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標(biāo)簽 > 基極電流
基極電流是載流子在基區(qū)擴(kuò)散與復(fù)合形成的復(fù)合電流，在發(fā)射極是IE，為了保證基極電流流過Re，產(chǎn)生的電壓降與IE流過時一樣，所以要將Re乘以（1+β），基區(qū)是雙極型晶體管（BJT）結(jié)構(gòu)中的一個重要區(qū)域。
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閂鎖效應(yīng)（Latch-up）原理及其抑制方法解析
閂鎖效應(yīng)：實(shí)際上是由于CMOS電路中基極和集電極相互連接的兩個BJT管子(下圖中，側(cè)面式NPN和垂直式PNP)的回路放大作用形成的
2023-12-01 標(biāo)簽：CMOS電路VDD閂鎖效應(yīng) 2.3萬 0
IGBT/三極管/MOS管這三種元器件之間有什么區(qū)別？
三極管的結(jié)構(gòu)是給一塊純硅進(jìn)行三層摻雜，其中較窄區(qū)域高濃度N型摻雜，含有大量自由電子，中間極窄區(qū)域普通濃度P型摻雜，含有少數(shù)空穴，上邊較寬區(qū)域普通濃度N型...
2024-04-09 標(biāo)簽：三極管MOS管發(fā)射機(jī) 1.8萬 0
共射放大電路直流工作點(diǎn)和交流放大倍數(shù)的計(jì)算方法
這一節(jié)繼續(xù)對共射放大電路進(jìn)行總結(jié)分析，直流工作點(diǎn)和交流放大倍數(shù)計(jì)算!
當(dāng)NPN三極管的基極接收到高電平信號時，三極管導(dǎo)通，允許電流從其集電極流向發(fā)射極。這個電流通過繼電器線圈，使繼電器吸合，其觸點(diǎn)狀態(tài)發(fā)生改變（常開觸點(diǎn)閉合...
當(dāng)集電極電流Icq有微小變化時，會在發(fā)射極電阻Re上產(chǎn)生壓降，而Re上的壓降又會影響b-e之間的電壓，從而會影響Icq，達(dá)到穩(wěn)定工作點(diǎn)。
電力晶體管（Giant Transistor—GTR），是一種耐高電壓、大電流的雙極結(jié)型晶體管（Bipolar Junction Transistor—...
在一些電流波動的場合總需要用到限流，然而限流電路有多種，有些地方對成本敏感又需要有一定控制精度，推薦用下面介紹的三極管做簡單限流。
此電路看似簡單，實(shí)際原理是當(dāng)采樣電阻R4的電壓變化時，直接反饋到運(yùn)放的反相輸入端，它與同相輸入端電壓的差值被運(yùn)放放大，輸出控制三極管的基極電流，改變?nèi)龢O...
芯片設(shè)計(jì)都不可避免的考慮要素—閂鎖效應(yīng)latch up
閂鎖效應(yīng)，latch up，是個非常重要的問題?，F(xiàn)在的芯片設(shè)計(jì)都不可避免的要考慮它。我今天就簡單地梳理一下LUP的一些問題。
2023-12-01 標(biāo)簽：CMOS芯片設(shè)計(jì)BJT 4637 0
因?yàn)楫?dāng)三極管處在放大工作狀態(tài)時，基極電流每增大或減小1mA則集電極或是發(fā)射極電流的變化量會有幾十mA甚至上百毫安的變化量。通過集電極或是發(fā)射極串聯(lián)的電阻...
典型的共發(fā)射極放大器如下圖，利用三極管的基極電流對集電極電流的控制作用，實(shí)現(xiàn)對輸入信號的放大。Vcc是為放大器提供電壓的直流電源，通過基極偏置電阻Rb給...
為什么說IGBT是由BJT和MOSFET組成的器件？它們有何區(qū)別和聯(lián)系？
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極性三極管)和MOSFET(絕緣柵型場...
以上為解題思路當(dāng)我們遇到實(shí)際三極管不導(dǎo)通時，我們第一反應(yīng)是三極管燒了，可以用萬用表直接測，但我們理論怎么分析呢。
在實(shí)際應(yīng)用中，基極電流和集電極電流之間的關(guān)系可能會受到動態(tài)因素的影響。在電子學(xué)和半導(dǎo)體物理學(xué)中，基極電流（Ib）和集電極電流（Ic）是雙極型晶體管（BJ...
2024-07-18 標(biāo)簽：PN結(jié)半導(dǎo)體器件集電極電流 3064 0
我們都知道，晶體三極管具有電流放大作用，其實(shí)質(zhì)是三極管能以基極電流微小的變化量來控制集電極電流較大的變化量。
IGBT中的若干PN結(jié)—PNPN結(jié)構(gòu)介紹
在前文的PNP結(jié)構(gòu)中，我們描述了一種現(xiàn)象，如果IGBT中的兩個BJT都處于工作狀態(tài)，那么就會發(fā)生失控，產(chǎn)生latch-up現(xiàn)象。
在基本放大電路中,基極端連接著開關(guān)S,只要打開S,則集電極發(fā)射極之間幾乎沒有電流流通,蜂鳴器不發(fā)聲。如果閉合s,則基極發(fā)射極之間電流導(dǎo)通,同時集電極發(fā)射...
伏安特性是指橫軸為電壓、縱軸為電流的一組測試記錄。 那么NPN型晶體管的伏安特性增模描述呢？ 晶體管有三個引腳，因此需用通過兩個伏安特性來展示晶體管的特...
IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—BJT&MOS模型（1）
在前面關(guān)于PIN&MOS模型分析中，特別強(qiáng)調(diào)了這個模型所存在的一個短板，即所有電流都通過MOS溝道，實(shí)際上只有電子電流通過MOS溝道，而空穴電流...
射極跟隨電路的原理圖在上一節(jié)我們已經(jīng)通過理論分析大致畫了出來。接下來求從“設(shè)計(jì)的角度”出發(fā)，思考射極跟隨電路的原理。不但需要計(jì)算各器件的參數(shù)，還要進(jìn)行參...
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