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標(biāo)簽 > 失效分析
失效分析是一門發(fā)展中的新興學(xué)科,近年開始從軍工向普通企業(yè)普及。它一般根據(jù)失效模式和現(xiàn)象,通過分析和驗證,模擬重現(xiàn)失效的現(xiàn)象,找出失效的原因,挖掘出失效的機理的活動。本章就機械失效分析,失效分析實驗室
失效分析流程,涂層失效分析,軸承失效分析。
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技術(shù)分享 | ISO 26262中的安全分析之FMEA
本期內(nèi)容以系統(tǒng)架構(gòu)設(shè)計為例,講解如何在ISO26262產(chǎn)品開發(fā)過程中實施安全分析,半導(dǎo)體層面的芯片設(shè)計也可以參考本文相關(guān)內(nèi)容執(zhí)行安全分析。安全分析方法I...
集成電路預(yù)鍍框架銅線鍵合封裝在實際應(yīng)用中發(fā)現(xiàn)第二鍵合點失效,通過激光開封和橫截面分析,鍵合失效與電化學(xué)腐蝕機理密切相關(guān)。通過 2 000 h 高溫存儲試...
IC故障診斷及失效分析:發(fā)現(xiàn)事實避免臆測
對一個復(fù)雜的設(shè)備進(jìn)行故障診斷的時候,知識儲備是最重要的。我們想要的并且需要去了解相關(guān)的一些問題。它包括正確的IC版本號,在哪里可以找到有關(guān)的參考資料,誰...
熱載流子注入(熱載流子誘生的MOS器件退化是由于高能量的電子和空穴注入柵氧化層引起的,注入的過程中會產(chǎn)生界面態(tài)和氧化層陷落電荷,造成氧化層的損傷。)
你是否長時間糾纏于線路板的失效分析?你是否花費大量精力在樣板調(diào)試過程中?你是否懷疑過自己的原本正確的設(shè)計?
眾所周知,芯片作為智能設(shè)備的“心臟”,承載核心功能;其設(shè)計復(fù)雜度與集成度提升,加之應(yīng)用環(huán)境多樣化,致失效問題凸顯,或?qū)⒊蔀閼?yīng)用工程師設(shè)計周期內(nèi)的重大挑戰(zhàn)...
某門鈴在使用一段時間出現(xiàn)門鈴失效,將失效樣品剝離,發(fā)現(xiàn)二極管燒損,通過表面觀察、通電間斷性檢測、靜電擊穿、切片分析、SEM分析等手段對樣品進(jìn)行分析,發(fā)現(xiàn)...
廣電計量|功率場效應(yīng)管過壓失效機理及典型特征分析
失效分析最常觀察到的現(xiàn)象是EOS過電失效,分為過壓失效及過流失效的兩種失效模式。對于以功率器件為代表的EOS過電失效樣品,其失效表征往往表現(xiàn)為芯片的大面...
2024-09-18 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS失效機理 2.2k 0
FPC在后續(xù)組裝過程中,連接器發(fā)生脫落。在對同批次的樣品進(jìn)行推力測試后,發(fā)現(xiàn)連接器推力有偏小的現(xiàn)象。據(jù)此進(jìn)行失效分析,明確FPC連接器脫落原因。
集成電路封裝失效分析就是判斷集成電路失效中封裝相關(guān)的失效現(xiàn)象、形式(失效模式),查找封裝失效原因,確定失效的物理化學(xué)過程(失效機理),為集成電路封裝糾正...
失效分析為設(shè)計工程師不斷改進(jìn)或者修復(fù)芯片的設(shè)計,使之與設(shè)計規(guī)范更加吻合提供必要的反饋信息。
由于存儲器中包括結(jié)構(gòu)重復(fù)的存儲單元,當(dāng)其中發(fā)生失效點時, 如何定位失效點成為存儲器失效分析中的最為重要的一步。存儲器芯片的集成度高,字線(WL)和位線(...
PCBA端子引腳焊接發(fā)生異常,通過對PCBA基板和端子進(jìn)行一系列分析,定位到問題發(fā)生的原因在于共面性不良,且端子焊接引腳與錫膏接觸程度不足導(dǎo)致。詳細(xì)分析...
淺談半導(dǎo)體芯片失效分析Analysis of Semiconductor Chip Failure
共讀好書 失效專業(yè)能力分類 元器件5A試驗介紹(中英文) ◆PFA (Physical Feature Analysis) 物理特征分析 ◆DPA (D...
2024-07-17 標(biāo)簽:失效分析半導(dǎo)體芯片 1.9k 0
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