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標簽 > 場效應晶體管
場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。主要有兩種類型:結型場效應管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET)。由多數載流子參與導電,也稱為單極型晶體管。
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MOSFET最早出現在大概上世紀60年代,首先出現在模擬電路的應用。功率MOSFET在上世紀80年代開始興起,在如今電力電子功率器件中,無疑成為了最重要...
場效應晶體管的源極、漏極和柵極分別相當于晶體管的發(fā)射極、集電極和基極。對應于晶體管放大電路,場效應晶體管放大電路也有三種組態(tài):共源極放大電路、共漏極放大...
雙極結型晶體管使用幾乎相同的原理實現放大,但具有兩個半導體界面或結,而不是一個。與點接觸晶體管一樣,施加的電壓克服勢壘并使電流流動,該電流由較小的輸入電流調制。
絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor) 是由雙極結型晶體管(BJT)和金屬-氧化物半導體場效應晶體管(...
一種用于實時檢測溶液中COVID-19刺突抗原的電子生物傳感器
這款GO-FET生物傳感器采用由p型硅(Si)襯底以及覆蓋其上的二氧化硅(SiO2)介電層組成的p型硅片(Si/SiO2)制備。
如何能夠從品質提升自己的產品力,進而獲取市場青睞。對于汽車音響功放,選用一款能替代國外IRFB38N20D型號參數的MOS管尤為重要。
場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管,是較新型的半導體材料,利用電場效應來控制晶體管的電流,因而得名...
MOS管屬于電壓控制型半導體器件,相關文章:MOS管基本認識。具有輸入電阻高、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區(qū)域寬等優(yōu)...
本文中,我們將討論可幫助應對這些設計挑戰(zhàn)、集成到電機驅動集成電路中的特定模擬功能。
帶雙輸出反激變換器的半橋電路,為隔離的柵極驅動器供電。在這里,12v軌為隔離柵極驅動器的主側和副側供電。
雙極結型晶體管 BJT是三極管,一種具有三個端子的電子設備,由具有三種不同摻雜程度的半導體制成。
具有保護功能的GaN器件實現下一代工業(yè)電源設計的挑戰(zhàn)
氮化鎵(GaN)半導體的物理特性與硅器件不相上下。傳統(tǒng)的電源供應器金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)和絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)只有在犧牲...
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