功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)過(guò)程

功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管電參數(shù)指標(biāo)中規(guī)定的電參數(shù)一般分為三大類(lèi)：直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)。

2023-07-05 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源斬波器MOS管 801 0

耗盡型MOSFET的符號(hào)/工作原理/類(lèi)型/特性/應(yīng)用場(chǎng)景

金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）是一種電壓控制器件，由源極、漏極、柵極和主體等端子構(gòu)成，用于放大或切換電路內(nèi)的電壓，也廣泛用于數(shù)字應(yīng)用的IC...

2023-07-05 標(biāo)簽：MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管電壓控制器 1.3萬(wàn) 0

while(1)到底占了多少CPU功耗呢？這些功耗去哪里了呢？

我們將CPU簡(jiǎn)單看作場(chǎng)效應(yīng)晶體管FET的集合。這么多個(gè)FET隨著每一次的翻轉(zhuǎn)都在消耗者能量。

2023-06-29 標(biāo)簽：電源管理FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2220 0

增強(qiáng)型和耗盡型MOSFET之間的區(qū)別是什么？

MOSFET可進(jìn)一步分為耗盡型和增強(qiáng)型。這兩種類(lèi)型都定義了MOSFET的基本工作模式，而術(shù)語(yǔ)MOSFET本身是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的縮寫(xiě)。

2023-06-28 標(biāo)簽：MOSFET晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2.0萬(wàn) 0

功率MOSFET基本結(jié)構(gòu)：平面結(jié)構(gòu)

功率 MOSFET 即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（ Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor...

2023-06-28 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體柵極 4765 0

單層GaSe中電荷轉(zhuǎn)移的理論研究

在這項(xiàng)研究中，使用機(jī)械剝離和分子束外延（MBE）技術(shù)制備了少層 γ-GaSe。通過(guò)對(duì) X 射線(xiàn)光電子能譜（XPS）、X 射線(xiàn)衍射（XRD）、拉曼光譜和二...

2023-06-25 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2292 0

MOS的寄生模型

引言：MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MetalOxide Semiconductor Field Effect Transistor）的縮...

2023-06-16 標(biāo)簽：MOSFETMOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1720 0

基于Cr2C的面內(nèi)雙勢(shì)壘磁性隧道結(jié)中的巨遂穿磁阻

然而，關(guān)于基于2D磁性材料的平面內(nèi)MTJ的報(bào)道很少。已報(bào)道的平面內(nèi)MTJ Mn2CF2/Ti2CO2/Mn2CF2，其TMR的峰值約為106。面內(nèi)MTJ...

2023-06-01 標(biāo)簽：納米場(chǎng)效應(yīng)晶體管磁性材料 1386 0

MOSFET原理詳解與參數(shù)測(cè)試（1）

MOSFET又叫場(chǎng)效應(yīng)晶體管，要想學(xué)好MOS管，首先我們要對(duì)標(biāo)三極管來(lái)學(xué)。我們說(shuō)，三極管有N管和P管，同樣的，MOS管也有N型和P型。

2023-05-26 標(biāo)簽：三極管MOSFETNMOS 5811 0

基于AlN單晶襯底的AlGaN溝道型MOSHFET功率最新進(jìn)展

近期，美國(guó)南卡羅來(lái)納大學(xué)報(bào)道了在AlN單晶襯底上通過(guò)MOCVD生長(zhǎng)的Al0.87Ga0.13N/Al0.64Ga0.36N金屬氧化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶...

2023-05-25 標(biāo)簽：充電器晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1297 0

單向晶閘管的檢測(cè)

正常時(shí)陽(yáng)值成為數(shù)下歐以值較小司圍2.2 VMOS場(chǎng)效應(yīng)品體管源極S、漏極D的判定 VMSO場(chǎng)效應(yīng)晶體管的R和R的檢測(cè)

2023-05-24 標(biāo)簽：晶閘管場(chǎng)效應(yīng)晶體管VMOS管 551 0

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作原理和結(jié)構(gòu)

　　場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor，簡(jiǎn)稱(chēng)FET)是一種半導(dǎo)體器件，它是一種基于電場(chǎng)效應(yīng)的三極管。與普通的三極管相比，場(chǎng)效應(yīng)...

2023-05-17 標(biāo)簽：三極管半導(dǎo)體晶體管 7864 0

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的作用

場(chǎng)效應(yīng)晶體管是電壓控制元件，因此和普通雙極型晶體管相比，場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有輸入阻抗高、噪聲低、動(dòng)態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等特點(diǎn)，這就決定了場(chǎng)效應(yīng)晶體管與...

2023-05-16 標(biāo)簽：晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管雙極型 2899 0

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的分類(lèi)

場(chǎng)效應(yīng)晶體管是依靠一塊薄層半導(dǎo)體受橫向電場(chǎng)影響而改變其電阻（簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)），使具有放大信號(hào)的功能。這薄層半導(dǎo)體的兩端接兩個(gè)電極稱(chēng)為源和漏?？刂茩M向電場(chǎng)的電...

2023-05-16 標(biāo)簽：電阻半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2906 0

看懂低壓降穩(wěn)壓器(LDO)一篇就夠了

電源管理是電子系統(tǒng)中的的一個(gè)基本模塊。智能手機(jī)、電腦和我們所熟知的絕大多數(shù)電子產(chǎn)品都需要這個(gè)模塊去實(shí)現(xiàn)本身的功能。

2023-05-15 標(biāo)簽：電容器電源管理ldo 3488 0

Xilinx 7系列FPGA高性能接口與2.5V/3.3V外設(shè)IO接口設(shè)計(jì)

Xilinx 7系列FPGA IO Bank分為HP Bank和HR Bank，HP IO接口電壓范圍為1.2V~1.8V，可以實(shí)現(xiàn)高性能，HR IO接...

2023-05-15 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器電阻器FPGA設(shè)計(jì) 5095 0

淺談高壓SiC MOSFET發(fā)展歷程與研究現(xiàn)狀

高壓SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)和技術(shù)存在著幾個(gè)重要瓶頸：1）器件漂移區(qū)的導(dǎo)通電阻隨電壓等級(jí)相應(yīng)增加，其他結(jié)構(gòu)（溝道、JFET區(qū)等）的存在進(jìn)一步提高了總導(dǎo)通電阻。

2023-05-04 標(biāo)簽：二極管MOSFET導(dǎo)通電阻 3417 0

絕緣柵雙極型晶體管IGBT工藝仿真

MOS 場(chǎng)效應(yīng)晶體管部分載流子累積又使得此復(fù)合結(jié)構(gòu)中 BJT 部分的基極驅(qū)動(dòng)電流顯著增加，二者協(xié)同工作，從而改善了整個(gè)器件的特性。

2023-04-24 標(biāo)簽：IGBTMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2977 0