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標(biāo)簽 > 失效分析
失效分析是一門(mén)發(fā)展中的新興學(xué)科,近年開(kāi)始從軍工向普通企業(yè)普及。它一般根據(jù)失效模式和現(xiàn)象,通過(guò)分析和驗(yàn)證,模擬重現(xiàn)失效的現(xiàn)象,找出失效的原因,挖掘出失效的機(jī)理的活動(dòng)。本章就機(jī)械失效分析,失效分析實(shí)驗(yàn)室
失效分析流程,涂層失效分析,軸承失效分析。
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技術(shù)分享 | ISO 26262中的安全分析之FMEA
本期內(nèi)容以系統(tǒng)架構(gòu)設(shè)計(jì)為例,講解如何在ISO26262產(chǎn)品開(kāi)發(fā)過(guò)程中實(shí)施安全分析,半導(dǎo)體層面的芯片設(shè)計(jì)也可以參考本文相關(guān)內(nèi)容執(zhí)行安全分析。安全分析方法I...
熱載流子注入(熱載流子誘生的MOS器件退化是由于高能量的電子和空穴注入柵氧化層引起的,注入的過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生界面態(tài)和氧化層陷落電荷,造成氧化層的損傷。)
你是否長(zhǎng)時(shí)間糾纏于線(xiàn)路板的失效分析?你是否花費(fèi)大量精力在樣板調(diào)試過(guò)程中?你是否懷疑過(guò)自己的原本正確的設(shè)計(jì)?
集成電路預(yù)鍍框架銅線(xiàn)鍵合封裝在實(shí)際應(yīng)用中發(fā)現(xiàn)第二鍵合點(diǎn)失效,通過(guò)激光開(kāi)封和橫截面分析,鍵合失效與電化學(xué)腐蝕機(jī)理密切相關(guān)。通過(guò) 2 000 h 高溫存儲(chǔ)試...
多層片狀陶介電容器由陶瓷介質(zhì)、端電極、金屬電極三種材料構(gòu)成,失效形式為金屬電極和陶介之間層錯(cuò),電氣表現(xiàn)為受外力(如輕輕彎曲板子或用烙鐵頭碰一下)和溫度沖...
某門(mén)鈴在使用一段時(shí)間出現(xiàn)門(mén)鈴失效,將失效樣品剝離,發(fā)現(xiàn)二極管燒損,通過(guò)表面觀察、通電間斷性檢測(cè)、靜電擊穿、切片分析、SEM分析等手段對(duì)樣品進(jìn)行分析,發(fā)現(xiàn)...
失效分析為設(shè)計(jì)工程師不斷改進(jìn)或者修復(fù)芯片的設(shè)計(jì),使之與設(shè)計(jì)規(guī)范更加吻合提供必要的反饋信息。
集成電路封裝失效分析就是判斷集成電路失效中封裝相關(guān)的失效現(xiàn)象、形式(失效模式),查找封裝失效原因,確定失效的物理化學(xué)過(guò)程(失效機(jī)理),為集成電路封裝糾正...
眾所周知,芯片作為智能設(shè)備的“心臟”,承載核心功能;其設(shè)計(jì)復(fù)雜度與集成度提升,加之應(yīng)用環(huán)境多樣化,致失效問(wèn)題凸顯,或?qū)⒊蔀閼?yīng)用工程師設(shè)計(jì)周期內(nèi)的重大挑戰(zhàn)...
PCBA端子引腳焊接發(fā)生異常,通過(guò)對(duì)PCBA基板和端子進(jìn)行一系列分析,定位到問(wèn)題發(fā)生的原因在于共面性不良,且端子焊接引腳與錫膏接觸程度不足導(dǎo)致。詳細(xì)分析...
FPC在后續(xù)組裝過(guò)程中,連接器發(fā)生脫落。在對(duì)同批次的樣品進(jìn)行推力測(cè)試后,發(fā)現(xiàn)連接器推力有偏小的現(xiàn)象。據(jù)此進(jìn)行失效分析,明確FPC連接器脫落原因。
廣電計(jì)量|功率場(chǎng)效應(yīng)管過(guò)壓失效機(jī)理及典型特征分析
失效分析最常觀察到的現(xiàn)象是EOS過(guò)電失效,分為過(guò)壓失效及過(guò)流失效的兩種失效模式。對(duì)于以功率器件為代表的EOS過(guò)電失效樣品,其失效表征往往表現(xiàn)為芯片的大面...
2024-09-18 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS失效機(jī)理 1473 0
作為各種元器件的載體與電路信號(hào)傳輸?shù)臉屑~,PCB已經(jīng)成為電子信息產(chǎn)品的最為重要而關(guān)鍵的部分,其質(zhì)量的好壞與可靠性水平?jīng)Q定了整機(jī)設(shè)備的質(zhì)量與可靠性。但是由...
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