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場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型:結(jié)型場效應(yīng)管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導電,也稱為單極型晶體管。
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場效應(yīng)管起什么作用 場效應(yīng)管類型怎么判斷
場效應(yīng)晶體管簡稱場效應(yīng)管,它屬于電壓控制型半導體器件,具有輸入電阻高(107~1015Ω)、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工...
2023-08-18 標簽:場效應(yīng)晶體管可變電阻電解電容器 2306 0
運算放大器基本原理圖 運放常見的參數(shù)有哪些?運放計算思想
運算放大器(Integrated Operational Amplifier)簡稱集成運放,是一種高電壓增益、高輸入電阻和低輸出電阻的多級直接耦合放大電路。
2023-08-16 標簽:運算放大器場效應(yīng)晶體管AD轉(zhuǎn)換器 3063 0
電場激活原位摻雜的平面光伏型膠體量子點紅外成像芯片的工作原理如圖1所示。通過離子溶液處理和恒定電場激活,器件的工作模式由光導型變成了光伏型。場效應(yīng)晶體管...
2023-08-11 標簽:探測器場效應(yīng)晶體管短波 1194 0
北京理工大學實現(xiàn)了光導型向平面光伏型量子點紅外成像芯片的變革
紅外成像技術(shù)有廣泛應(yīng)用,現(xiàn)有的紅外成像芯片主要采用外延生長方法制備的塊體半導體材料,通過倒裝鍵合工藝實現(xiàn)與硅基讀出電路互聯(lián),其價格高昂、工藝復雜,嚴重制...
2023-08-11 標簽:FET場效應(yīng)晶體管紅外探測器 1263 0
大多數(shù)基于石墨烯的氣體傳感器具有薄的層結(jié)構(gòu)。一個單獨的原始或CVD石墨烯片可以被轉(zhuǎn)移到一個剛性或柔性的襯底,以形成傳感層。然后金屬電極沉積在石墨烯的表面...
2023-08-09 標簽:傳感器氣體傳感器場效應(yīng)晶體管 817 0
MOS管FDBL86066型號參數(shù)常用于電池管理系統(tǒng)BMS
儲能行業(yè)的發(fā)展每年都在增長,尤其是在俄烏沖突的影響下,海外民眾為解決用電需求,開始購入戶用儲能等產(chǎn)品,在歐洲的海外市場爆發(fā)尤為顯著。
2023-08-07 標簽:MOS管電池管理系統(tǒng)場效應(yīng)晶體管 1318 0
172A、100V參數(shù)的MOS管更適合PD電源使用!
在PD(Power Delivery)電源中,MOS管(金屬氧化物半導體場效應(yīng)管)主要扮演著開關(guān)和調(diào)節(jié)電流的角色。
2023-08-07 標簽:轉(zhuǎn)換器MOS管場效應(yīng)晶體管 1544 0
近日,“2023功率與光電半導體器件設(shè)計及集成應(yīng)用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)指導,西安交通大學、極智半導體產(chǎn)業(yè)...
2023-08-07 標簽:MOSFET場效應(yīng)晶體管光電探測器 874 0
MOSFET關(guān)斷條件是什么 mosfet管關(guān)斷過程的分析
MOSFET,也稱為金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)...
場效應(yīng)晶體管與微流控器件的集成應(yīng)用分析
據(jù)麥姆斯咨詢報道,近期,來自巴西坎皮納斯州立大學(State University of Campinas)以及巴西國家生物分析科學技術(shù)研究所(Nati...
2023-07-28 標簽:傳感器場效應(yīng)晶體管微流控器件 591 0
場效應(yīng)管原理通俗理解 場效應(yīng)管參數(shù)怎么看 場效應(yīng)管是做什么用的
場效應(yīng)管(英語:field-effect transistor,縮寫:FET)是一種通過電場效應(yīng)控制電流的電子器件。
2023-07-28 標簽:開關(guān)電源FET場效應(yīng)晶體管 2.6萬 0
金屬-氧化物半導體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的革命,讓我們可以在相同面積的晶圓上同時制造出更多晶體管。
2023-07-27 標簽:MOSFET半導體場效應(yīng)晶體管 1179 0
氧化鎵異質(zhì)集成和異質(zhì)結(jié)功率晶體管研究
超寬禁帶氧化鎵(Ga2O3)半導體具有臨界擊穿場強高和可實現(xiàn)大尺寸單晶襯底等優(yōu)勢, 在功率電子和微波射 頻器件方面具有重要的研究價值和廣闊的應(yīng)用前景。
2023-07-27 標簽:場效應(yīng)晶體管肖特基二極管熱管理 2437 0
ttl電路和cmos電路的區(qū)別 TTL邏輯門的電路圖設(shè)計
TTL (Transistor-Transistor Logic) 和 CMOS (Complementary Metal-Oxide Semicond...
MOSFET場效應(yīng)晶體管設(shè)計基礎(chǔ)
MOSFET是金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管(Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)的...
2023-07-11 標簽:MOSFET場效應(yīng)晶體管TTL電平 3892 0
功率MOS場效應(yīng)晶體管電參數(shù)指標中規(guī)定的電參數(shù)一般分為三大類:直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)。
2023-07-07 標簽:開關(guān)電源斬波器逆變器 1327 0
MOSFET與BJT之間有何不同?MOSFET和BJT之間哪個更好?
金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)是一種場效應(yīng)晶體管(FET),由三個端子-柵極、源極和漏極組成。在MOSFET中,漏極由柵極端的電壓控制,因...
2023-07-07 標簽:MOSFETFET場效應(yīng)晶體管 6497 0
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