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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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碳化硅(SiC)功率器件的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域
隨著科技的不斷進(jìn)步,電力電子設(shè)備在我們的日常生活和工業(yè)生產(chǎn)中發(fā)揮著越來(lái)越重要的作用。然而,隨著電力電子設(shè)備向著更高效、更小型化以及更可靠的方向發(fā)展,傳統(tǒng)...
霍爾式節(jié)氣門(mén)位置傳感器的工作原理和檢測(cè)步驟
霍爾式節(jié)氣門(mén)位置傳感器是一種使用霍爾效應(yīng)原理的傳感器,用于測(cè)量發(fā)動(dòng)機(jī)節(jié)氣門(mén)的位置?;魻栃?yīng)是一種基于磁場(chǎng)的原理,當(dāng)一個(gè)導(dǎo)電材料(如半導(dǎo)體)處于磁場(chǎng)中時(shí),...
W刻蝕工藝中使用SF6作為主刻步氣體,并通過(guò)加入N2以增加對(duì)光刻膠的選擇比,加入O2減少碳沉積。在W回刻工藝中分為兩步,第一步是快速均勻地刻掉大部分W,...
什么是d-GaN、e-GaN 和 v-GaN?其有何特點(diǎn)及應(yīng)用?
GaN是常用半導(dǎo)體材料中能隙最寬、臨界場(chǎng)最大、飽和速度最高的材料。
2023-12-06 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器驅(qū)動(dòng)器半導(dǎo)體 7111 0
熱敏電阻是一種傳感器電阻,其電阻值隨著溫度的變化而改變。按照溫度系數(shù)不同分為正溫度系數(shù)熱敏電阻和負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻。正溫度系數(shù)熱敏電阻器的電阻值隨溫度的...
開(kāi)關(guān)二極管,是半導(dǎo)體二極管的一種,是為在電路上進(jìn)行"開(kāi)"、"關(guān)"而特殊設(shè)計(jì)制造的一類二極管。
2023-12-06 標(biāo)簽:二極管半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)二極管 2588 0
GaN和InGaN基化合物半導(dǎo)體和其他III族氮化物已經(jīng)成功地用于實(shí)現(xiàn)藍(lán)-綠光發(fā)光二極管和藍(lán)光激光二極管。由于它們優(yōu)異的化學(xué)和熱穩(wěn)定性,在沒(méi)有其它輔助的...
薄膜沉積技術(shù)主要分為CVD和PVD兩個(gè)方向。 PVD主要用來(lái)沉積金屬及金屬化合物薄膜,分為蒸鍍和濺射兩大類,目前的主流工藝為濺射。CVD主要用于介質(zhì)/半...
2023-12-05 標(biāo)簽:半導(dǎo)體工藝半導(dǎo)體制造 6755 0
碳化硅(SiC)是一種由硅和碳組成的半導(dǎo)體材料,用于制造電動(dòng)汽車(chē)(EV)、電源、電機(jī)控制電路和逆變器等高壓應(yīng)用的功率器件。與IGBT和MOSFET等傳統(tǒng)...
半導(dǎo)體放電管TSS(Thyristor Surge Suppressors)是一種采用半導(dǎo)體工藝制成的PNPN結(jié)四層結(jié)構(gòu)器件,其伏安特性與晶閘管類似,具...
一種具有高度柔性與可塑性的超香腸覆蓋式神經(jīng)元模型
人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)是模擬人腦神經(jīng)活動(dòng)的重要模式識(shí)別工具,受到了眾多科學(xué)家和學(xué)者的關(guān)注。然而,近年來(lái)DNN的改進(jìn)與優(yōu)化工作主要集中于網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)和損失函數(shù)的設(shè)計(jì),神...
2023-12-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型 731 0
在半導(dǎo)體芯片制造過(guò)程中,需要采用切割工藝對(duì)晶圓進(jìn)行劃片,然而傳統(tǒng)的金剛石切割、砂輪切割會(huì)對(duì)半導(dǎo)體材料造成較為嚴(yán)重的損傷,導(dǎo)致半導(dǎo)體晶圓碎裂、芯片性能下降...
光刻工藝就是把芯片制作所需要的線路與功能做出來(lái)。利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過(guò)具有圖形的光罩對(duì)涂有光刻膠的薄片曝光,光刻膠見(jiàn)光后會(huì)發(fā)生性質(zhì)變化,從而使光罩上得圖...
2023-12-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體光刻機(jī)半導(dǎo)體制造 5290 0
PMOS和NMOS開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì) MOS管做開(kāi)關(guān)的特點(diǎn)和注意點(diǎn)
一說(shuō)到開(kāi)關(guān),我們腦海中首先浮現(xiàn)的就是各式各樣的機(jī)械開(kāi)關(guān),常見(jiàn)的有自鎖開(kāi)關(guān)、撥碼開(kāi)關(guān)、船型開(kāi)關(guān)等等。區(qū)別于這類常見(jiàn)的機(jī)械開(kāi)關(guān),我們?cè)陔娮与娐分谐S玫倪€有各...
簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)半導(dǎo)體材料
當(dāng)我們想要描述一個(gè)原子的結(jié)構(gòu)時(shí),每次繪制下圖所示的這樣的圖表時(shí)都不是非常的方便。更常見(jiàn)的做法是寫(xiě)出分子式的方式來(lái)進(jìn)行表達(dá)。對(duì)于水分子,它的分子式是我們熟...
2023-12-03 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料 820 0
硅/鍺原子的間距比普通硅原子的更寬。在沉積的過(guò)程中,硅原子伸展到與SI/Ge原子對(duì)齊,使硅層染色。電學(xué)效應(yīng)可以降低硅的電阻,可以使電子移動(dòng)的速度快了70...
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