩O(shè)計(jì)中扮演著至關(guān)重要的角色。下面將詳細(xì)闡述這兩種晶體管的定義、結(jié)構(gòu)...
雙極型晶體管(Bipolar Junction Transistor,BJT) 是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的半導(dǎo)體器件,具有三層結(jié)構(gòu),由P型半導(dǎo)體、N型...
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