功率MOSFET管
自1976年開發(fā)出功率MOSFET以來，由于半導體工藝技術的發(fā)展，它的性能不斷提高：如高壓功率MOSFET其工作電
2009-11-07 09:23:12
2193 簡單介紹MOSFET的原理
2022-04-11 19:19:1551144 
SiC功率MOSFET內部晶胞單元的結構，主要有二種：平面結構和溝槽結構。平面SiC MOSFET的結構，如圖1所示。這種結構的特點是工藝簡單，單元的一致性較好，雪崩能量比較高。但是，這種結構
2023-02-12 16:03:096761 
（Drain）和源極（Source）。功率MOSFET為電壓型控制器件，驅動電路簡單，驅動的功率小，而且開關速度快，具有高的工作頻率。常用的MOSFET的結構有：橫向導電雙擴散型場效應晶體管LDMOS
2023-06-05 15:12:102367 
極（ Drain ）和源極（ Source ）。功率 MOSFET 為電壓型控制器件，驅動電路簡單，驅動的功率小，而且開關速度快，具有高的工作頻率。常用的 MOSFET 的結構有：橫向導電雙擴散型
2023-06-28 08:39:355550 
眾所周知，由于采用了絕緣柵，功率MOSFET器件只需很小的驅動功率，且開關速度優(yōu)異?？梢哉f具有“理想開關”的特性。其主要缺點是開態(tài)電阻(RDS(on))和正溫度系數(shù)較高。本教程闡述了高壓N型溝道功率
2023-10-18 09:11:424280 
MOSFET，全稱為Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，即金屬氧化物半導體場效應晶體管，也稱為功率MOS場效應晶體管。
2024-02-21 16:25:232926 
采用超級接面結構設計不僅可克服現(xiàn)有功率MOSFET結構的缺點，亦能達到低RDS(on)、低QG和低QGD等特性
2011-12-08 10:28:102296 
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:08 編輯
MOSFET結構及工作原理`
2012-08-20 23:25:54
防止兩個MOSFET管直通，通常串接一個0.5～1Ω小電阻用于限流，該電路適用于不要求隔離的中功率開關設備。這兩種電路特點是結構簡單?！ ?b class="flag-6" style="color: red">功率MOSFET 屬于電壓型控制器件，只要柵極和源極之間施加
2019-06-14 00:37:57
MOS柵結構是MOSFET的重要組成部分，一個典型的N溝道增強型結構示意圖如圖1所示。其中柵極、源極和漏極位于同一個平面內，半導體的另一個平面可以稱為體端，所以在一些書籍和資料中，也將MOSFET
2024-06-13 10:07:47
柵極（Gate），漏極（Drain）和源極（Source）。功率MOSFET為電壓型控制器件，驅動電路簡單，驅動的功率小，而且開關速度快，具有高的工作頻率。常用的MOSFET的結構有橫向雙擴散型
2016-10-10 10:58:30
`功率MOSFET入門`
2012-08-15 13:15:18
功率MOSFET怎樣關斷？能否用PWM實現(xiàn)？怎樣實現(xiàn)？
2023-05-08 16:16:27
通過對同步交流對交流(DC-DC)轉換器的功耗機制進行詳細分析，可以界定必須要改進的關鍵金屬氧化物半導體場效晶體管(MOSFET)參數(shù)，進而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示，在研發(fā)功率
2019-07-04 06:22:42
，器件可攜帶的電流數(shù)會降低。本視頻的最后部分包括電氣特性表和器件性能曲線。電氣特性表提供器件性能的快照。每種功率MOSFET是有特點的，以確定器件參數(shù)的特定設置。電氣特性表提供有用的信息，指引設計人員用于
2018-10-18 09:13:03
功率MOSFET的結構特點為什么要在柵極和源極之間并聯(lián)一個電阻呢？
2021-03-10 06:19:21
。由于相應理論技術文章有很多介紹 MOSFET 參數(shù)和性能的，這里不作贅述，只對實際選型用圖解和簡單公式作簡單通俗的講解。另外，這里的功率 MOSFET 應用選型為功率開關應用，對于功率放大應用不一定適用
