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標(biāo)簽 > 場(chǎng)效應(yīng)管
場(chǎng)效應(yīng)管(FET)是利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,并以此命名。
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三極管與場(chǎng)效應(yīng)管的區(qū)別,晶體三極管與場(chǎng)效應(yīng)管的檢測(cè)區(qū)分
場(chǎng)效應(yīng)管是在三極管的基礎(chǔ)上而開發(fā)出來(lái)的。三極管通過(guò)電流的大小控制輸出,輸入要消耗功率。場(chǎng)效應(yīng)管是通過(guò)輸入電壓控制輸出,不消耗功率。
2017-05-27 標(biāo)簽:三極管場(chǎng)效應(yīng)管晶體三極管 4.0萬(wàn) 0
本文主要介紹了場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)。
2019-08-14 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 4.0萬(wàn) 0
三極管和場(chǎng)效應(yīng)管都是常見的電子元器件,雖然都有三個(gè)引腳,長(zhǎng)得也有很像,但功能是不同的。三極管是電流控制型的器件,通過(guò)基極電流去控制集電極電流,實(shí)現(xiàn)電流、...
2019-11-16 標(biāo)簽:三極管場(chǎng)效應(yīng)管 4.0萬(wàn) 0
小功率信號(hào)變成一個(gè)大功率信號(hào),需要一個(gè)核心器件(三極管)做這件事,核心器件的能量由電源提供,通過(guò)核心器件用小功率的信號(hào)去控制大電源,來(lái)實(shí)現(xiàn)能量的轉(zhuǎn)換...
場(chǎng)效應(yīng)管有哪些基本參數(shù)?
漏源擊穿電壓BUDS。也稱漏源耐壓值,是當(dāng)場(chǎng)效應(yīng)管的漏源電壓UDS增大到一定數(shù)值時(shí),使漏極電流ID突然增大且不受柵極電壓控制時(shí)的最大漏源電壓。
2019-06-19 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管電壓參數(shù) 3.9萬(wàn) 0
本文首先介紹了場(chǎng)效應(yīng)管工作原理與N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理,其次介紹了場(chǎng)效應(yīng)管的作用,最后介紹了場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)量方法。
2018-08-08 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 3.9萬(wàn) 0
場(chǎng)效應(yīng)管和三極管有什么區(qū)別
場(chǎng)效應(yīng)管是在三極管的根底上而開宣告來(lái)的。三極管經(jīng)過(guò)電流的巨細(xì)操控輸出,輸入要耗費(fèi)功率。場(chǎng)效應(yīng)管是經(jīng)過(guò)輸入電壓操控輸出,不耗費(fèi)功率。
2020-09-19 標(biāo)簽:三極管場(chǎng)效應(yīng)管 3.9萬(wàn) 0
在電路制作中我們遇到有三極管的小電流控制大電流和場(chǎng)效應(yīng)管的小電壓控制大電壓,但是這只是一個(gè)元件的表示,還記得我們?cè)趯W(xué)習(xí)模擬電子技術(shù)的時(shí)候親切的腳模擬電子...
2022-03-09 標(biāo)簽:三極管電流場(chǎng)效應(yīng)管 3.9萬(wàn) 0
場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT的區(qū)別,IGBT所有型號(hào)大全
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) IGBT是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)...
2017-05-14 標(biāo)簽:電阻場(chǎng)效應(yīng)管igbt 3.8萬(wàn) 0
MOSFET的擊穿有哪幾種? Source、Drain、Gate 場(chǎng)效應(yīng)管的三極:源級(jí)S 漏級(jí)D 柵級(jí)G (這里不講柵極GOX擊穿了啊,只針對(duì)漏極電壓擊...
2018-01-22 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管 3.4萬(wàn) 0
場(chǎng)效應(yīng)管發(fā)熱嚴(yán)重的原因
本文主要介紹了場(chǎng)效應(yīng)管發(fā)熱嚴(yán)重的原因以及場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理。場(chǎng)效應(yīng)管是只要一種載流子參與導(dǎo)電,用輸入電壓控制輸出電流的半導(dǎo)體器件。有N溝道器件和P溝道器...
2018-01-30 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管mos管 3.3萬(wàn) 0
金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)三極管的基本工作原理是靠半導(dǎo)體表面的電場(chǎng)效應(yīng),在半導(dǎo)體中感生出導(dǎo)電溝道來(lái)進(jìn)行工作的。當(dāng)柵G電壓VG增大時(shí),p型半導(dǎo)體表面的多數(shù)載流...
2017-11-07 標(biāo)簽:電容器電阻器場(chǎng)效應(yīng)管 3.3萬(wàn) 0
基礎(chǔ)知識(shí)中 MOS 部分遲遲未整理,實(shí)際分享的電路中大部分常用電路都用到了MOS管, 今天勢(shì)必要來(lái)一篇文章,徹底掌握mos管!
2022-07-05 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 3.2萬(wàn) 0
MOS管工作原理動(dòng)畫示意圖也有N溝道和P溝道兩類
當(dāng)柵極加有電壓時(shí),若0
2019-04-15
標(biāo)簽:集成電路場(chǎng)效應(yīng)管MOS管
3.1萬(wàn)
0
場(chǎng)效應(yīng)管在電路中到底是如何控制電流的大小的
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FieldEffectTransistor縮寫(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類型(juncTIonFET—JFET)和金屬-氧化物半...
2019-08-31 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管晶體管 3.0萬(wàn) 0
增強(qiáng)型和耗盡型MOS場(chǎng)效應(yīng)管的詳細(xì)資料和計(jì)算方式說(shuō)明
根據(jù)導(dǎo)電方式的不同,MOSFET又分增強(qiáng)型、耗盡型。所謂增強(qiáng)型是指:當(dāng)VGS=0時(shí)管子是呈截止?fàn)顟B(tài),加上正確的VGS后,多數(shù)載流子被吸引到柵極,從而“增...
2019-07-06 標(biāo)簽:二極管MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 3.0萬(wàn) 0
三極管是雙極型管子,即管子工作時(shí)內(nèi)部由空穴和自由電子兩種載流子參與。場(chǎng)效應(yīng)管是單極型管子,即管子工作時(shí)要么只有空穴,要么只有自由電子參與導(dǎo)電,只有一種載流子;
2019-06-19 標(biāo)簽:三極管電路場(chǎng)效應(yīng)管 3.0萬(wàn) 0
場(chǎng)效應(yīng)管和BJT三極管雖同為半導(dǎo)體放大器件,卻比三極管有很多優(yōu)點(diǎn),比如輸入電阻很高,對(duì)信號(hào)源幾乎不取電流,這很有利于輸入信號(hào)的穩(wěn)定,是作為輸入級(jí)放大的...
2019-06-19 標(biāo)簽:三極管場(chǎng)效應(yīng)管放大器件 2.9萬(wàn) 0
畫電路板的小伙伴可能經(jīng)常遇到各種標(biāo)號(hào),今天就來(lái)分享一下電源相關(guān)標(biāo)號(hào)的內(nèi)容。
2023-07-08 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管電源電壓Vcc 2.7萬(wàn) 0
關(guān)于MOS管一直是工程師熱衷討論的話題之一,于是我們整理了常見及不常見的MOS管的相關(guān)知識(shí),希望對(duì)各位工程師有所幫助。下面讓我們一起來(lái)聊聊MOS管這個(gè)非...
2018-09-29 標(biāo)簽:萬(wàn)用表場(chǎng)效應(yīng)管mos管 2.7萬(wàn) 0
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