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標(biāo)簽 > 場(chǎng)效應(yīng)管
場(chǎng)效應(yīng)管(FET)是利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,并以此命名。
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直流電機(jī)的正反轉(zhuǎn)控制可以通過(guò)改變電機(jī)的電流方向來(lái)實(shí)現(xiàn)。常用的正反轉(zhuǎn)控制電路包括H橋電路和雙極性轉(zhuǎn)換電路。
2023-03-27 標(biāo)簽:繼電器場(chǎng)效應(yīng)管直流電機(jī) 1.8萬(wàn) 0
觸摸式延時(shí)開(kāi)關(guān)電路虛線右面是普通照明線路,左部是電子開(kāi)關(guān)部分。VD1~VD4、VS組成開(kāi)關(guān)的主回路,IC組成開(kāi)關(guān)控制回路。平時(shí),VS處于關(guān)斷狀態(tài),燈不亮...
2019-05-28 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管觸發(fā)器觸摸延時(shí)開(kāi)關(guān) 1.8萬(wàn) 0
三極管開(kāi)關(guān)電路和MOS管開(kāi)關(guān)電路區(qū)別
MOS管用于高頻高速電路,大電流場(chǎng)合,以及對(duì)基極或漏極控制電流比較敏感的地方。一般來(lái)說(shuō)低成本場(chǎng)合,普通應(yīng)用的先考慮用三極管,不行的話考慮MOS管。實(shí)際上...
2018-03-23 標(biāo)簽:三極管開(kāi)關(guān)電路場(chǎng)效應(yīng)管 1.8萬(wàn) 0
場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)量方法 電阻法測(cè)電極 根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象,可以判別出結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)電極。具體方法:將萬(wàn)用表?yè)茉赗1k檔上,任選...
2019-08-14 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管電路 1.8萬(wàn) 0
MOS管是一種基于金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件,也被稱為MOSFET(MOS場(chǎng)效應(yīng)管),是現(xiàn)代電子技術(shù)中應(yīng)用最廣泛的晶體管之一。
2023-02-25 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管NMOS 1.7萬(wàn) 0
場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)符號(hào)和中文意思詳細(xì)比照
本文章的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)符號(hào)和中文意思詳細(xì)比照。 Cds---漏-源電容 Cdu---漏-襯底電容 Cgd---柵-源電容
2019-10-04 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管 1.6萬(wàn) 0
本文主要介紹了場(chǎng)效應(yīng)管的特點(diǎn)及作用
2019-08-14 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管雙極性晶體管 1.6萬(wàn) 0
“當(dāng)我們使用3.3V單片機(jī)(STM32系列)和5V的器件通信時(shí)(IIC設(shè)備),電平轉(zhuǎn)換就勢(shì)在必行了”
2023-05-17 標(biāo)簽:單片機(jī)場(chǎng)效應(yīng)管STM32 1.6萬(wàn) 0
利用場(chǎng)效應(yīng)管實(shí)現(xiàn)的幾種電路功能分析及它在電路中的應(yīng)用
場(chǎng)效應(yīng)管的應(yīng)用很廣,能夠用于調(diào)制、放大、阻抗變換、穩(wěn)流、限流和自動(dòng)維護(hù)等電路中,下面以結(jié)場(chǎng)型場(chǎng)效應(yīng)管為例,扼要引見(jiàn)幾種常用的應(yīng)用電路。
2019-08-29 標(biāo)簽:電源場(chǎng)效應(yīng)管限流器 1.6萬(wàn) 0
其輸出的效果圖如上圖所示,可能細(xì)心的人會(huì)發(fā)現(xiàn),當(dāng)輸入信號(hào)的高電平低于電源電壓時(shí),這意味著上N管的CE節(jié)將會(huì)承受較高的電壓。這也就意味著上管將有著發(fā)熱壞的風(fēng)險(xiǎn)。
2023-06-08 標(biāo)簽:三極管場(chǎng)效應(yīng)管推挽電路 1.6萬(wàn) 0
IGBT模塊的原理及測(cè)量判斷方法 GBT模塊的原理及測(cè)量判斷方法 本文以介紹由單只 IGBT 管子或雙管做成的逆變模塊及其有關(guān)測(cè)盈和判斷好壞的方法。場(chǎng)效...
2018-05-18 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管igbt 1.6萬(wàn) 0
晶體管分為三極管和場(chǎng)效應(yīng)管兩種,這里我們先說(shuō)三極管,場(chǎng)效應(yīng)管的內(nèi)容我之前發(fā)過(guò)不少,但是還不全,后面我會(huì)慢慢補(bǔ)上。
2023-02-20 標(biāo)簽:三極管場(chǎng)效應(yīng)管晶體管 1.6萬(wàn) 0
場(chǎng)效應(yīng)管和三極管有什么區(qū)別?
判斷理由:JFET的輸入電阻大于100MΩ,并且跨導(dǎo)很高,當(dāng)柵極開(kāi)路時(shí)空間電磁場(chǎng)很容易在柵極上感應(yīng)出電壓信號(hào),使管子趨于截止,或趨于導(dǎo)通。若將人體感應(yīng)電...
2017-06-30 標(biāo)簽:三極管萬(wàn)用表場(chǎng)效應(yīng)管 1.5萬(wàn) 0
本文從MOSFET的工作原理入手,詳細(xì)介紹MOSFET的應(yīng)用以及其他注意事項(xiàng),希望能夠提高大家對(duì)MOSFET的認(rèn)識(shí)。詳細(xì)介紹請(qǐng)看原文:MOSFET的原意...
2013-07-31 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 1.5萬(wàn) 2
NE555組成的輸出電流達(dá)1. 5A 的開(kāi)關(guān)電源
NE555組成的輸出電流達(dá)1. 5A 的開(kāi)關(guān)電源是由場(chǎng)效應(yīng)管作電源調(diào)整管、NE555 電路作控制脈沖輸出電路、能輸出1.5A 電流的開(kāi)關(guān)式穩(wěn)壓電源,電路...
2019-02-08 標(biāo)簽:電路場(chǎng)效應(yīng)管555 1.5萬(wàn) 0
什么是IGBT? IGBT全稱為絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor),是由BJT(Bipolar J...
2021-02-27 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管IGBT晶體管 1.5萬(wàn) 0
場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理、放大電路及作用
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類型:結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(junction FET—J...
2023-02-24 標(biāo)簽:放大電路場(chǎng)效應(yīng)管晶體管 1.5萬(wàn) 0
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)檢測(cè)方法與經(jīng)驗(yàn)
根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象,可以判別出結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)電極。
2017-08-04 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 1.5萬(wàn) 0
DCpower一般是指帶實(shí)際電壓的源,其他的都是標(biāo)號(hào)(在有些仿真軟件中默認(rèn)的把標(biāo)號(hào)和源相連的)VDD:電源電
2017-09-18 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管電源管理晶體管 1.5萬(wàn) 1
原件要比晶體管小得多。晶體管就是一個(gè)小硅片。但是場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)要比晶體管的要復(fù)雜。場(chǎng)效應(yīng)管的溝道一般是幾個(gè)納米,也就是說(shuō)場(chǎng)效應(yīng)管的“硅片”的制作更加復(fù)...
2019-06-19 標(biāo)簽:三極管場(chǎng)效應(yīng)管引腳 1.4萬(wàn) 0
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