2019-11-17 08:00:00
SiN)及半導體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(Power MOSFET)是指它能輸出較大的工作電流(幾安到幾十安)，用于功率輸出級的器件。
2021-04-23 07:04:52
`從MOSFET 物理結構分析器件特性，想深入了解MOSFET有幫助。`
2011-03-07 23:02:53
功率MOSFET的概念是什么 MOSFET的耗散功率如何計算 同步整流器的功耗如何計算
2021-03-11 07:32:50
功率MOSFET的正向導通等效電路（1）：等效電路（2）：說明功率 MOSFET 正向導通時可用一電阻等效，該電阻與溫度有關，溫度升高，該電阻變大；它還與門極驅動電壓的大小有關，驅動電壓升高，該電阻
2021-09-05 07:00:00
一、功率MOSFET的正向導通等效電路1）等效電路：2）說明：功率 MOSFET 正向導通時可用一電阻等效，該電阻與溫度有關，溫度升高，該電阻變大；它還與門極驅動電壓的大小有關，驅動電壓升高，該電阻
2021-08-29 18:34:54
MOSFET管，雙管和單管相比，優(yōu)勢在哪里？是不是簡單的將RDS(on)減半、ID加倍等參數(shù)合成？
回復：功率MOSFET管數(shù)據(jù)表中，ID和IDSM都是計算值。ID是基于RθJC和RDS(on)以及最高允許
2025-11-19 06:35:56
功率MOSFET結構圖1列出這二種溝道功率MOSFET的結構，都是溝槽型Trench結構。從結構上來看，襯底都是漏極D，但半導體的類型不同：N溝道的漏極是N型半導體，P溝道的漏極是P型半導體。當N溝道
2016-12-07 11:36:11
高開關頻率,導通電阻小,損耗低等優(yōu)點。而FS-IGBT則具有通態(tài)壓降低,無拖尾電流等優(yōu)點,使得它們在性能上優(yōu)于傳統(tǒng)的功率MOSFET與IGBT?！娟P鍵詞】：SJMOSFET;;FS-IGBT;;超結
2010-04-24 09:01:39
`功率場效應管(MOSFET)的結構,工作原理及應用 功率場效應管(MOSFET)的結構 圖1是典型平面N溝道增強型場效應管(MOSFET) 的剖面圖。它用一塊P型硅半導體材料作襯底(圖la
2011-12-19 16:52:35
;font face="Verdana">功率場效應管MOSFET</font>特點：</strong>
2009-05-12 20:38:45
功率場效應管MOSFET,功率場控晶體管
2019-04-10 10:02:53
不多說直接上傳：關于MOSFET的基礎資料，MOSFET之前在學校很少了解，到了工作的時候才發(fā)現(xiàn)應用很多，此處是基礎資料，簡單明了
2014-05-14 12:35:03
ATX電源的結構特點是什么？
2021-11-10 06:30:40
IGBT的內部結構及特點：本文通過等效電路分析，通俗易懂的講解IGBT的工作原理和作用，并精簡的指出了IGBT的特點。IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型
2021-11-16 07:16:01
電壓（與功率MOSFET的低導通電阻相當）和較快的開關特性的晶體管。盡管其具有較快的開關特性，但仍比不上功率MOSFET，這是IGBT的弱點?！?b class="flag-6" style="color: red">功率元器件的基本結構與特點
2019-03-27 06:20:04
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統(tǒng)設計的過程中，選擇N管還是P管，要針對實際的應用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
新一代無線通訊技術的快速發(fā)展和越來越廣泛的應用，RF 功率 MOSFET有著非常樂觀的市場前景。而目前國內使用的RF功率器件仍然依賴進口，國內RF芯片和器件自有產品不到1%，因此，自主開發(fā)RF功率MOSFET具有非常重要的意義。 圖1 LDMOSFET基本結構圖
