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標(biāo)簽 > 場(chǎng)效應(yīng)管

場(chǎng)效應(yīng)管

場(chǎng)效應(yīng)管

+關(guān)注48人關(guān)注

場(chǎng)效應(yīng)管(FET)是利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,并以此命名。

文章:883個(gè) 瀏覽:66137 帖子:264個(gè)

場(chǎng)效應(yīng)管技術(shù)

場(chǎng)效應(yīng)管制作觸摸開(kāi)關(guān)_場(chǎng)效應(yīng)管制作逆變器

場(chǎng)效應(yīng)管制作觸摸開(kāi)關(guān)   1 材料:一個(gè)260Ω電阻、LED貼片燈、DG2N60場(chǎng)效應(yīng)管。   2 工具:電烙鐵、熱熔膠槍、鑷子。  ...

2023-02-11 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管逆變器觸摸開(kāi)關(guān) 2671 0

簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)功率MOSFET的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)

簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)功率MOSFET的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)

  功率電路中常用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的MOSFET(還有橫向?qū)щ娊Y(jié)構(gòu)的MOSFET,但很少用于耐高壓的功率電路中),如下圖是這種MOSFET的分層結(jié)構(gòu)圖。

2023-02-16 標(biāo)簽:電阻MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 2665 0

功率放大電路的特點(diǎn)及分類(lèi)

功率放大電路的特點(diǎn)及分類(lèi)

  無(wú)論是共射、共集、共基,或?qū)?yīng)的場(chǎng)效應(yīng)管,放大電路都能夠通過(guò)晶體管/場(chǎng)效應(yīng)管對(duì)能量控制實(shí)現(xiàn)直流電源能量向輸出的交流功率的轉(zhuǎn)換,實(shí)現(xiàn)功率放大。

2023-02-07 標(biāo)簽:功放放大電路場(chǎng)效應(yīng)管 2654 0

免受過(guò)載電壓影響的放大器保護(hù)網(wǎng)絡(luò)的電路設(shè)計(jì)

免受過(guò)載電壓影響的放大器保護(hù)網(wǎng)絡(luò)的電路設(shè)計(jì)

汽車(chē)電子產(chǎn)品的一個(gè)普遍要求是直接連接到配線(xiàn)裝置,必須能夠經(jīng)得起電池電壓的短路。雖然殘酷,但這項(xiàng)規(guī)定對(duì)可靠性與安全來(lái)說(shuō)是必要的。一個(gè)需要這種保護(hù)的例子是用...

2021-04-02 標(biāo)簽:放大器場(chǎng)效應(yīng)管汽車(chē)電子 2653 0

場(chǎng)效應(yīng)管控制電流大小的原理

場(chǎng)效應(yīng)管(Field Effect Transistor,簡(jiǎn)稱(chēng)FET)控制電流大小的原理主要基于其獨(dú)特的電壓控制特性。FET是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件,...

2024-07-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管FET 2619 0

光電三極管的特性及結(jié)構(gòu)示意圖

光電三極管的特性及結(jié)構(gòu)示意圖

光電三極管是一種半導(dǎo)體器件,能夠感應(yīng)光水平并根據(jù)其接收的光水平來(lái)改變?cè)诎l(fā)射極和集電極之間流動(dòng)的電流。顧名思義,光電三極管是一種晶體管,可以感應(yīng)光并改變晶...

2024-04-10 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管晶體管 2613 0

功率放大器電路中的三極管和MOS管,究竟有什么區(qū)別?

功率放大器電路中的三極管和MOS管,究竟有什么區(qū)別?

學(xué)習(xí)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ),和電子技術(shù)相關(guān)領(lǐng)域的朋友,在學(xué)習(xí)構(gòu)建功率放大器電路時(shí)最常見(jiàn)的電子元器件就是三極管和場(chǎng)效應(yīng)管(MOS管)了。那么三極管和MOS管有哪...

2023-05-18 標(biāo)簽:三極管功率放大器場(chǎng)效應(yīng)管 2602 0

場(chǎng)效應(yīng)管與三極管的各自應(yīng)用特點(diǎn)

場(chǎng)效應(yīng)管是由多子參與導(dǎo)電;三極管有多子和少子兩種載流子參與導(dǎo)電,而少子濃度受溫度、輻射等因素影響較大,因而場(chǎng)效應(yīng)管比晶體管的溫度穩(wěn)定性好、抗輻射能力強(qiáng)。...

2023-05-16 標(biāo)簽:三極管場(chǎng)效應(yīng)管晶體管 2589 0

只用一個(gè)按鈕怎么做個(gè)電子開(kāi)關(guān)?

只用一個(gè)按鈕怎么做個(gè)電子開(kāi)關(guān)?

這次給大家分享一個(gè)電子開(kāi)關(guān),這個(gè)電路的特點(diǎn)是只用一個(gè)按鈕就可以實(shí)現(xiàn)開(kāi)與關(guān)的功能。之前分享過(guò)類(lèi)似的電子開(kāi)關(guān),只不過(guò)是用了兩個(gè)按鈕,電路也很簡(jiǎn)單(可以參考下...

