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標簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體（ semiconductor），指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體（conductor）與絕緣體（insulator）之間的材料。半導(dǎo)體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制，范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟發(fā)展的角度來看，半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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選型不再糾結(jié)！海川半導(dǎo)體LED驅(qū)動芯片在3大熱門照明產(chǎn)品的應(yīng)用方案揭秘
作為一名照明產(chǎn)品開發(fā)者或決策者，您是否曾在這些問題上徘徊：觸摸臺燈如何實現(xiàn)穩(wěn)定靈敏的調(diào)光？戶外手電筒怎樣兼顧高亮度和長續(xù)航？微型便攜燈如何在有限空間內(nèi)集...
在半導(dǎo)體材料與器件的表征中，薄層電阻是一個至關(guān)重要的參數(shù)，直接關(guān)系到導(dǎo)電薄膜、摻雜層以及外延層的電學性能。為了精準測量這一參數(shù)，四探針電阻儀憑借其獨特的...
告別充電難題，MDD 辰達半導(dǎo)體針對清潔電器推出分立器件解決方案
隨著生活水平的提高和智能家居概念的深入人心，清潔家電正以前所未有的速度走進千家萬戶。據(jù)統(tǒng)計，全球智能 掃地機器人 市場規(guī)模已超過百億美元，在這一快速發(fā)展...
一文讀懂 | 賦能智能制造：SEMI 行業(yè)標準的關(guān)鍵作用
關(guān)鍵詞：設(shè)備互聯(lián)、主題專家、SEMI標準、SECS/GEM、EDA/InterfaceA、HSMS在復(fù)雜的半導(dǎo)體制造生態(tài)系統(tǒng)中，精準不僅是目標，更是硬性...
晶圓級封裝良率提升方案：DW185半導(dǎo)體級低黏度晶圓助焊劑
晶圓級封裝的隱藏痛點：助焊劑選擇決定焊接質(zhì)量在晶圓級封裝與先進互連工藝中，焊點問題往往并不出現(xiàn)在“設(shè)備”，而是出現(xiàn)在一個被低估的環(huán)節(jié)——助焊劑選擇。焊點...
使用KickStart軟件對MOSFET進行脈沖I-V特性表征
在晶體管器件的研發(fā)階段，制造商通常需要對設(shè)計原型進行電學特性評估。直流（DC）測試是最常見的方法，但對于許多半導(dǎo)體器件而言，只有脈沖或短時導(dǎo)通（開關(guān)）激...
以碳化硅為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體器件應(yīng)用越來越廣泛，成為高壓、大功率應(yīng)用（如電動汽車、可再生能源并網(wǎng)、工業(yè)驅(qū)動等）的核心器件。碳化硅MOSFET憑借低...
澤攸科技 | EBL和EUV光刻機有何區(qū)別？如何影響半導(dǎo)體行業(yè)？
從技術(shù)路徑上看，電子束光刻和大家熟悉的EUV光刻并不是同一類問題的解法。電子束光刻本質(zhì)上是一種直接寫入技術(shù)，利用聚焦電子束在抗蝕劑上逐點曝光，通過電磁控...
臺階儀在半導(dǎo)體的應(yīng)用|精確測量刻蝕深度和表面圖案化
摩擦納米發(fā)電機作為一種環(huán)境機械能收集技術(shù)，在材料選擇、結(jié)構(gòu)設(shè)計及表面工程等方面持續(xù)優(yōu)化。表面改性通過調(diào)控粗糙度與表面電荷，已成為提升摩擦電輸出的重要手段...
MOS管，全稱?金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管?（MOSFET），是一種通過柵極電壓控制源極與漏極之間電流的半導(dǎo)體器件。它屬于電壓控制型器件，輸入阻抗...
為降低 SOA（半導(dǎo)體光放大器）的增益紋波（詳見上篇文章《【SOA 仿真 5】增益紋波計算》[1]），需在 SOA 的波導(dǎo)腔面上鍍制 AR 增透膜（抗反...
超結(jié)MOSFET的基本結(jié)構(gòu)與工作原理
超結(jié)MOSFET（Super-Junction MOSFET，簡稱SJ-MOS）是一種在高壓功率半導(dǎo)體領(lǐng)域中突破傳統(tǒng)性能限制的關(guān)鍵器件。它通過在器件結(jié)構(gòu)...
2026-01-04 標簽：MOSFET半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體 2.9k 0
橢偏儀在半導(dǎo)體的應(yīng)用|不同厚度m-AlN與GaN薄膜的結(jié)構(gòu)與光學性質(zhì)
Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體是紫外至可見光發(fā)光器件的關(guān)鍵材料。傳統(tǒng)c面取向材料因極化電場導(dǎo)致量子限制斯塔克效應(yīng)，降低發(fā)光效率。采用半極性（如m面）生長可有效抑制該效...
橢偏儀在半導(dǎo)體的應(yīng)用|不同厚度c-AlN外延薄膜的結(jié)構(gòu)和光學性質(zhì)
隨著半導(dǎo)體器件向高溫、高頻、高功率方向發(fā)展，氮化鋁（AlN）等寬禁帶半導(dǎo)體材料的外延質(zhì)量至關(guān)重要。薄膜的厚度、界面粗糙度、光學常數(shù)及帶隙溫度依賴性直接影...
在半導(dǎo)體技術(shù)邁向“后摩爾時代”的進程中，3D集成電路（3D IC）憑借垂直堆疊架構(gòu)突破平面縮放限制，成為提升性能與功能密度的核心路徑。
Salicide(Self-Aligned Silicide，自對準硅化物)是一種通過選擇性金屬沉積與硅反應(yīng)，在半導(dǎo)體器件的源/漏極(Source/Dr...
SOI晶圓片制造技術(shù)作為半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心分支，歷經(jīng)五十年技術(shù)沉淀與產(chǎn)業(yè)迭代，已形成以SIMOX、BSOI、Eltran及Smart Cut為核心的四大成...
半導(dǎo)體集成電路的分類體系基于集成度、功能特性、器件結(jié)構(gòu)及應(yīng)用場景等多維度構(gòu)建，歷經(jīng)數(shù)十年發(fā)展已形成多層次、多維度的分類框架，并隨技術(shù)演進持續(xù)擴展新的細分領(lǐng)域。
半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)與核心摻雜工藝詳解
本文將聚焦半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)、核心摻雜工藝，以及半導(dǎo)體二極管的工作原理——這些是理解復(fù)雜半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)。
半導(dǎo)體封裝框架的外部結(jié)構(gòu)設(shè)計
封裝框架的外部結(jié)構(gòu)設(shè)計，核心包含聯(lián)筋（Dambar）與假腳（False leads）兩大關(guān)鍵部分，以下將針對各設(shè)計要素及技術(shù)要求展開詳細說明。
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