2019-07-08 08:28:02
說明一下，DMOS是平面型的MOSFET，是常見的結構。Si的功率MOSFET，因其高耐壓且可降低導通電阻，近年來超級結（Super Junction）結構的MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET
2018-11-30 11:35:30
采用IGBT這種雙極型器件結構（導通電阻變低，則開關速度變慢），就可以實現(xiàn)低導通電阻、高耐壓、快速開關等各優(yōu)點兼?zhèn)涞钠骷?. VD - ID特性SiC-MOSFET與IGBT不同，不存在開啟電壓，所以
2019-05-07 06:21:55
)及半導體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(Power MOSFET)是指它能輸出較大的工作電流(幾安到幾十安)，用于功率輸出級的器件。<br/>功率MOSFET的特點
2010-08-12 13:58:43
范圍對應著三種不同驅動電壓類型的功率MOSFET，下面就來認識這三種類型的功率MOSFET。1、功率MOSFET驅動電壓類型1.1 通用驅動的功率MOSFET功率MOSFET的柵極氧化層厚度和溝道摻雜
2019-08-08 21:40:31
關于汽車電子功率MOSFET技術，總結的太棒了
2021-05-14 06:13:01
` 功率MOSFET具有開關速度快，導通電阻小等優(yōu)點，因此在開關電源，馬達控制等電子系統(tǒng)中的應用越來越廣。通常在實際的設計過程中，電子工程師對其的驅動電路以及驅動電路的參數(shù)調整并不是十分關注
2011-09-27 11:25:34
、效率高、成本低的優(yōu)勢，因此，較適合作儀器電源。本文給出了一種由MOSFET 控制的大范圍連續(xù)可調（0～45V） 的小功率穩(wěn)壓電源設計實例。總體結構與主電路為該電源的總體結構框圖。工作原理如下：基于MOSFET控制的大范圍連續(xù)可調(0～45V) 的小功率穩(wěn)壓電源設計實例2圖1 原理方框圖全橋整流電路將電網
2021-11-12 08:50:12
混合SET/MOSFET 結構與特性是什么？如何利用SET/MOSFET 混合結構的傳輸特性去設計數(shù)值比較器？
2021-04-13 07:12:01
功率MOSFET的電流感知有哪幾種方法？SenseFET方法檢測電流的工作原理是什么？影響電流檢測準確性的原因有哪些？
2021-04-21 07:16:38
功率MOSFET是便攜式設備中大功率開關電源的主要組成部分。此外，對于散熱量極低的筆記本電腦來說，這些MOSFET是最難確定的元件。本文給出了計算MOSFET功耗以及確定其工作溫度的步驟，并通過
2021-01-11 16:14:25
。由于相應理論技術文章有很多介紹 MOSFET 參數(shù)和性能的，這里不作贅述，只對實際選型用圖解和簡單公式作簡單通俗的講解。另外，這里的功率 MOSFET 應用選型為功率開關應用，對于功率放大應用不一定適用
2019-11-17 08:00:00
怎樣解決MOSFET并聯(lián)工作時出現(xiàn)的問題？ 來糾正傳統(tǒng)認識的局限性和片面性。
2021-04-07 07:05:04
1、結構 第一個功率MOSFET - 與小信號MOSFET不同 -出現(xiàn)在1978年左右上市，主要供應商是Siliconix。它們是所謂的V-MOS設備。MOSFET的特點是源極和漏極之間的表面
2023-02-20 16:40:52
結構 引言 功率MOSFET以其開關速度快、驅動功率小和功耗低等優(yōu)點在中小容量的變流器中得到了廣泛的應用。當采用功率MOSFET橋式拓撲結構時，同一橋臂上的兩個功率器件在轉換過程中，柵極驅動信號
2018-08-27 16:00:08
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應的SiC-MOSFET的相關信息。獨有的雙溝槽結構SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中，ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