2023-11-13 標(biāo)簽:二極管場(chǎng)效應(yīng)管電源電壓 2568 0

硅終端金剛石半導(dǎo)體與場(chǎng)效應(yīng)管器件研究進(jìn)展

硅終端金剛石半導(dǎo)體與場(chǎng)效應(yīng)管器件研究進(jìn)展

金剛石作為超寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表,近年來(lái)成為大家關(guān)注的熱點(diǎn)。盡管在材料制備、器件研制與性能方面取得了一定進(jìn)展,但半導(dǎo)體摻雜技術(shù)至今沒(méi)有很好解決。氫終端...

2023-08-17 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 2548 0

詳解經(jīng)典的雙向電平轉(zhuǎn)換電路

詳解經(jīng)典的雙向電平轉(zhuǎn)換電路

今天我們來(lái)討論一款經(jīng)典的雙向電平轉(zhuǎn)換電路,相應(yīng)電路如下圖所示。

2024-01-22 標(biāo)簽:三極管場(chǎng)效應(yīng)管電平轉(zhuǎn)換 2540 0

光伏逆變器分類(lèi)有哪些 光伏逆變器是干什么用的

逆變器中的關(guān)鍵組件是功率半導(dǎo)體器件,通常采用功率晶體管(IGBT,Insulated Gate Bipolar Transistor)或金屬氧化物半導(dǎo)體...

2023-07-31 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管逆變器光伏逆變器 2535 0

NMOS場(chǎng)效應(yīng)管/PMOS場(chǎng)效應(yīng)管防反保護(hù)解析

NMOS場(chǎng)效應(yīng)管通過(guò)D管腳和S管腳串接于電源和負(fù)載之間,電阻R1、R2為MOS管提供電壓偏置,VR1用于限制VGS間電壓,防止被擊穿。正接時(shí)候,R1、R...

2023-04-19 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管NMOS控制電路 2518 0

MOSFET結(jié)構(gòu)和工作原理

功率場(chǎng)效應(yīng)管(Power MOSFET)也叫電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管,是一種單極型的電壓控制器件,不但有自關(guān)斷能力,而且有驅(qū)動(dòng)功率小,開(kāi)關(guān)速度高、無(wú)二次擊穿、安...

2022-11-18 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 2513 0

場(chǎng)效應(yīng)管的分類(lèi) 基本共源放大電路的組成及工作原理

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2023-02-20 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管MOS 2509 0

MOS管和場(chǎng)效應(yīng)管有什么關(guān)系?

MOS管和場(chǎng)效應(yīng)管有什么關(guān)系?

MOS管和場(chǎng)效應(yīng)管有什么關(guān)系?對(duì)于初學(xué)者來(lái)說(shuō),這兩個(gè)名字常常讓人混淆,MOS管到底是不是場(chǎng)效應(yīng)管?

2023-11-13 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 2498 0

如何選擇一款優(yōu)質(zhì)的MOS管來(lái)讓自身的太陽(yáng)能控制器更加可靠呢?

如何選擇一款優(yōu)質(zhì)的MOS管來(lái)讓自身的太陽(yáng)能控制器更加可靠呢?

MOS管在太陽(yáng)能控制器中是非常重要的存在,它直接影響到充電控制的精度,系統(tǒng)的效率和可靠性,以及最終影響整個(gè)太陽(yáng)能系統(tǒng)的性能和壽命。

2024-01-11 標(biāo)簽:控制器場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 2439 0

場(chǎng)效應(yīng)管和雙極型晶體管的區(qū)別

場(chǎng)效應(yīng)管(Field Effect Transistor,簡(jiǎn)稱(chēng)FET)和雙極型晶體管(Bipolar Junction Transistor,簡(jiǎn)稱(chēng)BJT...

2024-09-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管雙極型晶體管 2424 0

電力場(chǎng)效應(yīng)管的動(dòng)態(tài)特性和主要參數(shù)

電力場(chǎng)效應(yīng)管(Power Field-Effect Transistor,簡(jiǎn)稱(chēng)Power FET),特別是其中的絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET),在電力...

2024-09-13 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管晶體管 2409 0

IGBT技術(shù):MOS管基礎(chǔ)及選型指南

寄生二極管和普通二極管一樣,正接會(huì)導(dǎo)通,反接截止,對(duì)于NMOS,當(dāng)S極接正,D極接負(fù),寄生二極管會(huì)導(dǎo)通,反之截止;對(duì)于PMOS管,當(dāng)D極接正,S極接負(fù),...

2023-03-06 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管IGBT 2408 0

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    IoT是Internet of Things的縮寫(xiě),字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱(chēng)傳感網(wǎng),簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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    基站測(cè)試
    +關(guān)注
    802.11ac與11基站測(cè)試(base station tests) 在基站設(shè)備安裝完畢后,對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別,802.11n無(wú)線(xiàn)網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng),802.11n怎么安裝。
  • SDK
    SDK
    +關(guān)注
      SDK一般指軟件開(kāi)發(fā)工具包,軟件開(kāi)發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開(kāi)發(fā)工具的集合。軟件開(kāi)發(fā)工具廣義上指輔助開(kāi)發(fā)某一類(lèi)軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
  • TMS320F28335
    TMS320F28335
    +關(guān)注
    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
  • ESP8266
    ESP8266
    +關(guān)注
    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
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開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線(xiàn)充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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