也是基于電容的特性，下面將從結構上介紹這些寄生電容，然后理解這些參數(shù)在功率MOSFET數(shù)據(jù)表中的定義，以及它們的定義條件。1、功率MOSFET數(shù)據(jù)表的寄生電容溝槽型功率MOSFET的寄生電容的結構如圖
2016-12-23 14:34:52
`本書介紹了功率器件MOSFET。功率MOSFET是一類導電溝道槽結構特殊的場效應管，它是繼MOSFET之后新展開起來的高效、功率開關器件。本書深入解讀了MOSFET的關鍵特性和指標，通過圖表讓讀者
2019-03-06 16:20:14
控雙極性晶體管IGBTIGBT晶體管是集GP與MOSFET二者優(yōu)點于一體的復合器件，既有MOSFET輸入阻抗高、速度快、開關損耗小、驅動電路簡單、要求驅動功率小、極限工作溫度高、易驅動的特點穩(wěn)定運行直流
2018-11-27 11:04:24
所需的功率。在正常工作期間，耗盡型 MOSFET 由于其低靜態(tài)電流而消耗的功率最小。這種方法的主要優(yōu)點是理論上啟動序列后的功耗為零，從而提高了整體效率。此外，它在PCB上占用的面積更小，可實現(xiàn)寬輸入
2023-02-21 15:46:31
MOSFET和超級結MOSFET。簡而言之，就是在功率晶體管的范圍，為超越平面結構的極限而開發(fā)的就是超級結結構。如下圖所示，平面結構是平面性地構成晶體管。這種結構當耐壓提高時，漂移層會增厚，存在導通電阻增加
2018-11-28 14:28:53
請問：驅動功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
功率MOSFET的結構和工作原理功率MOSFET的種類：按導電溝道可分為P溝道和N溝道。按柵極電壓幅值可分為；耗盡型；當柵極電壓為零時漏源極之間就存在導電溝道，增強型；對于N（P
2008-08-12 08:43:32
103 功率MOSFET
2009-09-23 19:35:0636 功率MOSFET驅動電路分析:針對功率MOSFET的特點，介紹由多個—概管組成的組臺式驅動電路．在逆變焊接電源上做了實驗．驗證了該方法的合理性。關鍵詞：功率MOSFET，半橋式電路，
2010-04-12 08:36:5470 圖所示為IR功率MOSFET的基本結構。圖中每一個六角形是一個MOSFET的原胞（cell）。正因為原胞是六角形的（hexangular）,因而IR常把它稱為HEXFET。功率MOSFET通常由許多個MOSFET原胞
2009-07-27 09:42:423698 
串行通訊簡單認識
串行通訊的基本概念：與外界的信息交換稱為通訊。基本的通訊方式有并行通訊和串行通訊兩種。
一條信息的各位數(shù)據(jù)被同時傳送的通訊方式
2009-10-17 11:22:59822 基于功率MOSFET設計考量
用作功率開關的MOSFET
隨著數(shù)十年來器件設計的不斷優(yōu)化，功率MOSFET晶體管帶來了新的電路拓撲和電源效率的提升。功率器件從電流驅
2010-04-24 11:44:421581 
我與好友一起設計并制作一完全由增強型MOSFET推動的功放，效果不錯，特向土炮興趣者推薦。本電路結構簡單，
2010-11-27 12:11:202434 
在此對功率MOSFET的SEB效應的機理進行了簡單分析，并針對600 V平面柵VDMOSFET，利用半導體器件模擬軟件Medici研究了緩沖層對提高MOSFET抗SEB能力的影響，提出利用多緩沖層結構改善MOSFET抗
2012-03-07 10:28:062943 
分析了對功率MOSFET器件的設計要求；設計了基于EXB841驅動模塊的功率MOSFET驅動保護電路。該電路具有結構簡單，實用性強，響應速度快等特點。在電渦流測功機勵磁線圈驅動電路中的實
2012-03-14 14:23:48221 RF 功率 MOSFET的最大應用是無線通訊中的RF功率放大器。直到上世紀90年代中期，RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSFET。到90年代后期，的出現(xiàn)改變了這一
2017-12-10 13:24:415179 
）,簡稱功率MOSFET（Power MOSFET）。結型功率場效應晶體管一般稱作靜電感應晶體管（Static Induction Transistor——SIT）。其特點是用柵極電壓來控制漏極電流，驅動
2017-12-19 12:44:4738184 
RF 功率 MOSFET的最大應用是無線通訊中的RF功率放大器。直到上世紀90年代中期，RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSFET。到90年代后期，的出現(xiàn)改變了這一
2018-10-11 08:33:007499 功率MOSFET和IGBT是做在0.1到1.5平方厘米的芯片上，它的密度是每平方毫米250.000個單元（50V功率MOS-FET）或者50.000單元（1200VIGBT）。
2020-05-02 17:47:005090 、全控式、單極型的特點主要適用于對功率器件工作頻率需求較高的領域。 寬禁帶半導體材料迭代引領功率MOSFET性能演進。功率MOSFET主要通過制程縮小、技術變化、工藝進步與材料迭代這四種方式不斷提高自身的性能以滿足世界電氣化程度不斷加深帶來的電力需求。其中
2022-11-30 10:38:391932 MOSFET及其應用優(yōu)勢，以幫助設計人員在許多工業(yè)應用中選擇這些器件。 圖1 N溝道耗盡型功率MOSFET N溝道耗盡型功率MOSFET的電路符號在圖1中給出。端子標記為G（柵極），S（源極）和D（漏極）。IXYS耗盡型功率MOSFET具有稱為垂直雙擴散MOSFET或DMOSFET的結構，與市場上的其
2021-05-27 12:18:589886 
功率MOSFET為多單元集成結構，如IR的HEXFET采用六邊形單元;西門子Siemens的SIPMOSFET采用正方形單元;摩托羅拉公司Motorola的TMOS采用矩形單元按品字形排列。
2022-08-04 15:35:074327 功率MOSFET是專門針對解決高功率電流和電壓的金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)，同樣是功率半導體中的一種。與其它功率半導體相比較，功率MOSFET具備電源開關速度快、低壓效率高的優(yōu)勢
2022-08-16 14:30:561634 )，可能導致器件損壞。A類音頻放大器、有源DC-link放電、電池充放電、浪涌電流限制器、低壓DC電機控制或電子負載等線性模式應用要求功率 MOSFET 器件在電流飽和區(qū)域內工作。 ? 作者
2022-08-25 15:34:413604 
功率MOSFET為多單元集成結構，如IR 的HEXFET采用六邊形單元;西門子Siemens的SIPMOSFET采用正方形單元;摩托羅拉公司Motorola的TMOS采用矩形單元按品字形排列
2022-10-07 10:39:001351 近年來超級結（Super Junction）結構的MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET”）應用越來越廣泛。關于SiC-MOSFET，ROHM已經開始量產特性更優(yōu)異的溝槽式結構的SiC-MOSFET。
2023-02-08 13:43:191306 
SiC功率MOSFET內部晶胞單元的結構，主要有二種：平面結構和溝槽結構。平面SiC MOSFET的結構，
2023-02-16 09:40:105634 
Semiconductor FET) ,簡稱功率MOSFET ( PowerMOSFET)。結型功率場效應晶體管一般稱作靜電感應晶體管 (Staticnduction Transistor--SIT) 。其特點是用柵極電壓來控制漏極電流驅動電路簡單，
2023-02-22 14:13:472370 使用的工藝技術不同結構也不同，因而電氣特征也不同。補充說明一下，DMOS是平面型的MOSFET，是常見的結構。Si的功率MOSFET，因其高耐壓且可降低導通電阻，近年來超級結（Super
2023-02-23 11:26:581326 
這款簡單的MOSFET功率音頻放大器電路具有TL071C和2個MOSFET（IRF9530和IRF530），可在45Ω揚聲器上提供高達8W的功率，在70Ω揚聲器上提供高達4W的功率。該原理圖
2023-05-23 16:50:332960 
SiC功率MOSFET內部晶胞單元的結構，主要有二種：平面結構和溝槽結構。平面SiCMOSFET的結構，如圖1所示。這種結構的特點是工藝簡單，單元的一致性較好，雪崩能量比較高。但是，這種結構的中間
2023-06-19 16:39:467 垂直導電平面結構功率MOSFET管水平溝道直接形成JFET效應，如果把水平的溝道變?yōu)榇怪睖系?，從側面控制溝道，就可以消除JFET效應。
2023-08-28 10:10:3913856 
在研究MOSFET的實際工作原理前我們來考慮這種器件的一個簡化模型,以便對晶體管有一個感性認識:我們預期它有什么樣的特性以及特性的哪些方面是重要的。
2023-10-21 11:35:226635 
選型用圖解和簡單公式作簡單通俗的講解。另外，這里的功率MOSFET應用選型為功率開關應用，對于功率放大應用不一定適用。不正之處，希望大家不吝指正。功率MOSFET
2023-10-26 08:02:471599 
MOSFET中文名為金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管或MOS管，可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管。而功率MOSFET則指處于功率輸出級的MOSFET器件，通常工作電流大于1A。
2023-11-03 09:38:341890 
高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結構，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導通電阻隨電壓以2.4-2.6次方增長，導通電阻急劇增大，電流額定值降低。
2023-11-04 08:46:126730 
功率MOSFET零電壓軟開關ZVS的基礎認識
2023-11-23 09:06:382979 
MOSFET (金屬氧化物半導體場效應晶體管) 和 IGBT (絕緣柵雙極晶體管) 是兩種常見的功率半導體器件。它們在不同的應用場景中具有不同的特點和優(yōu)勢。本文將對MOSFET和IGBT進行詳盡
2023-12-15 15:25:352490 功率器件 (Power Devices) 通常也稱為電力電子器件，是專門用來進行功率處理的半導體器件。功率器件具有承受高電壓、通過大電流的能力，處理電壓的范圍可以從幾十伏到幾千伏，通過電流的能力最高
2024-01-09 09:38:523295 簡單認識無源器件
2024-01-12 09:56:041136 
功率MOSFET是一種廣泛應用于電力電子轉換器的高性能開關器件。它具有高輸入阻抗、低導通電阻、快速開關速度和良好的熱穩(wěn)定性等特點，因此在各種高壓、高頻、高效率的電源系統(tǒng)中發(fā)揮著重要作用。 結構
2024-01-17 17:24:362890 
簡單認識變壓器
2024-01-25 10:05:131444 
、電機驅動等領域中扮演著至關重要的角色。與雙極型功率器件相比，功率MOSFET憑借其獨特的特性，如電壓控制、高輸入阻抗、快速開關速度等，成為了現(xiàn)代電子設備中不可或缺的元件。本文將對功率MOSFET的特點進行詳細的闡述，以期為讀者提供全面的了解和認識。
2024-05-31 17:51:431799 和更低的導通電阻，因此在高頻、高功率和高溫應用中具有顯著優(yōu)勢。 GaN MOSFET器件結構 GaN MOSFET的基本結構包括以下幾個部分： 1.1 襯底：GaN MOSFET通常采用硅或碳化硅作為襯底
2024-07-14 11:39:364189 功率MOSFET有二種類型：N溝道和P溝道，在系統(tǒng)設計的過程中選擇N管還是P管，要針對實際的應用具體來選擇，N溝道MOSFET選擇的型號多，成本低；P溝道MOSFET選擇的型號較少，成本高。如果功率
2024-10-30 15:24:171638 轉換效率也越高。從早期的平面結構到如今的超結和屏蔽柵結構，功率MOSFET的幾次結構迭代，本質上都是一場圍繞“提升開關頻率”的優(yōu)化革命。
2025-12-19 09:26:481459 
電子發(fā)燒友App
工商網監(jiān)
評論